位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc,ab長(zhǎng)L1=1.0 m,bd長(zhǎng)L2=0.5 m,線框的質(zhì)量m=0.2 kg,電阻R=2 Ω.其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行.兩邊界間距離為H,H>L2,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0 T,方向與線框平面垂直。如圖27所示,令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界PP′的距離為h=0.7 m處自由下落.已知線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后,ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.問(wèn)從線框開(kāi)始下落,到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中,磁場(chǎng)作用于線框的安培力所做的總功為多少?(g取10 m/s2)

 

【答案】

-0.8 J

【解析】本題中重力勢(shì)能轉(zhuǎn)化為電能和動(dòng)能,而安培力做的總功使重力勢(shì)能一部分轉(zhuǎn)化為電能,電能的多少等于安培力做的功.

依題意,線框的ab邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度達(dá)到這一階段速度最大值,以v0表示這一最大速度,則有

E=BL1v0

線框中電流 I=

作用于線框上的安培力 F=BL1I=

速度達(dá)到最大值條件是 F=mg

所以v0==4 m/s.

dc邊繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,直至線框的ab邊達(dá)到磁場(chǎng)的上邊界PP′,線框保持速度v0不變,故從線框自由下落至ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中,由動(dòng)能定理得:

mg(h+L2)+W安=mv

W安=mv-mg(h+L2)=-0.8 J

ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)后,直到dc邊到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)下邊界QQ′過(guò)程中,作用于整個(gè)線框的安培力為零,安培力做功也為零,線框只在重力作用下做加速運(yùn)動(dòng),故線框從開(kāi)始下落到dc邊剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′過(guò)程中,安培力做的總功即為線框自由下落至ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中安培力所做的功

W安=-0.8 J

負(fù)號(hào)表示安培力做負(fù)功.

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc,ab長(zhǎng)L1=1.0m,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距離為H,H>L2,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域的上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落,已知在線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后,ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.試求:
(1)線框在ab邊到達(dá)PP′之前的最大速度
(2)從線框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中,磁場(chǎng)作用于
線框的安培力做的總功(取g=10m/s2

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2006?海淀區(qū)二模)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形平面單匝導(dǎo)線框abcd,其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP′水平,并與線框的ab邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直.已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框ab邊長(zhǎng)為L(zhǎng)1,ad邊長(zhǎng)為L(zhǎng)2,線框質(zhì)量為m.令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP′的高度為h處由靜止開(kāi)始下落,線框剛好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域.
(1)求線框的電阻R.
(2)求線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,通過(guò)線框?qū)Ь橫截面的電荷量q.
(3)若將線框從dc邊離磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP′的高度為H處由靜止開(kāi)始下落,當(dāng)線框的一半進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框剛好開(kāi)始勻速下落,求線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中,安培力做的總功W.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形單匝導(dǎo)線框abcd,其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP?水平且與ab邊平行,方向與線框平面垂直.已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框邊長(zhǎng)ab=L1,ad=L2,線框質(zhì)量為m.令線框的dc邊從距磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP?的高度h處由靜止開(kāi)始下落,線框剛好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域.
(1)求線框的電阻R.
(2)求線框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,通過(guò)線框?qū)Ь橫截面積的電荷量q.
(3)若將線框從dc邊距磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP?的高度H處由靜止開(kāi)始下落,當(dāng)線框的一半進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框剛好開(kāi)始勻速下落,求線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc,ab長(zhǎng)L1=1.0m,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一較大勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直.如圖所示,令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界的距離為h=0.7m處自由下落.已知線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后,ab邊到達(dá)邊界之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.從線框開(kāi)始下落,到ab邊完全進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中(g取10m/s2),求
(1)線框的最大加速度;   
(2)線框的最大速度;
(3)電路中產(chǎn)生的熱量Q.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abcd,ab長(zhǎng)L1=1.0m,是水平的,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω,其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距為H,H>L,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線框平面垂直,令線框的dc邊從離磁場(chǎng)上邊界的距離為h=0.7 m處自由下落,已知線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)后,ab邊到達(dá)PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值,問(wèn)從線框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中,磁場(chǎng)作用于線框的安培力做的總功是多少?

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