12.如圖所示,光滑斜面與水平面的夾角為θ,該空間存在著兩個磁感應(yīng)強度大小均為B的勻強磁場區(qū)域Ⅰ和Ⅱ,區(qū)域Ⅰ的磁場方向垂直于斜面向下,區(qū)域Ⅱ的磁場方向垂直于斜面向上,兩勻強磁場在斜面上的寬度均為L.一個質(zhì)量為m、電阻為R、邊長也為L的正方形金屬線框,由靜止開始沿斜面下滑,當(dāng)線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ時,恰好做勻速直線運動;當(dāng)線框剛好有一半進入磁場區(qū)域Ⅱ時,線框又恰好做勻速直線運動.求:
(1)當(dāng)線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ時的速度v;
(2)當(dāng)線框剛進入磁場區(qū)域Ⅱ時的加速度a;
(3)從線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ到剛好有一半進入磁場區(qū)域Ⅱ的過程中產(chǎn)生的熱量Q.

分析 (1)根據(jù)線框重力沿斜面的分力等于安培力,求出線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ時的速度.
(2)當(dāng)線框剛進入磁場區(qū)域Ⅱ時,上下兩條邊均受到安培力,根據(jù)牛頓第二定律求出加速度.
(3)根據(jù)平衡求出線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ到剛好有一半進入磁場區(qū)域Ⅱ時的速度,結(jié)合能量守恒定律求出產(chǎn)生的熱量.

解答 解:(1)ab邊剛越過ee′,恰好做勻速直線運動,線框所受合力為零,
E=BLv,I=$\frac{E}{R}$,
則mgsinθ=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
解得v=$\frac{mgsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$,方向沿斜面向下.
(2)當(dāng)ab邊剛越過ff′時,
線框中的總感應(yīng)電動勢E′=2BLv,
線框所受安培力F=2×$\frac{2BLv}{R}$×LB=4$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$
方向沿斜面向上.
由牛頓第二定律得F-mgsinθ=ma,
即a=$\frac{F}{m}$-gsinθ=4$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$$•\frac{1}{m}$-gsinθ=3gsinθ,方向沿斜面向上.
(3)設(shè)線框再次做勻速運動的速度為v′,
則mgsinθ=2×$\frac{2BLv′}{R}$LB,
得v′=$\frac{1}{4}$$\frac{mgsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$=$\frac{v}{4}$,
由能量守恒定律,得
Q=mg×$\frac{3}{2}$Lsinθ+($\frac{1}{2}$mv2-$\frac{1}{2}$mv′2)=$\frac{3}{2}$mgLsinθ+$\frac{15{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}si{n}^{2}θ}{32{B}^{4}{L}^{4}}$.

答:(1)當(dāng)線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ時的速度v為$\frac{mgsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$,方向沿斜面向下;
(2)當(dāng)線框剛進入磁場區(qū)域Ⅱ時的加速度a為3gsinθ,方向沿斜面向上;
(3)從線框剛進入磁場區(qū)域Ⅰ到剛好有一半進入磁場區(qū)域Ⅱ的過程中產(chǎn)生的熱量Q為$\frac{2}{3}$mgLsinθ+$\frac{15{m}^{3}{g}^{2}{R}^{2}si{n}^{2}θ}{32{B}^{4}{L}^{4}}$.

點評 此類問題的關(guān)鍵是明確所研究物體運動各個階段的受力情況,做功情況及能量轉(zhuǎn)化情況,選擇利用牛頓運動定律、動能定理或能的轉(zhuǎn)化與守恒定律解決針對性的問題,由于過程分析不明而易出現(xiàn)錯誤,所以,本類問題屬于難題中的易錯題.

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