薄膜的某些部位存在著小孔，電流從小孔通過(guò)并產(chǎn)生熱量使Al（OH）₃分解，從而在鋁件表面形成一層較厚的氧化膜。某學(xué)習(xí)小組根據(jù)上述原理，以鋁件和鐵棒為電極，

一定濃度的NaHCO₃溶液為電解液進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。

（1）鋁件表面形成氫氧化鋁薄膜的電極反應(yīng)式為：________。

（2）電解過(guò)程中，必須使電解液PH保持相對(duì)穩(wěn)定（不能太大，也不能太�。┑脑�因 是________。

（3）使用NaHCO₃為電解液，會(huì)減緩陰極區(qū)溶液PH的增大，能說(shuō)明這一原理的離子 方程式為________。

（1）a電極材料應(yīng)為________，電極反應(yīng)式為________。

（2）電解液c可以是________（填編號(hào)）。

(  )

A. 純水

B. NaCl溶液

C. NaOH溶液

D. CuCl₂溶液

（3）d為苯，其作用是________，在加入苯之前對(duì)c應(yīng)作何簡(jiǎn)單處理________。

（4）為了在較短時(shí)間內(nèi)看到白色沉淀，可采取的措施是（填編號(hào)）________。

(  )

A. 改用稀硫酸作電解液

B. 適當(dāng)增大電源的電壓

C. 適當(dāng)減小兩電極間距離

D. 適當(dāng)降低電解液的溫度

（5）若c中用Na₂SO₄溶液，當(dāng)電解一段時(shí)間看到白色Fe（OH）₂沉淀后，再反接電 源電解，除了電極上看到氣泡外，混合物中另一明顯現(xiàn)象為________。

（1）K可能所屬的晶體類型是________，K晶體中A原子周圍化學(xué)鍵的鍵角均相等，

鍵角值是________。

（2）寫出化學(xué)式：?jiǎn)钨|(zhì)B________；化合物F________。

（3）寫出下列反應(yīng)的離子方程式：

反應(yīng)③________； 反應(yīng)⑤________。

（4）反應(yīng)④的化學(xué)方程式為________。

（1）氮化硅晶體屬于_________晶體。

（2）現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃獗Ｗo(hù)下，加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng)，可得較高純度的氮化硅，

反應(yīng)的化學(xué)方程式為：________

（1）X離子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖________。

（2）寫出工業(yè)上由XY₂制取XY₃的化學(xué)方程式________。

（3）Z₂Y對(duì)應(yīng)水化物的堿性比LiOH________。

（4）Z₂Y₂的電子式為________，其中含有________鍵和________鍵。Z₂Y₂溶在水中的 反應(yīng)方程式________。

（5）Z₂X屬于________晶體，它與水反應(yīng)的離子方程式為________。

如果C－C鍵的鍵能是WkJ·mol^－1，則將12g金剛石碳碳鍵完全破壞掉需要的能量是________kJ。

以及生成無(wú)色溶液M、白色沉淀N和黃綠色氣體C時(shí)的其他產(chǎn)物均已略去。H為短周期元素組成的單質(zhì)。A的焰色反應(yīng)為淺紫色（透過(guò)藍(lán)色鈷玻璃觀察）。

回答下列問(wèn)題：

（1）A、H、N的化學(xué)式分別為A________，H________，N________。

（2）A→B＋C＋D的化學(xué)方程式：________。

（3）F＋I→N的離子方程式：________。

XO

2YO

（2）化合物XY₂的摩爾質(zhì)量是________。