分析 (1)金屬棒進(jìn)入磁場前做勻加速運(yùn)動(dòng),由運(yùn)動(dòng)學(xué)位移速度公式求出金屬棒到達(dá)第1磁場區(qū)域時(shí)的速度大小v1,由于棒進(jìn)入第1磁場區(qū)域做勻速運(yùn)動(dòng),受力平衡,據(jù)平衡條件和安培力與速度的關(guān)系式列式,可求出第1磁場區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1大;
(2)由于每次經(jīng)過磁場區(qū)域時(shí)都是勻速通過的,導(dǎo)體棒通過磁場的間隙時(shí)做勻加速運(yùn)動(dòng),再由位移速度公式求出速度v3大小,同理可得進(jìn)入第2016磁場區(qū)域時(shí)的速度,即可由平衡條件求出第2016磁場區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度B2016大;
(3)電流隨時(shí)間變化規(guī)律為曲線,中間有一段時(shí)間沒有電流.
解答 解:(1)設(shè)金屬棒到達(dá)第1磁場區(qū)域時(shí)的速度大小為v1,由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式可知:
v12=2g(sinθ-μcosθ)2a…①
由于勻速進(jìn)入第1磁場區(qū)域,所以 $\frac{{B}_{1}^{2}{L}^{2}{v}_{1}}{5R}$+μmgcosθ=mgsinθ…②
聯(lián)立①②式可以得到:B1=$\frac{1}{L}\sqrt{\frac{5mgR}{2}\sqrt{\frac{g(sinθ-μcosθ)}{a}}}$;
(2)由于每次經(jīng)過磁場區(qū)域時(shí)都是勻速通過的,所以根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式可知:
v32=2g(asinθ-μcosθ)•(2a+2b)
得到:v3=2$\sqrt{g(sinθ-μcosθ)(a+b)}$
同理進(jìn)入第2016磁場區(qū)域時(shí)的速度為:
v2016=$\sqrt{2g(sinθ-μcosθ)(2a+2015b)}$;
再由勻速通過磁場區(qū)域可知,$\frac{{B}_{2016}^{2}{L}^{2}{v}_{2016}}{5R}$+μmgcosθ=mgsinθ
得到:B2016=$\frac{1}{L}\sqrt{5mgR\sqrt{\frac{g(sinθ-μcosθ)}{2(2a+2015b)}}}$;
(3)如右圖所示,電流隨時(shí)間變化規(guī)律為曲線,中間有一段時(shí)間沒有電流.
點(diǎn)評 對于電磁感應(yīng)問題研究思路常常有兩條:一條從力的角度,重點(diǎn)是分析安培力作用下導(dǎo)體棒的平衡問題,根據(jù)平衡條件列出方程;另一條是能量,分析涉及電磁感應(yīng)現(xiàn)象中的能量轉(zhuǎn)化問題,根據(jù)動(dòng)能定理、功能關(guān)系等列方程求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 力是不能離開物體而獨(dú)立存在的,一個(gè)力既有施力物體,又有受力物體 | |
B. | 只有相互接觸的兩物體之間才會(huì)產(chǎn)生力的作用 | |
C. | 如果兩個(gè)力都是10N,那么這兩個(gè)力一定相同 | |
D. | 一個(gè)物體先對別的物體施加力后,才能受到另一物體的力的作用 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 此時(shí)線框的加速度為$\frac{9{B}^{2}{a}^{2}{v}^{2}}{4mR}$ | |
B. | 此過程中回路產(chǎn)生的電能為$\frac{3}{4}$mv2 | |
C. | 此過程中通過線框截面的電量為$\frac{3B{a}^{2}}{2R}$ | |
D. | 此時(shí)線框中的電功率為$\frac{9{B}^{2}{a}^{2}{v}^{2}}{4R}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 25m | B. | 50m | C. | 75m | D. | 125m |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 1:3 | B. | 2:9 | C. | 2:1 | D. | 2:3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0.2s 8m/s | B. | 0.2s 10m/s | C. | 0.1s 5m/s | D. | 0.1s 4m/s |
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