如圖所示，矩形線框從a由靜止下落，在穿越磁場區(qū)域時(shí)，先后經(jīng)過b、c、d，由圖可知

 A．線框在c處和在a處的加速度一樣大

 B．線框在b、d處的加速度等于g

 C．線框在磁場區(qū)域內(nèi)做勻速直線運(yùn)動(dòng)

 D．線圈在磁場中下落時(shí)始終受到一個(gè)豎直向上的阻力

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：


下列各圖中，已標(biāo)出電流I、磁感應(yīng)強(qiáng)度B的方向，其中符合安培定則的是（）

    A．                    B．          C．     D．

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示的交流電壓加在一電阻兩端，下列說法不正確的是（）

    A． 該交流電壓的頻率為50Hz

    B． 該交流電壓的周期為0.03s

    C． 并聯(lián)在該電阻兩端的交流電壓表的示數(shù)為110V

    D． 該交流電壓的瞬時(shí)表達(dá)式為μ=110sin100πt（v）

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖為某磁譜儀部分構(gòu)件示意圖．圖中，永磁鐵提供勻強(qiáng)磁場，硅微條徑跡探測器可以探測粒子在其中運(yùn)動(dòng)的軌跡．宇宙射線中含有電子、正電子和質(zhì)子，分別以不同速度從上部垂直進(jìn)入磁場，下列說法正確的是（）

    A． 電子與正電子的偏轉(zhuǎn)方向一定相同

    B． 電子與正電子在磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑一定相同

    C． 同一粒子動(dòng)能越大，它在磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑越大

    D． 僅依據(jù)粒子運(yùn)動(dòng)軌跡無法判斷該粒子是質(zhì)子還是正電子

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，“L”形槽固定在光滑水平面，槽的曲面部分光滑，水平部分粗糙且長度d=2m，上方有水平向右的勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)E=102N/C．不帶電的絕緣物體B靜止在槽的水平部分最左端，在槽的最右端并排放置一個(gè)與它等高的，足夠長的木板C，足夠遠(yuǎn)處有豎直的擋板P．ABC質(zhì)量均為m=1kg，現(xiàn)將帶正電的電量q=5×10﹣2C，物體A從槽的曲面上距B的豎直高度為h=0.8m處由靜止釋放，已知A、B與槽的水平部分及C的上表面的動(dòng)摩擦因數(shù)均為μ=0.4．A與B，C與P的碰撞過程時(shí)間極短且碰撞過程中無機(jī)械能損失．A、B均可看作質(zhì)點(diǎn)且A的電量始終保持不變，g取10m/s2．求：

（1）A與B第一次碰撞后B的速度；

（2）A與B第二次碰撞后B的速度；

（3）物體B最終停在距離木板C左端多遠(yuǎn)處．

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，MN、PQ是兩條彼此平行的金屬導(dǎo)軌，水平放置，勻強(qiáng)磁場的磁感線垂直導(dǎo)軌平面。導(dǎo)軌左端連接一阻值R＝1.5Ω的電阻，電阻兩端并聯(lián)一電壓表   ，在導(dǎo)軌上垂直導(dǎo)軌跨接一金屬桿ab，ab的質(zhì)量m＝0.1kg，電阻為r＝0.5Ω，ab與導(dǎo)軌間動(dòng)摩擦因數(shù)μ＝0.5，導(dǎo)軌電阻不計(jì)�，F(xiàn)用大小恒定的力F＝0.7N水平向右拉ab運(yùn)動(dòng)，經(jīng)t＝2s后，ab開始勻速運(yùn)動(dòng)，此時(shí)，電壓表   的示數(shù)為0.3V。求：

（1）ab勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，外力F的功率

（2）從ab開始運(yùn)動(dòng)到ab勻速運(yùn)動(dòng)的過程中，通過電路中的電量

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科目：高中物理 來源： 題型：


邊長為a的閉合金屬正三角形框架，左邊豎直且與磁場右邊界平行，完全處于垂直框架平面向里的勻強(qiáng)磁場中�，F(xiàn)把框架勻速水平向右拉出磁場，如圖所示，則下列圖像與這一過程相符合的是(　　)

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科目：高中物理 來源： 題型：


 一列橫波在x軸上傳播，t1＝0和t2＝0.005 s時(shí)的波形如圖中的實(shí)線和虛線所示。

(1)求波速；(2)設(shè)周期小于(t2－t1)，并且波速為6000 m/s，求波的傳播方向。

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如圖所示，虛線表示電場的一簇等勢(shì)面且相鄰等勢(shì)面間電勢(shì)差相等，一個(gè)α粒子（即氦原子核）以一定的初速度進(jìn)入電場后，只在電場力作用下沿實(shí)線軌跡運(yùn)動(dòng)，α粒子先后通過M點(diǎn)和N點(diǎn).針對(duì)這一過程可判斷出（     ）

A.N點(diǎn)的電勢(shì)高于M點(diǎn)的電勢(shì)            

B.α粒子在N點(diǎn)的電勢(shì)能比在M點(diǎn)的電勢(shì)能大

C.α粒子在M點(diǎn)的速率小于在N點(diǎn)的速率   

D.α粒子在M點(diǎn)受到的電場力比在N點(diǎn)受到的電場力大

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