科目: 來源: 題型:填空題
(本題共12分)
沸石是一大類天然結晶硅鋁酸鹽的統(tǒng)稱。自然界中已發(fā)現(xiàn)的沸石有30多種,較常見的有方沸石NaAlSi2O6·H2O、鈉沸石Na2Al2Si3O10·2H2O和鈣沸石CaAl2Si3O10·3H2O等。
完成下列填空:
23.鈉原子核外共有 種不同能量的電子,這些電子分占 種不同的軌道。
24.常溫下,下列5種鈉鹽濃度均為0.1mol·L-1的溶液,對應的pH如下:
溶質 | CH3COONa | NaHCO3 | Na2CO3 | NaClO | NaCN |
pH | 8.8 | 9.7 | 11.6 | 10.3 | 11.1 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
【化學——選修3:物質結構與性質】(15分)
已知A、B、C、D、E是元素周期表中1~36號元素,其原子序數(shù)依次增大,且A、B、C、D為主族元素。A與另外四種元素既不在同一周期,也不在同一主族。B和C同主族,D和E同周期;元素E是周期表中的第7列元素,D的最外層電子數(shù)與最內層電子數(shù)相同,D跟B可形成離子化合物,其晶胞結構(其中B原子在晶胞內部)如圖。
請回答下列問題:
(1)C-的電子排布式為______________;E元素原子的價電子排布式為________。
(2)元素B與氮元素可以形成化合物NB3,其中N—B鍵的化學鍵類型為________,根據(jù)價層電子對互斥理論可以判斷NB3的空間構型為________,NB3分子中N原子的雜化方式為________雜化。
(3)A、B形成的化合物AB的相對分子質量比A、C形成的化合物AC的相對分子質量小,但AB的沸點比AC高,其原因是 。
(4)從晶胞圖可以得出:D與B形成的離子化合物的化學式為 。
(5)含有D元素的化合物焰色反應為______色,焰色反應的原理是 。
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
(7分)決定物質性質的重要因素是物質結構。請回答下列問題:
(1)銅是過渡元素;衔镏,銅常呈現(xiàn)+1價或+2價。右圖為某銅氧化物晶體結構單元,該氧化物的化學式為 。
(2)第三周期部分元素氟化物的熔點見下表:
氟化物 | NaF | MgF2 | SiF4 |
熔點/K | 1266 | 1534 | 183 |
電離能/kJ·mol-1 | I1 | I2 | I3 | I4 |
A | 578 | 1817 | 2745 | 11578 |
B | 738 | 1451 | 7733 | 10540 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
(16分)等電子原理的基本觀點是:原子數(shù)相同且價電子總數(shù)相等的分子或離子具有相同的化學鍵類型和空間構型,互稱為等電子體。等電子體的結構相似,物理性質相近。如:N2、CO與C22-、CN-為等電子體。
(1)已知CaC2為離子化合物,則CaC2的電子式為 。
(2)聚丙烯腈俗稱人造羊毛,由丙烯腈分子CH2=CH—CN經(jīng)聚合反應生成;則CH2=CH—CN中C原子的雜化方式為 ;分子中σ鍵和π鍵數(shù)之比為 。
(3)CO常與過渡金屬原子M形成配合物M(CO)n ,其中滿足中心原子價電子數(shù)與配位體提供電子總數(shù)之和為18,若M為Fe,則n= 。
(4)CO與N2的結構相似,分子中含有共價三鍵,可表示為C≡O ;下表是兩者的鍵能數(shù)據(jù)(單位:kJ·mol-1)
| C-O | C=O | C≡O |
CO | 357.7 | 798.9 | 1071.9 |
| N-N | N=N | N≡N |
N2 | 154.8 | 418.4 | 941.7 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
(8分)A、B、C、D、E、F為原子序數(shù)依次增大的短周期元素,B、C相鄰且同周期,A、D同主族。C原子最外層電子數(shù)是核外電子層數(shù)的3倍,A、C能形成兩種化合物甲和乙,原子個數(shù)比分別為2∶1和1∶1,甲為常見的溶劑。E是地殼中含量最多的金屬元素;F元素為同周期電負性最大的元素。D和F可形成化合物丙,E和F可形成化合物丁。G為第四周期未成對電子數(shù)最多的元素。請回答下列問題:
(1)寫出G基態(tài)原子的價電子排布式 。
(2) B和C比較,第一電離能較大的是 (填元素符號),其原因為 。
(3)甲、乙兩分子的中心原子的雜化類型是否相同 (相同、不相同)。
(4)已知化合物丁熔點190℃,沸點183℃。丙和丁比較,熔點較高的是 (填化學式),
(5)配合物戊由G3+與甲、元素F構成,已知該配合物的配位數(shù)為6。在含有0.1mol戊的溶液中加入AgNO3溶液至過量,經(jīng)過濾、洗滌、干燥后,得到28.7g白色沉淀。,則戊的化學式為 。
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
