A.晶體硅被用于計算機芯片，工業(yè)制粗硅的反應(yīng)原理為：SiO2＋CSi＋CO2↑

B.合金熔點、硬度都低于成分金屬

C.中國天眼FAST用到的碳化硅是一種新型的有機高分子材料

D.無色透明的SiO2是制造光導(dǎo)纖維的重要原料

(1)碘硫熱化學(xué)循環(huán)中，SO2的水溶液還原I2的反應(yīng)包括：SO2＋I2＋2H2O3H＋＋HSO4- ＋2I- 、I-＋I2 I3-。若起始時n(I2)=n(SO2)=1mo1，I- 、I3- 、H＋ 、HSO4-的物質(zhì)的量隨()的變化如圖所示：

圖中表示的微粒：a為_____________，d為____________________。

(2)起始時 HI的物質(zhì)的量為1mo1，總壓強為0.1MPa下，發(fā)生反應(yīng) HI(g) H2(g)+I2(g) 平衡時各物質(zhì)的物質(zhì)的量隨溫度變化如圖所示：

①該反應(yīng)的△H __________________ (“＞”或“＜”)0。

②600℃時，平衡分壓p(I2)= ______MPa，反應(yīng)的平衡常數(shù)Kp=_____________ (Kp為以分壓表示的平衡常數(shù))。

(3)反應(yīng) H2(g)＋I2(g) 2HI(g)的反應(yīng)機理如下：

第一步：I22I(快速平衡)

第二步：I＋H2H2I(快速平衡)

第三步：H2I＋I 2HI (慢反應(yīng))

①第一步反應(yīng)_____________ (填 “放出”或“吸收”)能量。

②只需一步完成的反應(yīng)稱為基元反應(yīng)，基元反應(yīng)如aA＋dD = gG＋hH 的速率方程，v= kca(A)cd(D)，k為常數(shù)；非基元反應(yīng)由多個基元反應(yīng)組成，非基元反應(yīng)的速率方程可由反應(yīng)機理推定。H2(g)與I2(g)反應(yīng)生成 HI(g)的速率方程為v= ________(用含k1、k－1、k2…的代數(shù)式表示)。

A.圖I中：實驗現(xiàn)象證明氯氣無漂白作用，氯水有漂白作用

B.圖II中：收集氯氣

C.圖IV中：若氣球干癟，證明可與NaOH溶液反應(yīng)

D.圖III中：生成棕黃色的煙，加少量水溶解得到藍綠色溶液

A.只有①和②處B.只有②處C.只有②和③處D.只有②③④處

請回答下列問題：

① 所加入的試劑分別是

A_______，B________，C________；

② 加B的原因是_____________________________________________________；

③由此可知淀粉是________(填“部分”、“完全”或“沒有”)水解。

A.圖1表示某放熱反應(yīng)分別在有、無催化劑的情況下反應(yīng)過程中的能量變化

B.圖2表示相同溫度下，向pH=10的氫氧化鈉溶液和氨水中分別加水稀釋時pH變化曲線，其中b表示氨水稀釋時pH的變化曲線

C.圖3表示鎂條放入鹽酸中生成氫氣速率隨時間的變化，起初反應(yīng)速率加快的原因能是該反應(yīng)為放熱反應(yīng)

D.圖4表示室溫下，用0.l00mol ·L－1NaOH溶液分別滴定20.00 mL 0.100 mol ·L－1的鹽酸和醋酸，其中I表示的是滴定鹽酸的曲線

A.HCl溶液滴加一半時，溶液pH＞7

B.H2CO3的Ka1的數(shù)量級為10-6

C.pH＝8時，溶液中NaHCO3的物質(zhì)的量濃度為0.1 mol·L-1

D.在M點：c(Na＋)＞c(CO)＝c(HCO)＞c(OH－)＞c(H＋)

A.右極為陽極，左極為陰極

B.電子從左極經(jīng)電解液流入右極

C.每產(chǎn)生1 mol O2，整個電解池中理論上轉(zhuǎn)移電子數(shù)為4NA

D.若鐵為陽極，則在處理廢水過程中陽極附近會發(fā)生：4Fe2＋+O2+4H+＝4Fe3++2H2O

【題目】向絕熱恒容密閉容器中通入SO2和NO2，在一定條件下使反應(yīng)SO2(g)＋NO2(g)SO3(g)＋NO(g)達到平衡，正反應(yīng)速率隨時間變化的示意圖如下所示。由圖可得出的正確結(jié)論是( )

A.反應(yīng)在c點達到平衡狀態(tài)

B.反應(yīng)物濃度：a點小于b點

C.反應(yīng)物的總能量高于生成物的總能量

D.Δt1＝Δt2時，SO2的轉(zhuǎn)化率：a～b段小于b～c段

A.蒸發(fā)結(jié)晶B.制備NaHCO3C.中和滴定D.制硝酸銅