A. | 電子在B點(diǎn)時(shí)的電勢能是50 Ev | B. | 電子的電勢能增加30 eV | ||
C. | B點(diǎn)電勢比A點(diǎn)高110 eV | D. | B點(diǎn)電勢比A點(diǎn)低30 V |
分析 通過電場力做功量度電勢能的變化來分析問題.根據(jù)電勢差的定義得出AB間的電勢差,從而比較電勢的大。
解答 解:AB、電子由A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)克服靜電力做功30eV,則電子的電勢能增加了30eV,電子在A點(diǎn)具有80eV的電勢能,則電子在B處的電勢能是 EpB=80eV+30eV=110eV.故A錯(cuò)誤,B正確.
CD、靜電力做功為 WAB=-30eV,電子的電荷量為q=-e,則AB間的電勢差為 UAB=$\frac{{W}_{AB}}{q}$=$\frac{-30eV}{-e}$=30V>0,可知,A點(diǎn)的電勢比B點(diǎn)的電勢高30V,因此,B點(diǎn)電勢比A點(diǎn)電勢低30V,故C錯(cuò)誤,D正確.
故選:BD
點(diǎn)評(píng) 本題通過靜電力做功量度電勢能的變化來分析問題.掌握電勢差的定義式UAB=$\frac{{W}_{AB}}{q}$,該公式運(yùn)用時(shí)各個(gè)量都要代入符號(hào)運(yùn)算.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A點(diǎn)的電勢小于B點(diǎn)的電勢 | B. | A點(diǎn)的電勢大于B點(diǎn)的電勢 | ||
C. | C點(diǎn)的場強(qiáng)小于D點(diǎn)的場強(qiáng) | D. | C點(diǎn)的場強(qiáng)大于D點(diǎn)的場強(qiáng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A點(diǎn)場強(qiáng)小于B點(diǎn)場強(qiáng) | B. | A點(diǎn)場強(qiáng)方向指向x軸負(fù)方向 | ||
C. | A點(diǎn)場強(qiáng)大于B點(diǎn)場強(qiáng) | D. | A點(diǎn)電勢高于B點(diǎn)電勢 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 大小仍為E,方向由A指向B | B. | 大小變?yōu)?\frac{E}{2}$,方向不變 | ||
C. | 大小仍為E,方向沿BA方向 | D. | 無法確定 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 將滑塊由靜止釋放,如果μ>tanθ,滑塊將下滑 | |
B. | 給滑塊沿斜面向下的初速度,如果μ>tanθ,滑塊將減速下滑 | |
C. | 用平行于斜面向上的力拉滑塊向上勻速滑動(dòng),如果μ=tanθ,拉力大小應(yīng)是mgsinθ | |
D. | 用平行于斜面向下的力拉滑塊向下勻速滑動(dòng),如果μ=tanθ,拉力大小應(yīng)是mgsinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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