A、設(shè)線框下落的高度是h,線框做自由落體運(yùn)動(dòng),線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v
2=2gh,v=
,兩線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度相等,
線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)受到的安培力F=BIL=B
L=
,A進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)做勻速直線運(yùn)動(dòng),則
=mg,A的邊長(zhǎng)是B的二倍,A的電阻是B的4倍,
兩線框的速度相等,由
可知,B受到的安培力等于A受到的安培力;導(dǎo)線截面積相同,A的邊長(zhǎng)是B的二倍,A的密度是B的
,則A與B的質(zhì)量相等,
B受到的重力與A的重力相等,所在B進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),受到的拿破侖等于重力,B受到的合力為零,B做勻速直線運(yùn)動(dòng),故A正確;
B、線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的感應(yīng)電流I=
=
,A的邊長(zhǎng)是B的二倍,A的電阻是B的4倍,進(jìn)入磁場(chǎng)后,A、B中感應(yīng)電流強(qiáng)度之比是1:2,故B錯(cuò)誤;
C、感應(yīng)電荷量Q=It=
×
=
,A的邊長(zhǎng)是B的二倍,A的電阻是B的4倍,二框全部進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,通過(guò)截面的電量相等,故C正確;
D、消耗的電能W=I
2Rt=(
)
2×R×
=
,v與B相同,A的邊長(zhǎng)是B的二倍,A的電阻是B的4倍,二框全部進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,消耗的電能之比為2:1,故D錯(cuò)誤;
故選AC.