如圖是測(cè)量帶電粒子質(zhì)量的儀器工作原理示意圖。設(shè)法使某有機(jī)化合物的氣態(tài)分子導(dǎo)入圖中所示的容器A中,使它受到電子束轟擊,失去一個(gè)電子變成正一價(jià)的分子離子。分子離子從狹縫s1以很小的速度進(jìn)入電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)(初速不計(jì)),加速后,再通過(guò)狹縫s2、s3射入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直于磁場(chǎng)區(qū)的界面PQ。最后,分子離子打到感光片上,形成垂直于紙面而且平行于狹縫s3的細(xì)線。若測(cè)得細(xì)線到狹縫s3的距離為d,試導(dǎo)出分子離子的質(zhì)量m的表達(dá)式。
解:以m、q表示離子的質(zhì)量電量,以v表示離子從狹縫s2射出時(shí)的速度,由功能關(guān)系可得
 ①

射入磁場(chǎng)后,在洛侖茲力作用下做圓周運(yùn)動(dòng),由牛頓定律可得
  ②
式中R為圓的半徑。感光片上的細(xì)黑線到s3縫的距離d=2R  ③
解得 ④
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2009?遵義模擬)質(zhì)譜儀是測(cè)量帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的重要工具.如圖所示為質(zhì)譜儀的原理示意圖.現(xiàn)利用這種質(zhì)譜議對(duì)氫元素進(jìn)行測(cè)量.氫元素的各種同位素從容器A下方的小孔S,無(wú)初速度飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng).加速后垂直進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.氫的三種同位素最后打在照相底片D上,形成a、b、c三條”質(zhì)譜線”.關(guān)于三種同位素進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的排列順序,和a、b、c三條“質(zhì)譜線”的排列順序,下列判斷正確的是( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

質(zhì)譜儀是測(cè)量帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的重要工具.如圖所示為一種質(zhì)譜儀的示意圖.已知離子的質(zhì)量為m,帶電量為q,重力不計(jì).速度選擇器其中電場(chǎng)強(qiáng)度為E,勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1
(1)為了使離子從靜止開(kāi)始經(jīng)加速電場(chǎng)后沿直線穿過(guò)速度選擇器,加速電壓U應(yīng)多大?
(2)離子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域B2后,要使離子打在乳膠底片上的位置距離射入點(diǎn)O的距離為L(zhǎng),B2應(yīng)為多大?
(3)離子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域B2中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間多長(zhǎng)?

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質(zhì)譜儀是測(cè)量帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的重要工具.如圖所示為質(zhì)譜儀的原理示意圖.現(xiàn)利用這種質(zhì)譜儀對(duì)氫元素進(jìn)行測(cè)量.氫元素的各種同位素從容器A下方的小孔S無(wú)初速度飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng).加速后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.氫的三種同位素氕、氘、氚的電量之比為1:1:1,質(zhì)量之比為1:2:3,它們最后打在照相底片D上,形成a、b、c三條“質(zhì)譜線”.關(guān)于三種同位素進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度大小的排列順序和a、b、c三條“質(zhì)譜線”的排列順序,下列判斷正確的是( 。

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質(zhì)譜儀是測(cè)量帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的重要工具.如圖所示為質(zhì)譜儀的原理示意圖.現(xiàn)利用這種質(zhì)譜議對(duì)氫元素進(jìn)行測(cè)量.氫元素的各種同位素從容器A下方的小孔S無(wú)初速度飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng).加速后垂直進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.氫的三種同位素最后打在照相底片D上,形成a,b,c三條“質(zhì)譜線”.關(guān)于三種同位素進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度的排列順序以及a,b,c三條“質(zhì)譜線”的排列順序,下列判斷正確的是( 。

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(2010?黑龍江模擬)(按題目要求作答,寫(xiě)出必要的文字說(shuō)明、方程和式重要演算步驟,只寫(xiě)出最后答案不得分)質(zhì)譜儀是一種十分精密的儀器,是測(cè)量帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的重要工具.其基本結(jié)構(gòu)如圖所示,MIV是磁場(chǎng)邊界.質(zhì)量為m電荷量為q的帶電粒子,經(jīng)電勢(shì)差為U的電場(chǎng)加速后,從0點(diǎn)垂直MN邊界進(jìn)人磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),速度方向與磁場(chǎng)方向垂直.最后打在MN邊界上的P點(diǎn).設(shè)帶電粒子進(jìn)入電場(chǎng)時(shí)的初速度為零且所受重力不計(jì).
(1)試判斷該粒子帶何種電荷.
(2)求粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速率. 
(3)求OP間的距離.

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