4．化合物M是二苯乙炔類液晶材料的一種，最簡單的二苯乙炔類化合物是．以互為同系物的單取代芳烴A、G為原料合成M的一種路線（部分反應(yīng)條件略去）如下：

回答下列問題：
（1）A的結(jié)構(gòu)簡式為．
（2）D中含有的官能團是碳碳雙鍵，分子中最多有10個碳原子共平面．
（3）①的反應(yīng)類型是取代反應(yīng)，④的反應(yīng)類型是加成反應(yīng)．
（4）⑤的化學(xué)方程式為．
（5）B的同分異構(gòu)體中能同時滿足如下條件：①苯環(huán)上有兩個取代基，②能發(fā)生銀鏡反應(yīng)，共有15種（不考慮立體異構(gòu)），其中核磁共振氫譜為5組峰，且峰面積比為6：2：2：1：1的是（寫結(jié)構(gòu)簡式）．
（6）參照上述合成路線，設(shè)計一條由苯乙烯和甲苯為起始原料制備的合成路線：．

3．黃銅礦（CuFeS₂）是煉銅的最主要礦物，在野外很容易被誤會為黃金，又稱愚人金．

（1）火法冶煉黃銅礦的過程中，利用了Cu₂O與Cu₂S反應(yīng)生成Cu單質(zhì)，反應(yīng)的化學(xué)方程式是2Cu₂O+Cu₂S$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$6Cu+SO₂↑．
（2）S位于周期表中ⅥA族，該族元素氫化物中，H₂Te比H₂S沸點高的原因是兩者均為分子晶體且結(jié)構(gòu)相似，H₂Te相對分子質(zhì)量比H₂S大，分子間作用力更強，H₂O比H₂Te沸點高的原因是兩者均為分子晶體，H₂O分子中存在氫鍵．
（3）S有+4和+6兩種價態(tài)的氧化物，回答下列問題：
①下列關(guān)于氣態(tài)SO₃和SO₂的說法中，正確的是AD．
A．中心原子的價層電子對數(shù)目相等             B．都是極性分子
C．中心原子的孤對電子數(shù)目相等               D．都含有極性鍵
②將純液態(tài)SO₃冷卻到289.8K時凝固得到一種螺旋狀單鏈結(jié)構(gòu)的固體，其結(jié)構(gòu)如圖1，此固態(tài)SO₃中S原子的雜化軌道類型是sp³．
（4）Cu有+1和+2兩種價態(tài)的化合物，回答下列問題：
①Cu⁺的價層電子排布為3d¹⁰，Cu²⁺有1個未成對電子．
②新制的Cu（OH）₂能夠溶解于過量濃堿溶液中，反應(yīng)的離子方程式是Cu（OH）₂+2OH^-=[Cu（OH）₄]^2-．
（5）CuFeS₂的晶胞如圖2所示，晶胞參數(shù)a=0.524nm，c=1.032nm；CuFeS₂的晶胞中每個Cu原子與4個S原子相連，列式計算晶體密度 ρ=$\frac{4×184g/mol}{6.02×1{0}^{23}mo{l}^{-1}×（0.524×1{0}^{-7}cm）^{2}×1.032×1{0}^{-7}cm}$ g•cm^-3．

2．高純MnCO₃是廣泛用于電子行業(yè)的強磁性材料．MnCO₃為白色粉末，不溶于水和乙醇，在潮濕環(huán)境下易被氧化，溫度高于100℃開始分解．
Ⅰ．實驗室以MnO₂為原料制備MnCO₃
（1）制備MnSO₄溶液：
①主要反應(yīng)裝置如圖1，緩緩?fù)ㄈ虢?jīng)N₂稀釋的SO₂氣體，發(fā)生反應(yīng)H₂SO₃+MnO₂$\frac{\underline{\;電爐\;}}{\;}$MnSO₄+H₂O．下列措施中，目的是加快化學(xué)反應(yīng)速率的是AB（填標號）．
A．MnO₂加入前先研磨       B．?dāng)嚢?nbsp;     C．提高混合氣中N₂比例
②已知實驗室制取SO₂的原理是Na₂SO₃+2H₂SO₄（濃） $\frac{\underline{\;電電爐\;}}{\;}$ 2NaHSO₄+SO₂↑+H₂O．選擇如圖2所示部分裝置與圖裝1置相連制備MnSO₄溶液，應(yīng)選擇的裝置有abef（填標號）．

