（2012?西安一模）已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素，A與B；C、D與E分別位于同一周期．A原子L層上有2對成對電子，B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C₃DB₆型離子晶體X，CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體．
（1）寫出A元素的基態(tài)原子價電子排布式；F離子電子排布式．
（2）寫出X的化學(xué)式
（3）試解釋工業(yè)冶煉D不以DE₃而是以D₂A₃為原料的原因：．
（4）CE、FA的晶格能分別為786KJ/mol l、3401KJ/mo，試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是：．
（5）F與B可形成離子化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：F與B形成離子化合物的化學(xué)式為；該離子化合物晶體的密度為a g/cm3，則晶胞的體積是（只要求列出算式）．

如圖1是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體．
（1）單質(zhì)a、f對應(yīng)的元素以原子個數(shù)比1：1形成的分子（相同條件下對H₂的相對密度為13）中含σ鍵和個π鍵．
（2）a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為；將X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至過量，得到絡(luò)離子的化學(xué)式為，其中X與Ag⁺之間以鍵結(jié)合．
（3）如圖2是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)：請簡要說明該物質(zhì)易溶于水的兩個原因．
（4）氫鍵的形成對物質(zhì)的性質(zhì)具有一定的影響．沸點．（填高或低）

五種元素的原子電子層結(jié)構(gòu)如下：A．1s²2s¹；B．1s²2s²2p⁴；C．1s²2s²2p⁶； D．1s²2s²2p⁶3s²3p² E．[Ar]3d¹⁰4s¹．[用元素符號作答]
（1）元素的第一電離能最大的是；
（2）屬于過渡元素的是；
（3）元素的電負(fù)性最大的是；
（4）上述元素之間能形成X₂Y型化合物的化學(xué)式是．

在某晶體中，與某一個微粒x距離最近且等距離的另一個微粒y所圍成的空間構(gòu)型為正八面體形（如圖）．該晶體不是（　　）

（2011?江西二模）4種短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大，其原子的最外層電子數(shù)之和為19，W和X元素原子內(nèi)質(zhì)子數(shù)之比為1：2，X²⁺和Z^-離子的電子數(shù)之差為8．下列說法不正確的是（　�。�

下列說法中正確的是（　�。�

下列關(guān)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的敘述中，正確的是（　�。�

下列說法錯誤的是（　　）

（2011?煙臺模擬）下列敘述正確的是（　�。�

用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法中不正確的是（　�。