A. | 質(zhì)點(diǎn)一直沿x軸正方向運(yùn)動 | |
B. | 質(zhì)點(diǎn)在x軸上原點(diǎn)O兩側(cè)往復(fù)運(yùn)動 | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動過程中離原點(diǎn)的最大距離小于v0t0 | |
D. | 質(zhì)點(diǎn)最終靜止時(shí)離開原點(diǎn)的距離一定大于$\frac{3}{4}$v0t0 |
分析 v-t圖象是反映物體的速度隨時(shí)間變化情況的,其中點(diǎn)表示某一個(gè)時(shí)刻對應(yīng)的速度,線表示任意時(shí)刻的速度,線的斜率表示加速度,面積表示位移;本題中物體做往復(fù)運(yùn)動,但幅度逐漸變。
解答 解:A、速度為矢量,圖中物體的速度只有兩個(gè)相反的方向,故物體時(shí)而沿x軸正方向運(yùn)動,時(shí)而沿x軸負(fù)方向運(yùn)動,故A錯(cuò)誤;
B、由圖象知,質(zhì)點(diǎn)將在x軸上運(yùn)動,根據(jù)面積表示位移,可知,質(zhì)點(diǎn)沿x軸正向的位移大于沿x軸負(fù)向的位移,質(zhì)點(diǎn)一直在x軸右側(cè)往復(fù)運(yùn)動,故B錯(cuò)誤.
C、由圖象知,2t0時(shí)刻位移最大,故質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動過程中離原點(diǎn)的最大距離為v0t0,故C錯(cuò)誤;
D、質(zhì)點(diǎn)最終靜止時(shí)離開原點(diǎn)的距離為:$\frac{{v}_{0}•2{t}_{0}}{2}$-$\frac{\frac{1}{2}{v}_{0}•{t}_{0}}{2}$+$\frac{\frac{1}{4}{v}_{0}•\frac{{t}_{0}}{2}}{2}$-…>$\frac{3}{4}$v0t0,故D正確;
故選:D
點(diǎn)評 本題關(guān)鍵要根據(jù)速度圖象能分析質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動情況,抓住“面積”等于位移是關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 3m,3 m/s | B. | 3m,3$\sqrt{2}$m/s | C. | 1.8 m,3$\sqrt{5}$m/s | D. | 1.8m,6 m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A對B的摩擦力方向水平向左,大小為$\frac{\sqrt{3}}{4}$mg | |
B. | 地面對C的摩擦力方向水平向左,大小為$\frac{3\sqrt{3}}{4}$mg | |
C. | A對B的壓力大小為$\frac{3}{4}$mg,地面對C的支持力大小為6mg | |
D. | B對C的壓力大小為$\frac{3\sqrt{3}}{2}$mg,地面對C的支持力大小為$\frac{21}{4}$mg |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | c點(diǎn)場強(qiáng)小于于b點(diǎn)場強(qiáng) | |
B. | a、b兩點(diǎn)電場方向相同 | |
C. | 將一試探電荷+q由a移至b的過程中,動能增大 | |
D. | 若將一試探電荷+q由a點(diǎn)釋放,它將沿電場線運(yùn)動到b點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 用電壓表測該電壓其示數(shù)為50 V | |
B. | 該交流電壓的周期為0.02 s | |
C. | 將該電壓加在“100 V 100 W”的燈泡兩端,燈泡的實(shí)際功率小于100 W | |
D. | t=$\frac{1}{400}$ s時(shí),該交流電壓的瞬時(shí)值為50 V |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 重力做功為mgh | B. | 物體的重力勢能減少$\frac{mgh}{3}$ | ||
C. | 物體的動能增加$\frac{mgh}{3}$ | D. | 物體的機(jī)械能減少$\frac{2mgh}{3}$ |
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