如圖所示,沿水平方向放置的平行金屬板a和b,分別與電源的正負(fù)極相連。a,b板的中央沿豎直方向各有一個小孔,帶正電的液滴從小孔的正上方P點由靜止自由落下,先后穿過兩個小孔后速度為v1,現(xiàn)進(jìn)行下列操作后相同的液滴仍從P點自由落下,先后穿過兩個小孔后速度為v2.下列說法中正確的是( )
A.若電鍵K保持閉合,向下移動b板,則v2>v1
B.若電鍵K閉合一段時間后再斷開,向下移動b板,則v2>v1
C.若電鍵K保持閉合,無論向上或向下移動b板,則v2=v1
D.若電鍵K閉合一段時間再斷開,無論向上或向下移動b板,則v2<v1
科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年山西省高二10月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
兩個用相同材料制成的半徑相等的帶異種電荷的金屬小球,可看做點電荷,其中一個球的帶電量的絕對值是另一個的5倍,它們間的庫侖力大小是F,現(xiàn)將兩球接觸后再放回原處,它們間庫侖力的大小是
A. B. C. D.
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年山西省大同市高一10月考物理卷(解析版) 題型:選擇題
關(guān)于位移和路程,下列說法正確的是
A.在某一段時間內(nèi)物體運動的位移為零,則該物體一定是靜止的
B.在某一段時間內(nèi)物體運動的路程為零,則該物體一定是靜止的
C.在直線運動中,物體的位移大一定等于其路程
D.在曲線運動中,物體的位移大小可能等于路程
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年河南南陽一中高二上學(xué)期第一次月考物理卷(解析版) 題型:計算題
下面是一個示波管工作原理圖,初速度為零的電子經(jīng)電壓為U1的電場加速后垂直進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場,兩平行板間的距離為d,板長L,偏轉(zhuǎn)電壓為U2。S為屏,與極板垂直,到極板的距離也為L。已知電子電量e,電子質(zhì)量m。不計電子所受的重力。
(1)電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場的速度v0是多少?
(2)電子離開偏轉(zhuǎn)電場時的偏轉(zhuǎn)量y1為多少? (用U1、U2、d、L表示)
(3)電子到達(dá)屏S上時,它離O點的距離y是多少?(用U1、U2、d、L表示)
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科目:高中物理 來源:2016-2017學(xué)年河南南陽一中高二上學(xué)期第一次月考物理卷(解析版) 題型:選擇題
硅光電池是一種太陽能電池,具有低碳環(huán)保的優(yōu)點.如圖所示,圖線a是該電池在某光照強(qiáng)度下路端電壓U和電流I的關(guān)系圖象(電池內(nèi)阻不是常數(shù)),圖線b是某電阻R的U-I圖象.在該光照強(qiáng)度下將它們組成閉合回路時,硅光電池的內(nèi)阻為( )
A.5.5Ω B.7.0Ω C.12.0Ω D.12.5Ω
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科目:高中物理 來源:2017屆山西省臨汾市高三10月月考物理試卷(解析版) 題型:多選題
關(guān)于近代物理學(xué),下列說法正確的是 。
A.盧瑟福提出原子的核式結(jié)構(gòu)模型建立的基礎(chǔ)是湯姆遜發(fā)現(xiàn)了電子
B.一群處于能級的氫原子向低能級躍遷時能輻射出6種不同頻率的光
C.重核裂變過程生成中等質(zhì)量的核,反應(yīng)前后質(zhì)量數(shù)守恒,但質(zhì)量一定減少
D.10個放射性元素的原子核在經(jīng)一個半衰期后,一定有5個原子核發(fā)生衰變
E.在光電效應(yīng)實驗中,用同種頻率的光照射不同的金屬表面,從金屬表面逸出的光電子的最大初動能越大,這種金屬的逸出功就越小
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科目:高中物理 來源:2017屆山西省臨汾市高三10月月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,一楔形斜面體置于水平地面上,斜面的傾角為,物塊A置于斜面上,用輕彈簧、細(xì)繩跨過定滑輪與物塊B連接,彈簧軸線與斜面平行,A、B均處于靜止?fàn)顟B(tài),已知物塊A、B受到的重力分別為和,不計滑輪與細(xì)繩間的摩擦,則( )
A. 彈簧對A的拉力大小為
B. 斜面對A的支持力大小為
C. 斜面對A的摩擦力為0
D. 地面對斜面的摩擦力大小為
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科目:高中物理 來源:2017屆貴州凱里第一中學(xué)高三上模擬四考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
下面說法中正確的是_______。
A.所有晶體沿各個方向的物理性質(zhì)和化學(xué)光學(xué)性質(zhì)都相同
B.足球充足氣后很難壓縮,是因為足球內(nèi)氣體分子間斥力作用的結(jié)果
C.自然界中只要涉及熱現(xiàn)象的宏觀過程都具有方向性
D.一定質(zhì)量的理想氣體,如果壓強(qiáng)不變,體積增大,那么它一定從外界吸熱
E.一定質(zhì)量的理想氣體保持體積不變,溫度升高,單位時間內(nèi)撞擊器壁單位面積上的分子數(shù)增多
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