(15分) 已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前四周期元素,它們原子序數(shù)的大小關系為A<C<B<D<E。又知A原子的p軌道為半充滿,其形成的簡單氫化物的沸點是同主族非金屬元素的氫化物中最高的。D原子得到一個電子后其3p軌道將全充滿。B+離子比D原子形成的離子少一個電子層。C與B可形成BC型的離子化合物。E的原子序數(shù)為29。
請回答下列問題:
(1) 元素A簡單氫化物中A原子的雜化類型是 ,B、C、D的電負性由小到大的順序為
__ (用所對應的元素符號表示)。C的氣態(tài)氫化物易溶于水的原因是 。
(2)E原子的基態(tài)電子排布式為 。元素E的單質晶體在不同溫度下可有兩種堆積方式,晶胞分別如右圖a和b所示,則其面心立方堆積的晶胞與體心立方堆積的晶胞中實際含有的E原子的個數(shù)之比為 。
(3)實驗證明:KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結構與NaCl晶體結構相似(如圖所示),其中3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表:
離子晶體 | NaCl | KCl | CaO |
晶格能/kJ·mol-1 | 786 | 715 | 3401 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
【化學—--選修3:物質結構與性質】(15分)
金屬銅與金屬錳及其化合物在工業(yè)上有著廣泛的應用:
(1)Cu2+的外圍電子排布圖可表示為 ;
(2)Mn基態(tài)原子核外處在能量最高的能級上的電子共有 種不同的運動狀態(tài);
(3)在銅錳氧化物的催化下,空氣中CO被氧化成CO2,HCHO被氧化成CO2和H2O
① N3-和CO2是等電子體,則N3-的結構式為 ;
② HCHO分子中C原子軌道的雜化類型為 ;
(4)向CuSO4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-。不考慮空間構型,[Cu(OH)4]2-的結構可用示意圖表示為 ;
(5) 用晶體的x射線衍射法可以測得阿伏加德羅常數(shù)。對金屬銅的測定得到以下結果:晶胞為面心立方最密堆積,邊長為361pm(提示:3.613=47.05),又知銅的密度為9.00g·cm-3,則銅晶胞的質量是
g(保留兩位小數(shù));阿伏加德羅常數(shù)為 (列式計算,保留兩位小數(shù))。
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
《物質結構與性質》
A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素,元素A原子最外層電子數(shù)比內層多3個,元素B基態(tài)原子核外有2個未成對電子,元素C的最高價和最低價代數(shù)和等于0,元素D位于周期表ⅥB族。
⑴判斷離子AB2-離子的空間構型為 。
⑵元素A、C形成的化合物熔點很高,但比B、C形成的化合物熔點低,其原因是 。
⑶在A的氫化物(A2H4)分子中,A原子軌道的雜化類型是 。
⑷元素B與D形成的一種化合物廣泛應用于錄音磁帶上,其晶胞如圖所示。該化合物的化學式為 。
⑸向D的氯化物DCl3溶液中滴加氨水可形成配合物[D(NH3)3(H2O)Cl2]Cl。
①離子D3+的外圍電子排布式為 。
②1 mol該配合物中含配位鍵的數(shù)目為 。
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
[化學—選修3物質結構與性質](15分)
鹵族元素的單質和化合物很多,我們可以利用所學物質結構與性質的相關知識去認識和理解它們。
(1)鹵族元素位于周期表的_________區(qū);溴的價電子排布式為____________________。
(2)在不太稀的溶液中,氫氟酸是以二分子締合(HF)2形式存在的。使氫氟酸分子締合的作用力是________。
(3)請根據(jù)下表提供的第一電離能數(shù)據(jù)判斷:最有可能生成較穩(wěn)定的單核陽離子的鹵素原子是_________。
| 氟 | 氯 | 溴 | 碘 | 鈹 |
第一電離能 (kJ/mol) | 1681 | 1251 | 1140 | 1008 | 900 |
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:填空題
[物質結構與性質,13分]
(1)與銅同周期、基態(tài)原子最外層電子數(shù)相同的過渡元素,其基態(tài)原子的電子排布式 。
(2)下圖曲線表示部分短周期元素的原子序數(shù)(按遞增順序排列)和其常見單質沸點的關系。其中A點表示的單質是 (填化學式)。
鍵長/(pm) | B—F | B—Cl | B—Br |
計算值 | 152 | 187 | 199 |
實測值 | 130 | 175 | 187 |
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com