E |
R+r |
E2 |
R+r |
E |
R+r |
mgsinθ |
B2L2 |
mgsinθ |
B2L2 |
4-2 |
2 |
mgsinθ |
B2L2 |
mgsinθ |
B2L2 |
E2 |
R+r |
B2L2v2 |
R+r |
B2L2
| ||
R+r |
B2L2
| ||
R+r |
1 |
2 |
v | 2 2 |
1 |
2 |
v | 2 1 |
m(R+r) |
2B2L2 |
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科目:高中物理 來(lái)源:2015屆浙江省高二上學(xué)期期中考試物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(10分)如圖甲,MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ = 30°角固定,M、P之間接電阻箱R,導(dǎo)軌所在空間存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向垂直于軌道平面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B = 0.5T。質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r,F(xiàn)從靜止釋放桿a b,測(cè)得最大速度為vm。改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖乙所示。已知軌距為L(zhǎng) = 2m,重力加速度g取l0m/s2,軌道足夠長(zhǎng)且電阻不計(jì)。
(1)當(dāng)R = 0時(shí),求桿a b勻速下滑過(guò)程中產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)E的大小及桿中的電流方向;
(2)求金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;
(3)當(dāng)R = 4Ω時(shí),求回路瞬時(shí)電功率每增加1W的過(guò)程中合外力對(duì)桿做的功W。
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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年福建省協(xié)作校高三6月內(nèi)部模擬物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(19分)如圖甲,MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ = 30°角固定,M、P之間接電阻箱R,導(dǎo)軌所在空間存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向垂直于軌道平面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B = 0.5T。質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r,F(xiàn)從靜止釋放桿a b,測(cè)得最大速度為vm。改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖乙所示。已知軌距為L(zhǎng) = 2m,重力加速度g取l0m/s2,軌道足夠長(zhǎng)且電阻不計(jì)。
⑴ 當(dāng)R = 0時(shí),求桿a b勻速下滑過(guò)程中產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)E的大小及桿中的電流方向;
⑵ 求金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;
⑶ 當(dāng)R = 4Ω時(shí),求回路瞬時(shí)電功率每增加1W的過(guò)程中合外力對(duì)桿做的功W。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖甲,MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ = 30°角固定,M、P之間接電阻箱R,導(dǎo)軌所在空間存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向垂直于軌道平面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B = 0.5T。質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r。現(xiàn)從靜止釋放桿a b,測(cè)得最大速度為vm。改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖乙所示。已知軌距為L = 2m,重力加速度g取l0m/s2,軌道足夠長(zhǎng)且電阻不計(jì)。
⑴ 當(dāng)R = 0時(shí),求桿a b勻速下滑過(guò)程中產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)E的大小及桿中的電流方向;
⑵ 求金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;
⑶ 當(dāng)R = 4Ω時(shí),求回路瞬時(shí)電功率每增加1W的過(guò)程中合外力對(duì)桿做的功W。
甲 乙
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科目:高中物理 來(lái)源:2013年江蘇省淮安市高考物理三模試卷(南京二模)(解析版) 題型:解答題
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