Question

圖是用同位素35S、32P分別標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)、DNA，并與細(xì)菌混合培養(yǎng)、離心過(guò)程的示意圖．下列敘述正確的是（　�。�

• A、用35S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后沉淀物放射性很高，上清液放射性低
• B、用32P標(biāo)記噬菌體DNA，離心后上清液中可能有放射性
• C、用35S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后上清液繼續(xù)培養(yǎng)，放射性增強(qiáng)
• D、用32P標(biāo)記噬菌體DNA，離心后沉淀物繼續(xù)培養(yǎng)，放射性增強(qiáng)

Answer 1

考點(diǎn)：噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)

專題：

分析：噬菌體侵染細(xì)菌過(guò)程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放．T₂噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用³⁵S或³²P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測(cè)上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)．結(jié)論：DNA是遺傳物質(zhì)．

解答： 解：A、用³⁵S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后蛋白質(zhì)分布到上清液中，所以沉淀物放射性很低，上清液放射性高，故A錯(cuò)誤；
B、用³²P標(biāo)記噬菌體DNA，噬菌體侵染細(xì)菌時(shí)，DNA進(jìn)入細(xì)菌，離心隨細(xì)菌到沉淀物中，但若培養(yǎng)的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，細(xì)菌裂解，子代噬菌體釋放，也會(huì)導(dǎo)致上清液中含有少量的放射性，故B正確；
C、用³⁵S標(biāo)記噬菌體蛋白質(zhì)，離心后蛋白質(zhì)分布到上清液中，細(xì)菌分布到沉淀物中，上清液繼續(xù)培養(yǎng)，放射性仍然很低，故C錯(cuò)誤；
D、用³²P標(biāo)記噬菌體DNA，噬菌體侵染細(xì)菌時(shí)，DNA進(jìn)入細(xì)菌，離心隨細(xì)菌到沉淀物中，離心后沉淀物繼續(xù)培養(yǎng)，細(xì)菌裂解，子代噬菌體釋放，導(dǎo)致放射性減少，故D錯(cuò)誤．
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)，意在考查考生識(shí)圖能力和識(shí)記能力；能理解所學(xué)知識(shí)要點(diǎn)，把握知識(shí)間內(nèi)在聯(lián)系的能力；能運(yùn)用所學(xué)知識(shí)，對(duì)生物學(xué)問(wèn)題作出準(zhǔn)確的判斷和得出正確的結(jié)論．