太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu⁺）基態(tài)時的電子排布式為                         ；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為          （用元素符號表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點加以解釋              ；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物，如BF₃能與NH₃反應生成BF₃·NH₃。 BF₃·NH₃中B原子的雜化軌道類型為    ，B與N之間形成     鍵；
（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為         。

硼元素B在化學中有很重要的地位。硼的化合物在農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、玻璃等方面用途很廣。請回答下列問題：
(1)寫出與B元素同主族的Ga元素的基態(tài)原子核外電子排布式_________________。從原子結(jié)構(gòu)的角度分析，B、N、O元素的第一電離能由大到小的順序為___________。
(2)立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成，屬于超硬材料。同屬原子晶體的氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性的原因是_____________________________。
(3)在BF₃分子中中心原子的雜化軌道類型是__________，SiF₄微粒的空間構(gòu)型是__________。又知若有d軌道參與雜化，能大大提高中心原子成鍵能力。試解釋為什么BF₃、SiF₄水解的產(chǎn)物中，除了相應的酸外，前者生成BF₄^一后者卻是生成SiF₆^2—：______________________________________________。
(4)科學家發(fā)現(xiàn)硼化鎂在39K時呈超導性，在硼化鎂晶體的理想模型中，鎂原子和硼原子是分層排布的，一層鎂一層硼相間排列。下圖是該晶體微觀空間中取出的部分原子沿Z軸方向的投影，白球是鎂原子投影，黑球是硼原子投影，圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。根據(jù)圖示確定硼化鎂的化學式為_______。

從原子、分子水平上幫助我們認識物質(zhì)構(gòu)成的規(guī)律；以微粒之間不同的作用力為線索，研究不同類型物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)；從物質(zhì)結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的視角預測物質(zhì)的有關(guān)性質(zhì)。

（1）下列說法正確的是                  （填序號）。

A、B、D、E、G、M代表六種常見元素，它們的核電荷數(shù)依次增大。其中，元素M的基態(tài)3d軌道上有2個電子，A的基態(tài)原子L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，E的簡單離子在同周期元素的簡單離子中半徑最小，D、G同主族；B與D形成的化合物有多種，其中一種是紅棕色氣體。
（1）M的基態(tài)原子價層電子排布式為_____,元素B、D、G的第一電離能由大到時小的順序是_____ (用元素符號表示)。
（2）用價層電子對互斥理論預測，GD₃^2－的立體構(gòu)型是_____ (用文字表述)
（3）M與D形成的一種橙紅色晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其化學式為_____ (用元素符號表示)。

（4）已知化合物EB結(jié)構(gòu)與單晶硅相似，該物質(zhì)可由E 的氯化物與NaB₃在高溫下反應制得，且生成單質(zhì)B₂，該反應化學方程式為_____，若有8.4gB₂生成，則轉(zhuǎn)移電子數(shù)為_____。

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO₂等電子的化合物         。
（2）把Na₂O、SiO₂、P₂O₅三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。
（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ；
（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H₂Se的沸點：-41.1℃ ，H₂S的沸點：-60.4℃，引起兩者沸點差異的主要原因是         ；
（5）SO₃^2-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ；
（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，
則該氧化物的化學式為         。

某配位化合物為深藍色晶體，由原子序數(shù)由小到大的A、B、C、D、E五種元素構(gòu)成，其原子個數(shù)比為14:4:5:1:1。其中C、D元素同主族且原子序數(shù)D為C的二倍，E元素的外圍電子排布為（n－l）dⁿ⁺⁶ns^l，回答下列問題。
（1）該配位化合物的化學式為____      。元素B、C、D的第一電離能由大到小的排列順序為          。 （用元素符號表示）
（2）D元素原子的最外層電子排布圖為                。DC₄^2－的立體構(gòu)型為____     。
（3）A元素與E元素可形成一種紅色化合物，其晶體結(jié)構(gòu)單元如圖。則該化合物的化學式為          該化合物可在氯氣中燃燒，生成一種棕黃色固體和一種氣體，寫出該反應的化學方程式                 。

 

傳統(tǒng)中藥的砷劑俗稱“砒霜”，請回答下列問題：
（1）砷劑的分子結(jié)構(gòu)如圖所示。該化合物中As原子的雜化方式為______。

（2）基態(tài)砷原子的價層電子排布式為___________________，砷與硒的第一電離能較大的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
（3）已知：

依據(jù)表中數(shù)據(jù)解釋NH₃熔點最高的原因____________________。
（4）砷酸（H₃AsO₄）是一種三元中強酸，根據(jù)價層電子對互斥理論推測AsO₄^3-的空間構(gòu)型為____________________。
（5）砷鎳合金的晶胞如圖所示，該晶體中與每個Ni原子距離最近的As原子有______個。

硒是一種非金屬，可以用作光敏材料、電解錳行業(yè)催化劑。
（l）Se是元素周期表中第34號元素，其基態(tài)原子的核外電子排布式為        。
（2）根據(jù)價層電子對互斥理論，可以推知SeO₃的分子空間構(gòu)型為       ，其中Se原子采用的軌道雜化形式為        。
（3）CSe₂與CO₂結(jié)構(gòu)相似，CSe₂分子內(nèi)σ鍵與π鍵個數(shù)之比為     。CSe₂首次是由H₂Se與CCl₄反應后制取的，CSe₂分子內(nèi)的Se—C—Se鍵角    （填“大于”，“等于”或“小于”）H₂Se分子內(nèi)的H—Se—H鍵角。
（4）硒化銣晶體屬于反螢石型結(jié)構(gòu)，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。每個晶胞中包含    個Rb₂Se單元，其中Se^2-周圍與它距離最近且相等的Rb⁺的離子數(shù)目為      。

已知尿素的結(jié)構(gòu)式為： 尿素可用于制有機鐵肥，主要代表物有三硝酸六尿素合鐵（Ⅲ），化學式為［Fe（H₂NCONH₂）₆］（NO₃）₃。
（1）基態(tài)Fe³⁺的核外電子排布式為                ；C、N、O三種元素的第一電離能由大到小的順序是         。
（2）尿素分子中N原子的雜化方式是         。
（3）NH⁺₄中H—N—H鍵角比NH₃中H—N—H鍵角大，原因為             。
（4）CO₂和NH₃是工業(yè)上制備尿素的重要原料，固態(tài)CO₂（干冰）的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示。

①1個CO₂分子周圍等距離且距離最近的CO₂分子有          個。
②NaCl晶胞也為面心立方結(jié)構(gòu)，已知NaCl晶體密度為 g·cm^-3，N_A表示阿伏加德羅常數(shù)，則NaCl晶胞體積為      cm³

Ⅰ.自從英國化學家巴特列（N.Bartlett）首次合成了第一個稀有氣體的化合物XePtF₆以來，人們又相繼發(fā)現(xiàn)了氙的一系列化合物，如XeF₂、XeF₄等。巴特列為開拓稀有氣體化學作出了歷史性貢獻。
（1）請根據(jù)XeF₄的結(jié)構(gòu)示意圖（圖1）判斷這個分子是極性分子還是非極性分子？____________________。
（2）XeF₂晶體是一種無色晶體，圖2為它的晶胞結(jié)構(gòu)圖。XeF₂晶體屬于哪種類型的晶體？__________________。

Ⅱ.已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點數(shù)據(jù)如下表：