質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖2-1所示.離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、電量為q的正離子,離子產(chǎn)生出來時速度很小,可以看作速度為零.產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓U加速,進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運(yùn)動,到達(dá)記錄它的照相底片上的P點(diǎn).測得P點(diǎn)到入口處的距離為x.試求離子的質(zhì)量m.?

圖2-1

解析:離子的質(zhì)量m是不能直接測量的,但通過離子在磁場中的偏轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)化為距離進(jìn)行測量.當(dāng)離子在電場中加速時應(yīng)用動能定理可得?

當(dāng)離子在磁場中偏轉(zhuǎn)時應(yīng)用牛頓定律可得?

?

由上述二式求得.?

練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(電量為q,速度可看作為零),經(jīng)加速電場電壓U加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場,到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,不計離子重力,則下列說法正確的是(  )

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具.它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生帶電量為q的某種正離子,離子射出時的速度很小,可以看作是靜止的,離子經(jīng)過電壓U加速后形成離子束流,然后垂直于磁場方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運(yùn)動而到達(dá)記錄它的照相底片P上.實(shí)驗測得:它在P上的位置到入口處S1的距離為a,離子束流的電流為I.請回答下列問題:
(1)在時間t內(nèi)射到照相底片P上的離子的數(shù)目為多少?
(2)單位時間穿過入口處S1離子束流的能量為多少?
(3)試證明這種離子的質(zhì)量為m=
qB28U
a2

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場,到達(dá)記錄它的照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,則下列判斷正確的是(  )

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設(shè)備,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可視為零),經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進(jìn)入勻強(qiáng)磁場,運(yùn)轉(zhuǎn)半周后到達(dá)照相底片上的P點(diǎn).設(shè)P到S1的距離為x,則( 。

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精英家教網(wǎng)質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S可以發(fā)出各種不同的正離子束,離子從S出來時速度很小,可以看作是靜止的,離子經(jīng)過加速電場加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(圖中線框所示),并沿著半圓周運(yùn)動而到達(dá)照像底片上的P點(diǎn),測得P點(diǎn)到入口處S的距離為x?(  )

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