【題目】如圖所示，A為空心金屬球，B為靠近A的另一個(gè)原來不帶電的枕形金屬殼。將另一個(gè)帶正電的小球C從A球開口處放入A球中央，但不觸及A球。則B出現(xiàn)的情況是( )

A.靠近A的一端帶正電，遠(yuǎn)離A的另一端帶負(fù)電

B.靠近A的一端帶負(fù)電，遠(yuǎn)離A的另一端帶正電

C.靠近A的一端帶負(fù)電，遠(yuǎn)離A的另一端不帶電

D.不帶電

【答案】B

【解析】

帶正電的小球C放在A球中央時(shí)，A的內(nèi)側(cè)感應(yīng)出負(fù)電，外側(cè)帶正點(diǎn)，當(dāng)B靠近A時(shí)，靠近A的一端就會(huì)感應(yīng)出負(fù)電，另一端帶正電

A．靠近A的一端帶正電，遠(yuǎn)離A的另一端帶負(fù)電與分析不符，故A錯(cuò)誤；

B．靠近A的一端帶負(fù)電，遠(yuǎn)離A的另一端帶正電與分析相符，故B正確；

C．靠近A的一端帶負(fù)電，遠(yuǎn)離A的另一端不帶電與分析不符，故C錯(cuò)誤；

D．不帶電與分析不符，故D錯(cuò)誤。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一質(zhì)量為1 kg的質(zhì)點(diǎn)靜止于光滑水平面上，從t＝0時(shí)刻開始，受到水平外力F的作用，如圖所示．下列判斷正確的是（ ）

A. 第1 s末的瞬時(shí)功率為6 W

B. 第1 s內(nèi)的平均功率為4 W

C. 前2 s內(nèi)的平均功率為4 W

D. 第1 s末與第2 s末外力的瞬時(shí)功率之比為9∶4

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，物體A放在某一水平面上，已知物體A重60N，A與水平面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=0.3，A、B均處于靜止?fàn)顟B(tài)，繩AC水平，繩CD與水平方向成37°角，CD繩上的拉力為15N．sin37°=0.6，cos37°=0.8．求：

（1）物體A受到的摩擦力為多大？

（2）物體B重力為多大？

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，半徑R=0.50m 的光滑四分之一圓軌道MN豎直固定在水平桌面上，軌道末端切線水平且端點(diǎn) N 處于桌面邊緣，把質(zhì)量m=0.20kg 的小物塊從圓軌道上某點(diǎn)由靜止釋放，經(jīng)過N點(diǎn)后做平拋運(yùn)動(dòng)，到達(dá)地面上的P點(diǎn)。已知桌面高度h=0.80m，小物塊經(jīng)過N點(diǎn)時(shí)的速度 v0=3.0m/s，g取 10m/s2。不計(jì)空氣阻力，物塊可視為質(zhì)點(diǎn)，求：

(1)小物塊經(jīng)過圓周上N點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道壓力 F 的大��；

(2)P 點(diǎn)到桌面邊緣的水平距離x；

(3)小物塊落地前瞬間速度v的大小。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】為紀(jì)念“光纖之父”、諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者華裔物理學(xué)家高錕的杰出貢獻(xiàn)，早在1996年中國科學(xué)院紫金山天文臺(tái)就將一顆于1981年12月3日發(fā)現(xiàn)的國際編號(hào)為“3463”的小行星命名為“高錕星”．已知“高錕星”半徑為R，其表面的重力加速度為g，萬有引力常量為G，在不考慮自轉(zhuǎn)的情況，求：（以下結(jié)果均用字母表達(dá)即可）

（1）衛(wèi)星環(huán)繞“高錕星”運(yùn)行的第一宇宙速度；

（2）假設(shè)某衛(wèi)星繞“高錕星”做勻速圓周運(yùn)動(dòng)且運(yùn)行周期為T，求該衛(wèi)星距地面的高度；

（3）假設(shè)“高錕星”為一均勻球體，試求“高錕星”的平均密度（球體積V= πR3）．

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，“東方紅一號(hào)”是中國發(fā)射的第一顆人造地球衛(wèi)星，由此開創(chuàng)了中國航天史的新紀(jì)元。已知其運(yùn)行軌道為橢圓軌道，其近地點(diǎn)M和遠(yuǎn)地點(diǎn)N的高度分別為439km和2384km，則（　�。�

A.衛(wèi)星在M點(diǎn)的勢能大于在N點(diǎn)的勢能B.衛(wèi)星在M點(diǎn)的速度大于N點(diǎn)的速度

C.衛(wèi)星在M點(diǎn)的加速度大于N點(diǎn)的加速度D.衛(wèi)星在N點(diǎn)的速度大于7.9km/s

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】點(diǎn)電荷A和B，分別帶正電和負(fù)電，電量分別為4Q和Q，如圖所示，在AB連線上，電場強(qiáng)度為零的地方在（）

A. B左側(cè) B. A右側(cè) C. A和B之間 D. A的右側(cè)及B的左側(cè)

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如右圖所示，兩個(gè)帶電金屬小球中心距離為r，所帶電荷量相等為Q，則關(guān)于它們之間電荷的相互作用力大小F的說法正確的是(　　)

A．若是同種電荷，B．若是異種電荷，

C．若是同種電荷，D．不論是何種電荷，

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖甲所示，電荷量均為＋q、質(zhì)量分別為m1和m2的兩個(gè)離子飄入電壓為U0的加速電場，其初速度幾乎為零。離子經(jīng)加速后通過狹縫O沿著與磁場垂直的方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場，質(zhì)量為m1的離子最后打在底片MN的中點(diǎn)P上。已知放置底片的區(qū)域MN＝L，底片能繞著軸M順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)，OM＝L。不計(jì)離子間的相互作用。sin＝0.6，sin＝0.8，tan＝

(1)求打在MN中點(diǎn)P的離子質(zhì)量m1；

(2)已知m1＝4m2，質(zhì)量為m2的離子無法打到底片上，但可以繞軸M轉(zhuǎn)動(dòng)底片，使離子的運(yùn)動(dòng)軌跡與底片相切，求運(yùn)動(dòng)軌跡與底片相切時(shí)底片轉(zhuǎn)過的角度；

(3)若將偏轉(zhuǎn)磁場改為半徑R＝L，圓心在O1處的圓形磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小仍為B，磁場方向垂直于紙面向里，磁場邊界與直線MN相切于O點(diǎn)，如圖乙所示。兩個(gè)離子能否打到底片上？若能，求離子離開磁場后運(yùn)動(dòng)到底片的時(shí)間？

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