(12分) 如圖所示,間距l(xiāng)=0.3 m的平行金屬導軌a1b1c1和a2b2c2分別固定在兩個豎直面內(nèi).在水平面a1b1b2a2區(qū)域內(nèi)和傾角θ=37°的斜面c1b1b2c2區(qū)域內(nèi)分別有磁感應強度B1=0.4 T,方向豎直向上和B2=1 T、方向垂直于斜面向上的勻強磁場.電阻R=0.3 Ω、質(zhì)量m1=0.1 kg、長為l的相同導體桿K、S、Q分別放置在導軌上,S桿的兩端固定在b1、b2點,K、Q桿可沿導軌無摩擦滑動且始終接觸良好.一端系于K桿中點的輕繩平行于導軌繞過輕質(zhì)定滑輪自然下垂,繩上穿有質(zhì)量m2=0.05 kg的小環(huán).已知小環(huán)以a=6 m/s2的加速度沿繩下滑,K桿保持靜止,Q桿在垂直于桿且沿斜面向下的拉力F作用下勻速運動.不計導軌電阻和滑輪摩擦,繩不可伸長.取g=10 m/s2,sin 37°=0.6,cos 37°=0.8.
求(1)小環(huán)所受摩擦力的大;
(2)Q桿所受拉力的瞬時功率.
(1)0.2 N (2)2 W
【解析】
試題分析:(1)以小環(huán)為研究對象,在環(huán)沿繩下滑過程中,受重力m2g和繩向上的摩擦力f,由牛頓第二定律知m2g-f=m2a.
代入數(shù)據(jù)解得f=m2(g-a)=0.05×(10-6) N=0.2 N.
(2)根據(jù)牛頓第二定律知,小環(huán)下滑過程中對繩的反作用力大小f′=f=0.2 N,所以繩上的張力FT=0.2 N.設導體棒K中的電流為IK,則它所受安培力FK=B1IKl,對導體棒K,由平衡條件知FT=FK,所以電流IK= A.
因為導體棒Q運動切割磁感線而產(chǎn)生電動勢,相當于電源.等效電路如圖所示,因K、S、Q相同,所以導體棒Q中的電流IQ=2IK= A
設導體棒Q運動的速度大小為v,則E=B2lv
由閉合電路的歐姆定律知IQ=
解得v=5 m/s
導體棒Q沿導軌向下勻速下滑過程中,受安培力FQ=B2IQl
由平衡條件知F+m1gsin 37°=FQ
代入數(shù)據(jù)解得F=0.4 N
所以Q桿所受拉力的瞬時功率
P=F·v=0.4×5 W=2 W.
考點:本題考查了電磁綜合應用
點評:此題是電磁感應、運動學和能量的綜合運用,考查同學們的綜合分析解答能力,對學生的要求較高,此類題目屬難度較大的壓軸題,對于高考中能否得高分至關重要,在學習中需要多作練習.
科目:高中物理 來源: 題型:
(2011·四川理綜)如圖所示,間距l=0.3 m的平行金屬導軌a1b1c1和a2b2c2分別固定在兩個豎直面內(nèi).在水平面a1b1b2a2區(qū)域內(nèi)和傾角θ=37°的斜面c1b1b2c2區(qū)域內(nèi)分別有磁感應強度B1=0.4 T、方向豎直向上和B2=1 T、方向垂直于斜面向上的勻強磁場.電阻R=0.3 Ω、質(zhì)量m1=0.1 kg、長為l的相同導體桿K、S、Q分別放置在導軌上,S桿的兩端固定在b1、b2點,K、Q桿可沿導軌無摩擦滑動且始終接觸良好.一端系于K桿中點的輕繩平行于導軌繞過輕質(zhì)定滑輪自然下垂,繩上穿有質(zhì)量m2=0.05 kg的小環(huán).已知小環(huán)以a=6 m/s2的加速度沿繩下滑,K桿保持靜止,Q桿在垂直于桿且沿斜面向下的拉力F作用下勻速運動.不計導軌電阻和滑輪摩擦,繩不可伸長.取g=10 m/s2,sin37 °=0.6,cos 37°=0.8.求:
(1)小環(huán)所受摩擦力的大;
(2)Q桿所受拉力的瞬時功率.
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強磁場的磁感應強度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時由靜止釋放,并同時在甲金屬桿上施加一個沿著導軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導軌勻加速運動,已知乙金屬桿剛進入磁場時做勻速運動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運動的時間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運動過程中安培力的功率是0.1W
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科目:高中物理 來源:2013屆山東省濰坊市高三3月第一次模擬考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強磁場的磁感應強度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時由靜止釋放,并同時在甲金屬桿上施加一個沿著導軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導軌勻加速運動,已知乙金屬桿剛進入磁場時做勻速運動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016 |
B.甲金屬桿在磁場中運動的時間是0.4s |
C.甲金屬桿在磁場中運動過程中F的功率逐漸增大 |
D.乙金屬桿在磁場中運動過程中安培力的功率是0.1W |
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年山東省濰坊市高三3月第一次模擬考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,間距l(xiāng)=0.4m的光滑平行金屬導軌與水平面夾角=30°,正方形區(qū)域abcd內(nèi)勻強磁場的磁感應強度B=0.2T,方向垂直于斜面.甲乙兩金屬桿電阻R相同、質(zhì)量均為m=0.02kg,垂直于導軌放置.起初,甲金屬桿處在磁場的上邊界ab上,乙在甲上方距甲也為l處.現(xiàn)將兩金屬桿同時由靜止釋放,并同時在甲金屬桿上施加一個沿著導軌的拉力F,使甲金屬桿始終以a=5m/s2的加速度沿導軌勻加速運動,已知乙金屬桿剛進入磁場時做勻速運動,取g=10m/s2,則
A.每根金屬桿的電阻 R=0.016
B.甲金屬桿在磁場中運動的時間是0.4s
C.甲金屬桿在磁場中運動過程中F的功率逐漸增大
D.乙金屬桿在磁場中運動過程中安培力的功率是0.1W
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