③若用空氣代替N₂進行實驗，缺點是空氣中的O₂能氧化H₂SO₃，使SO₂利用率下降．（酸性環(huán)境下Mn²⁺不易被氧化）
（2）制備MnCO₃固體：
實驗步驟：①向MnSO₄溶液中邊攪拌邊加入飽和NH₄HCO₃溶液生成MnCO₃沉淀，反應(yīng)結(jié)束后過濾；②…；③在70-80℃下烘干得到純凈干燥的MnCO₃固體．
步驟②需要用到的試劑有乙醇．
Ⅱ．設(shè)計實驗方案
（3）利用沉淀轉(zhuǎn)化的方法證明K_SP（MnCO₃）＜K_SP（NiCO₃）：向少量NiSO₄溶液中滴加幾滴Na₂CO₃溶液，生成淺綠色沉淀，再滴加足量MnSO₄溶液，沉淀變成白色．（已知NiCO₃為難溶于水的淺綠色固體）
（4）證明H₂SO₄的第二步電離不完全：用pH計測量Na₂SO₄溶液的pH大于7．[查閱資料表明K₂（H₂SO₄）=1.1×10^-2]．

1．W、X、Y、Z均為短周期主族元素，原子序數(shù)依次增加，且互不同族，其中只有兩種為金屬元素，W原子的最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相等，W與Z、X與Y這兩對原子的最外層電子數(shù)之和均為9，單質(zhì)X與Z都可與NaOH溶液反應(yīng)．下列說法正確的是（　�。�

	A．	原子半徑：Z＞Y＞X
	B．	最高價氧化物的水化物的酸性：Y＞Z
	C．	化合物WZ2中各原子均滿足8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
	D．	Y、Z均能與碳元素形成共價化合物

20．設(shè)N_A為阿伏加德羅常數(shù)，下列敘述中正確的是（　�。�

	A．	78 g Na2O2中存在的共價鍵總數(shù)為NA
	B．	0.1 mol${\;}_{38}^{90}$Sr原子中含中子數(shù)為3.8NA
	C．	氫氧燃料電池負極消耗2.24 L氣體時，電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.1NA
	D．	0.1 mol氯化鐵溶于1L水中，所得溶液中Fe3+的數(shù)目為0.1NA

19．下列敘述正確的是（　　）

	A．	順-2-丁烯和反-2-丁烯的加氫產(chǎn)物不同
	B．	甲醛、氯乙烯和乙二醇均可作為合成聚合物的單體
	C．	ABS樹脂、光導(dǎo)纖維及碳纖維都是有機高分子材料
	D．	酸性條件下，C2H5CO18OC2H5的水解產(chǎn)物是C2H5CO18OH和C2H5OH

18．芳香酯I的合成路線如下：

已知以下信息：
①A-I均為芳香族化合物，A的苯環(huán)上只有一個取代基，B能發(fā)生銀鏡反應(yīng)，D的相對分子質(zhì)量比C大4，E的核磁共振氫譜有3組峰．
②$→_{△}^{KMnO_{4}/H+}$
③2RCH₂CHO$→_{△}^{NaOH/H_{2}O}$
請回答下列問題：
（I）A→B的反應(yīng)類型為氧化反應(yīng)，G所含官能團的名稱為羥基、羧基．
（2）步驟E→F與F→G的順序能否顛倒？否（填“能”或“否”），理由：如果顛倒，則（酚）羥基會被KMnO₄/H⁺氧化．
（3）B與銀氨溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式為．
（4）I的結(jié)構(gòu)簡式為．
（5）符合下列要求的A的同分異構(gòu)體有9種．
①遇氯化鐵溶液顯紫色 ②屬于芳香族化合物
（6）根據(jù)已有知識并結(jié)合相關(guān)信息，寫出以CH₃CH₂OH為原料制備CH₃CH₂CH₂CH₂OH的合成路線流程圖（無機試劑任用）．合成路線流程圖示例如下：CH₃CH₂Br$→_{△}^{NaOH溶液}$CH₃CH₂OH$→_{濃硫酸，△}^{CH_{3}COOH}$CH₃COOCH₂CH₃．

