【題目】如圖所示,在的區(qū)域內(nèi)沿存在與xoy平面垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,方向垂直紙面向里,假設(shè)一系列質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子初速度為零,經(jīng)過加速電場(chǎng)加速后從O點(diǎn)沿Ox軸正方向進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,有一塊厚度不計(jì)、高度為d的金屬板豎直放置在磁場(chǎng)中,截面如圖,M、N分別為金屬板截面的上、下端點(diǎn),M點(diǎn)的坐標(biāo)為d、2d,N點(diǎn)的坐標(biāo)為d、d。不計(jì)正離子的重力。

1加速電場(chǎng)的電壓在什么范圍內(nèi),進(jìn)入磁場(chǎng)的粒子才能全部打在金屬板上?

2求打在金屬板上的離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最短時(shí)間與最長(zhǎng)時(shí)間的比值sin37°=06,cos37°=08

【答案】12

【解析】

試題分析:1設(shè)加速電壓為U,正離子初速度為零,經(jīng)過加速電場(chǎng)加速,根據(jù)動(dòng)能定理得:

正離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力:,

當(dāng)加速電壓較小時(shí),離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑較小,當(dāng)離子恰好打到金屬板下端點(diǎn)N點(diǎn)時(shí),圓周運(yùn)動(dòng)的半徑最小為,如圖1

根據(jù)幾何知識(shí)可以判斷,故:

當(dāng)加速電壓較大時(shí),離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑較大,當(dāng)離子恰好打到金屬板上端點(diǎn)M點(diǎn)時(shí),圓周運(yùn)動(dòng)的半徑最大為,如圖2

根據(jù)幾何知識(shí)判斷:,解得

所以

所以離子能全部打在金屬板上,加速電壓的取值范圍為:

2設(shè)離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期為T,根據(jù)圓周運(yùn)動(dòng)規(guī)律得:

,聯(lián)立①②解得

離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期與加速電壓無關(guān)

離子在圖1中所示的軌跡中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最短為

離子在圖2所示的軌跡中運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長(zhǎng)為:

根據(jù)幾何知識(shí):,則:

所以

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【題目】第一宇宙速度的數(shù)值是_______ km/s,是衛(wèi)星發(fā)射的________(填最大或最小)速度,是衛(wèi)星環(huán)繞的________(填最大或最。┧俣;

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(1)有多少其他形式的能轉(zhuǎn)化為電能?

(2)外電路中有多少電能轉(zhuǎn)化為其他形式的能?

(3)內(nèi)電路中有多少電能轉(zhuǎn)化為其他形式的能?

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A. 勻速直線運(yùn)動(dòng)的速度-時(shí)間圖象是一條與時(shí)間軸平行的直線

B. 勻速直線運(yùn)動(dòng)的速度-時(shí)間圖象是一條傾斜的直線

C. 勻變速直線運(yùn)動(dòng)的速度-時(shí)間圖象是一條與時(shí)間軸平行的直線

D. 非勻變速直線運(yùn)動(dòng)的速度-時(shí)間圖象是一條傾斜的直線

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【題目】裝修工人在搬運(yùn)材料時(shí)施加一個(gè)水平拉力將其從水平臺(tái)面上拖出,如圖所示,則在勻加速拖出的過程中(

A.材料與平臺(tái)之間的接觸面積逐漸減小,摩擦力逐漸減小

B.材料與平臺(tái)之間的相對(duì)速度逐漸增大,摩擦力逐漸增大

C.平臺(tái)對(duì)材料的支持力逐漸減小,摩擦力逐漸減小

D.材料與平臺(tái)之間的動(dòng)摩擦因數(shù)不變,支持力也不變,因而工人拉力也不變

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【題目】把電流表改裝成電壓表時(shí),下列說法正確的是

A.改裝的原理是并聯(lián)電阻有分流作用

B.改裝成電壓表后,原電流表本身允許通過的最大電流值也隨著變大了

C.改裝后原電流表自身的電阻也增大了

D.改裝后使用時(shí),加在原電流表兩端的電壓的最大值不變

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【題目】下列說法正確的是_________

A小草上的露珠呈球形的主要原因是液體存在表面張力

B液體分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)稱為布朗運(yùn)動(dòng)

C熱量不可能從低溫物體傳到高溫物體

D分子間的距離增大時(shí),分子勢(shì)能可能減小

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【題目】圖中裝置可用來探究物塊的運(yùn)動(dòng)情況,細(xì)線平行于桌面,遮光片的寬度為d,兩光電門之間的距離為s,讓物塊從光電門A的左側(cè)由靜止釋放,分別測(cè)出遮光片通過光電門A、B所用的時(shí)間為tAtB,用遮光片通過光電門的平均速度表示遮光片豎直中線通過光電門的瞬時(shí)速度。

1)利用實(shí)驗(yàn)中測(cè)出的物理量符號(hào),寫出物塊運(yùn)動(dòng)的加速度a= 。

2)遮光片通過光電門的平均速度 (選填大于、等于小于)遮光片豎直中線通過光電門的瞬時(shí)速度,由此會(huì)產(chǎn)生誤差,請(qǐng)寫出一種減小這一誤差的方法。答: 。

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1金屬桿CD向上、向下兩次經(jīng)過位置時(shí)的速度之比;

2金屬桿CD向上運(yùn)動(dòng)經(jīng)過剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的加速度大。

3金屬桿CD向上,向下兩次經(jīng)過磁場(chǎng)區(qū)域的過程中定值電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱之比。

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