A. CH3CH2OHB. CH3CHOC. D. H2N-CH2-COOH

(1)在①～⑩元素的電負(fù)性最大的是_____(填元素符號(hào))。

(2)⑨元素有_____種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子。

(3)⑩的基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為_____。

(4)⑤的氫化物與⑦的氫化物比較穩(wěn)定的是_____，沸點(diǎn)較高的是_____(填化學(xué)式)。

(5)上述所有元素中的基態(tài)原子中 4p軌道半充滿的是_____(填元素符號(hào))，4s軌道半充滿的是_____(填元素符號(hào))。

①CH4 ②CH2 ===CH2 ③CH≡CH ④NH3 ⑤NH4 ＋ ⑥BF3 ⑦H2O

填寫下列空白(填序號(hào))：

(1)呈正四面體的是_____。

(2)中心原子軌道為 sp3 雜化的是_____，為 sp2 雜化的是_____，為 sp 雜化的是_____。

(3)所有原子共平面的是_____，共線的是_____。

(4)粒子存在配位鍵的是_____。

(5)含有極性鍵的極性分子的是_____。

【題目】（1）有下列幾組物質(zhì)或微粒：A.H和H；B.甲烷和乙烷；C.紅磷和白磷；D.金剛石、石墨和C60；E.丁烷和異丁烷；F.和

其中，屬于同分異構(gòu)體的是__；屬于同位素的是__；屬于同素異形體的是__；屬于同一種物質(zhì)的是___；屬于同系物的是___。（填字母編號(hào)）

（2）寫出分子中碳原子數(shù)小于10，一氯代物只有一種結(jié)構(gòu)的所有烷烴的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式：___、___、___、___。

（3）把1molCH4和一定量Cl2組成的混合氣體通入大試管中，將此試管倒立在盛有飽和食鹽水的水槽中，放在光亮處，回答下列問(wèn)題：

I.在反應(yīng)結(jié)束后，試管內(nèi)的產(chǎn)物最多的是___，空間構(gòu)型呈正四面體的產(chǎn)物為___（填化學(xué)式），寫出由甲烷直接生成該物質(zhì)的化學(xué)方程式：___。

II.若（3）中甲烷完全反應(yīng)，且生成的四種有機(jī)產(chǎn)物的物質(zhì)的量相同，則反應(yīng)消耗的Cl2的物質(zhì)的量為___。

（1）將5g在300℃下干燥了3h并研細(xì)的KCl粉末裝入50mL帶有接頭及抽真空用活塞的玻璃容器內(nèi)。將容器盡量減壓，在減壓條件下通入0.002molNO2。反應(yīng)12～36min即可完成，紅棕色的NO2消失，出現(xiàn)黃色的氯化亞硝酰，同時(shí)還得到一種鹽，該鹽的化學(xué)式為_。氯化鉀需要“干燥”的原因是__。

（2）實(shí)驗(yàn)室可由氯氣與一氧化氮在常溫常壓下合成氯化亞硝酰，裝置如圖所示。

①儀器a的名稱為__。

②干燥管中盛放的試劑為_。

③生成NOCl的化學(xué)方程式為__。

（3）為驗(yàn)證NOCl與H2O反應(yīng)后的溶液中存在Cl－和HNO2，設(shè)計(jì)如下實(shí)驗(yàn)步驟，完成下列表格。

A.若將產(chǎn)物通過(guò)堿石灰，則可全被吸收，若通過(guò)濃硫酸，則不能被完全吸收

B.產(chǎn)物的平均摩爾質(zhì)量為24g/mol

C.若將產(chǎn)物通過(guò)濃硫酸充分吸收后恢復(fù)至(101kPa，120℃)，則體積變?yōu)樵瓉?lái)的

D.反應(yīng)中消耗的氧氣為1.75mol

【題目】反應(yīng)H2(g)+I2(g)2HI(g)在體積固定的密閉容器中進(jìn)行，達(dá)到平衡狀態(tài)的標(biāo)志是（ ）

①單位時(shí)間內(nèi)斷裂nmolH—H鍵的同時(shí)形成2nmolH—I鍵

②單位時(shí)間內(nèi)生成nmolI2的同時(shí)生成2nmolHI

③2v正(H2)=v逆(HI)

④HI分子數(shù)不再改變

⑤混合氣體顏色不再改變

⑥混合氣體壓強(qiáng)不再改變

A.②④⑤⑥B.②③④⑤C.①③④⑤D.全部

【題目】A、B、C、D四種可溶性鹽，陽(yáng)離子分別可能是Ba2+、Na+、Ag+、Cu2+中的某一種,陰離子分別可能是中的某一種。

(1) C的溶液呈藍(lán)色，向這四種鹽溶液中分別加鹽酸，B鹽有沉淀產(chǎn)生，D鹽有無(wú)色無(wú)味氣體逸出。則它們的化學(xué)式應(yīng)為：

A_______，B_______，C_______，D_______。

(2)寫出下列反應(yīng)的離子方程式：

①A+C__________________________。

②D+鹽酸________________________。

（1）硒常用作光敏材料，基態(tài)硒原子的核外電子排布式為[Ar]__。

（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga__As，第一電離能Ga__As。(填“大于”或“小于”)

（3）水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是__。

（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因：__。

（5）GaN晶胞的結(jié)構(gòu)如圖1所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。

①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為__。

②從GaN晶體中“分割”出的平行六面體如圖2。若該平行六面體的體積為a3cm3，則GaN晶體的密度為__(用含a、NA的代數(shù)式表示)g·cm-3。