17．E、G、M、Q、T是五種原子序數(shù)依次增大的前四周期元素．E、G、M是位于p區(qū)的同一周期的元素，M的價層電子排布為ns²np²ⁿ，E與M原子核外的未成對電子數(shù)相等；QM₂與GM₂^-具有相等的價電子總數(shù)；T為過渡元素，其原子核外沒有未成對電子．請回答下列問題：
（1）T元素原子的價電子排布式是3d¹⁰4s²．
（2）E、G、M三種元素的第一電離能由大到小的順序為N＞O＞C（用元素符號表示），其原因為同周期隨原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢，但N原子2P能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能大于氧的．
（3）E、G、M的最簡單氫化物中，鍵角由大到小的順序為CH₄＞NH₃＞H₂O（用分子式表示），
其中G的最簡單氫化物的分子立體構(gòu)型名稱為三角錐形，M的最簡單氫化物的分子中中心原子的雜化類型為sp³．M和Q的最簡單氫化物的沸點大小順序為H₂O＞H₂S（寫化學(xué)式）．
（4）EM、CM⁺、G₂互為等電子體，EM的結(jié)構(gòu)式為（若有配位鍵，請用“→”表示）．E、M電負性相差1.0，由此可以判斷EM應(yīng)該為極性較強的分子，但實際上EM分子的極性極弱，請解釋其原因：從電負性分析，CO中的共用電子對偏向氧原子，但分子中形成配位鍵的電子對是由氧原子單方面提供的，抵消了共用電子對偏向O而產(chǎn)生的極性
．
（5）TQ在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方TQ晶體結(jié)構(gòu)如右圖所示，該晶體的密度為pg•cm^-3．如果TQ的摩爾質(zhì)量為Mg．mol^-1，阿伏加德羅常數(shù)為N_Amol^-1，則a、b之間的距離為$\frac{\sqrt{3}}{4}$×$\root{3}{\frac{4M}{ρ{N}_{A}}}$cm．

16．硅是帶來人類文明的重要元素之一，從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)造了許多奇跡．
（l）新型陶瓷Si₃N₄的熔點高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定．工業(yè)上可以采用化學(xué)氣相沉積法，在H2的保護下，使SiCI₄與N₂反應(yīng)生成Si₃N₄沉積在石墨表面，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式3SiCl₄+2N₂+6H₂$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si₃N₄+12HCl．
（2）已知硅的熔點是1420℃，高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅．一種用工業(yè)硅（含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物）合成氮化硅的主要工藝流程如圖：

①凈化N₂和H₂時，銅屑的作用是除去原料氣中的氧氣；硅膠的作用是除去生成的水蒸氣．
②在氮化爐中3Si（s）+2N₂（g）=Si₃N₄（S）△H=-727.5kJ．mol^-l，開始時為什么要嚴格控制氮氣的流速以控制溫度？該反應(yīng)為放熱反應(yīng)，防止局部過熱，導(dǎo)致硅熔化熔合成團，阻礙與N₂的接觸；體系中要通人適量的氫氣是為了將體系中的氧氣轉(zhuǎn)化為水蒸氣，而易被除去（或?qū)⒄麄�體系中空氣排盡）．
③X可能是硝酸（選填“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”或“氫氟酸”）．
（3）工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅：

①整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl₃遇水能發(fā)生劇烈反應(yīng)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl．
②假設(shè)每一輪次制備1mol純硅，且生產(chǎn)過程中硅元素沒有損失，反應(yīng)I中HCI的利用率為90%，反應(yīng)II中H₂的利用率為93.750/0．則在第二輪次的生產(chǎn)中，補充投入HC1和H：的物質(zhì)的量之比是5：1．

15．某無色溶液中可能含有①Na⁺②Ba²⁺③Cl^-④Br ^-⑤S0₄^2-⑥SO₃^2-中的若干種，依次進行下列實驗，且每步所加試劑均過量，觀察到的現(xiàn)象如下：

步驟序號	操作步驟	現(xiàn) 象
（1）	用pH試紙檢驗	溶液的pH＞7
（2）	向溶液中滴加氯水，再加人CC14、振蕩、靜置	下層呈橙色
（3）	向（2）所得水溶液中加人Ba（N03）2溶液和 稀 HNO3	有白色沉淀產(chǎn)生
（4）	過濾，向濾液中加人AgNO3溶液和稀HNO，	有白色沉淀產(chǎn)生

下列結(jié)論正確的是（　�。�

	A．	不能確定的離子是①		B．	不能確定的離子是②③
	C．	肯定含有的離子是①④⑥		D．	肯定沒有的離子是②⑤