(8分)運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度,實驗步驟如下:

Ⅰ.取適量小晶體,用天平測出其質(zhì)量,然后將小晶體裝入注射器內(nèi);

Ⅱ.緩慢推動活塞至某一位置,記錄活塞所在位置的容積刻度V1通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P1

Ⅲ.重復步驟Ⅱ,記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強P2;

Ⅳ.處理記錄的數(shù)據(jù),算出小晶體的密度.

(1)為了減小實驗誤差,現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù).按此要求,右邊方格圖的縱坐標應(yīng)標明的物理量是_____________,橫坐標則應(yīng)標明_____________,根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應(yīng)圖線;

(2)如果圖線的斜率用k表示,則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為:v0=__________________;

(3)實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg,則小晶體的密度大小為________kg/m3

 

(1)V  ( 圖略   (4分)

(2)Vk/p   (2分)        (3)2.16×103   (2分)

解析:

 

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中物理 來源: 題型:

運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度,實驗步驟如下:
Ⅰ.取適量小晶體,用天平測出其質(zhì)量,然后將小晶體裝入注射器內(nèi);
Ⅱ.緩慢推動活塞至某一位置,記錄活塞所在位置的容積刻度V1,通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P1;
Ⅲ.重復步驟Ⅱ,記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強P2;
Ⅳ.處理記錄的數(shù)據(jù),算出小晶體的密度.
測量
次數(shù)
物理量
1 2 3 4
P/105Pa 0.77 1.00 1.33 1.82
V/10-5m3 1.20 1.00 0.85 0.65
(1)為了減小實驗誤差,現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù).按此要求,右邊方格圖的縱坐標應(yīng)標明的物理量是
 
,橫坐標則應(yīng)標明
 
,根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖2中畫出相應(yīng)圖線;
(2)如果圖線的斜率用k表示,則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為:v0=
 
;
(3)實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg,則小晶體的密度大小為
 
kg/m3
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科目:高中物理 來源: 題型:

運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度,實驗步驟如下:

Ⅰ.取適量小晶體,用天平測出其質(zhì)量,然后將小晶體裝入注射器內(nèi);

Ⅱ.緩慢推動活塞至某一位置,記錄活塞所在位置的容積刻度V1,通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P1;

Ⅲ.重復步驟Ⅱ,記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強P2;

Ⅳ.處理記錄的數(shù)據(jù),算出小晶體的密度.

(1)為了減小實驗誤差,現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù).按此要求,右邊方格圖的縱坐標應(yīng)標明的物理量是_____________,橫坐標則應(yīng)標明_____________,根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應(yīng)圖線;

(2)如果圖線的斜率用k表示,則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為:v0=__________________;

(3)實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg,則小晶體的密度大小為________kg/m3

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科目:高中物理 來源:上海市長寧區(qū)2010屆高三下學期質(zhì)量抽測(二模)物理試卷 題型:實驗題

(8分)運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度,實驗步驟如下:
Ⅰ.取適量小晶體,用天平測出其質(zhì)量,然后將小晶體裝入注射器內(nèi);
Ⅱ.緩慢推動活塞至某一位置,記錄活塞所在位置的容積刻度V1,通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P1;
Ⅲ.重復步驟Ⅱ,記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強P2
Ⅳ.處理記錄的數(shù)據(jù),算出小晶體的密度.

(1)為了減小實驗誤差,現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù).按此要求,右邊方格圖的縱坐標應(yīng)標明的物理量是_____________,橫坐標則應(yīng)標明_____________,根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應(yīng)圖線;

(2)如果圖線的斜率用k表示,則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強P的關(guān)系表達式為:v0=__________________;
(3)實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg,則小晶體的密度大小為________kg/m3

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科目:高中物理 來源:上海市長寧區(qū)2010屆高三下學期質(zhì)量抽測(二模)物理試卷 題型:實驗題

(8分)運用玻意耳定律可以測量小晶體的密度,實驗步驟如下:

Ⅰ.取適量小晶體,用天平測出其質(zhì)量,然后將小晶體裝入注射器內(nèi);

Ⅱ.緩慢推動活塞至某一位置,記錄活塞所在位置的容積刻度V1通過壓強傳感器、數(shù)據(jù)采集器從計算機上讀取此時氣體的壓強P1;

Ⅲ.重復步驟Ⅱ,記錄活塞在另一位置的容積刻度V2和讀取相應(yīng)的氣體的壓強P2;

Ⅳ.處理記錄的數(shù)據(jù),算出小晶體的密度.

(1)為了減小實驗誤差,現(xiàn)采用作直線圖線的方法來處理表格中的實驗數(shù)據(jù).按此要求,右邊方格圖的縱坐標應(yīng)標明的物理量是_____________,橫坐標則應(yīng)標明_____________,根據(jù)表格數(shù)據(jù)在方格圖中畫出相應(yīng)圖線;

(2)如果圖線的斜率用k表示,則注射器內(nèi)小晶體的體積v0與容積刻度V、氣體的壓強P 的關(guān)系表達式為:v0=__________________;

(3)實驗測得這些小晶體的質(zhì)量為6.48×10-3kg,則小晶體的密度大小為________kg/m3

 

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