下列儀器①燒杯②蒸發(fā)皿③平底燒瓶④試管⑤坩堝⑥錐形瓶，其中可以用酒精燈直接加熱的儀器是（　�。�

下列實(shí)驗(yàn)操作正確的是（　�。�

在下列變化中，需要加入合適的氧化劑才能實(shí)現(xiàn)的是（　�。�

下列物質(zhì)中屬于電解質(zhì)的是（　�。�
①氫氧化鈉②硫酸鋇③銅④蔗糖⑤二氧化硫．

氧化還原反應(yīng)的本質(zhì)是（　�。�

（2013?長(zhǎng)沙模擬）硫酸工業(yè)尾氣中二氧化硫的含量超過(guò)0.05%（體積分?jǐn)?shù)）時(shí)需經(jīng)處理后才能排放．某�；瘜W(xué)興趣小組欲測(cè)定某硫酸工廠排放尾氣中二氧化硫的含量，分別采用以下方案：
【甲方案】如圖所示，圖中氣體流量計(jì)B用于準(zhǔn)確測(cè)量通過(guò)的尾氣體積．將尾氣通入一定體積已知濃度的碘水中測(cè)定SO₂的含量．當(dāng)洗氣瓶C中溶液藍(lán)色消失時(shí)，立即關(guān)閉活塞A．

（1）洗氣瓶C中導(dǎo)管末端連接一個(gè)多孔球泡D，可以提高實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確度，其理由是．
（2）洗氣瓶C中溶液藍(lán)色消失后，沒(méi)有及時(shí)關(guān)閉活塞A，測(cè)得的SO₂含量（填“偏高”、“偏低”或“無(wú)影響”）．
【乙方案】實(shí)驗(yàn)步驟如下面流程圖所示：
（3）步驟①中過(guò)量H₂O₂的作用是；
（4）寫(xiě)出步驟②中反應(yīng)的化學(xué)方程式；
（5）步驟②中Ba（OH）₂是否足量的判斷方法是．
（6）通過(guò)的尾氣體積為V L（已換算成標(biāo)準(zhǔn)狀況）時(shí)，該尾氣中二氧化硫的含量（體積分?jǐn)?shù)）為（用含有V、m的代數(shù)式表示）．

（2008?江蘇）根據(jù)下列框圖回答問(wèn)題（答題時(shí)，方程式中的M、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）：

（1）寫(xiě)出M溶于稀H₂SO₄和H₂O₂混合液的化學(xué)方程式：．
（2）某同學(xué)取X的溶液，酸化后加入KI、淀粉溶液，變?yōu)樗{(lán)色．寫(xiě)出與上述變化過(guò)程相關(guān)的離子方程式：、．
（3）寫(xiě)出Cl₂將Z氧化為K₂EO₄的化學(xué)方程式：．
（4）由E制備的E（C₅H₅）₂的結(jié)構(gòu)如圖，其中氫原子的化學(xué)環(huán)境完全相同．但早期人們卻錯(cuò)誤地認(rèn)為它的結(jié)構(gòu)為：．核磁共振法能夠區(qū)分這兩種結(jié)構(gòu)．在核磁共振氫譜中，正確的結(jié)構(gòu)有種峰（即有幾種化學(xué)環(huán)境完全相同H原子），錯(cuò)誤的結(jié)構(gòu)有種峰．

甲、乙、丙、丁四種物質(zhì)均為下列離子組成的可溶性化合物，組成這四種物質(zhì)的離子（離子不能重復(fù)組合）有：

陽(yáng)離子	Ag+、Mg2+、Al3+、Ba2+
陰離子	Cl-、 SO 2- 4 、NO3-、OH-

現(xiàn)進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)，
①將乙的溶液分別加到足量甲、丁兩溶液中時(shí)均產(chǎn)生穩(wěn)定的白色沉淀；
②將少量丙溶液滴入丁溶液時(shí)產(chǎn)生白色沉淀，當(dāng)丙過(guò)量時(shí)沉淀完全溶解；
③甲、丙兩溶液混合時(shí)產(chǎn)生的白色沉淀，經(jīng)分析其中含有兩種成份．
據(jù)此回答下列問(wèn)題：
（1）寫(xiě)出下列物質(zhì)的化學(xué)式：甲 乙
（2）丙的陰離子的電子式是，丁的陽(yáng)離子的結(jié)構(gòu)示意圖是；
（3）寫(xiě)出相應(yīng)離子方程式：
①甲溶液與丙溶液混合：
②乙溶液與丁溶液混合：．

獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì)，信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開(kāi)材料科學(xué)的推動(dòng)．
（1）光導(dǎo)纖維是一種能高質(zhì)量傳導(dǎo)光的玻璃纖維，利用光纜通訊，能同時(shí)傳輸大量信息．制造光纖電纜的主要原材料的化學(xué)式是
（2）信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅，高純度的單晶硅生產(chǎn)方法之一：
SiO₂

C

Si（粗硅）

HCl、Cl2

SiHCl₃（沸點(diǎn)31.5℃）

H2

Si

氣相沉積法

超純硅（多晶硅）單晶硅
近代用得較多的另一種方法（之二）是：用金屬硅化物（Mg₂Si）與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅．根據(jù)上述信息回答以下問(wèn)題：從方法一生產(chǎn)單晶硅的過(guò)程看，由碳還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理？
（3）寫(xiě)出方法二中，生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)反應(yīng)方程式：
①．
②．

閱讀下表中部分短周期主族元素的相關(guān)信息，請(qǐng)回答：

元素代號(hào)	相關(guān)信息
X	X的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的三倍
Y	在第三周期的所有金屬離子中，Y的離子半徑最小
Z	Z與Y同周期，是所在周期中原子半徑最小的元素
T	T的單質(zhì)能與冷水劇烈反應(yīng)，生成的強(qiáng)堿電離出兩種電子數(shù)相等的陰、陽(yáng)離子

（1）元素T與X按原子個(gè)數(shù)比1：1形成的化合物B的電子式為，該化合物中所含的化學(xué)鍵有（填化學(xué)鍵名稱(chēng)）．
（2）單質(zhì)T與冷水反應(yīng)的化學(xué)方程式為
（3）將Y與Z形成的化合物的水溶液，逐滴加入到T的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的溶液中直至過(guò)量（邊滴加邊振蕩），寫(xiě)出此過(guò)程中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式，．