Question

【題目】在“噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)”中，若用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌后混合保溫培養(yǎng)，下列曲線中能表示隨保溫時(shí)間的延長，離心后沉淀物中放射性變化趨勢(shì)的是：（　�。�

A.B.

C.D.

Answer 1

【答案】C

【解析】

1、T2噬菌體侵染細(xì)菌的過程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放。
2、T2噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用35S或32P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測(cè)上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)．該實(shí)驗(yàn)的結(jié)論：DNA是遺傳物質(zhì)。

1、用32P標(biāo)記噬菌體的DNA，侵染大腸桿菌后，隨著時(shí)間的延長，親代噬菌體注入DNA，使得離心后沉淀物（被侵染的大腸桿菌）放射性增加。
2、如果保溫時(shí)間長，被侵染的大腸桿菌破裂，子代噬菌體釋放，沉淀物中放射性強(qiáng)度降低。
故選C。