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一塊N型半導體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強磁場中,磁場方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
(1)此元件的CC′兩個側面中,哪個面電勢高?
(2)試證明在磁感應強度一定時,此元件的CC′兩個側面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B 的儀器.其測量方法為:將導體放在勻強磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C,間的電壓U CC′,就可測得B.若已知其霍爾系數(shù).并測得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應強度B的大。
【答案】分析:(1)金屬導體中移動的是自由電子,根據(jù)左手定則判定電子的偏轉方向,從而得出元件的CC′兩個側面的電勢的高低.
(2)最終電子在洛倫茲力和電場力的作用下處于平衡,根據(jù)平衡,結合電流的微觀表達式,證明出兩個側面的電勢差與其中的電流成正比.
(3)根據(jù)證明出的電勢差和電流的關系求出磁感應強度的大小.
解答:解:(1)電流沿x軸正方向,知電子流動的方向沿x軸負方向,根據(jù)左手定則,知電子向C側面偏轉,所以C側面得到電子帶負電,C′側面失去電子帶正電.故C'面電勢較高.
(2)當電子受力平衡時有:.得U=vBd.電流的微觀表達式I=nevS=nevbd.所以v=Inebd.U=.知兩個側面的電勢差與其中的電流成正比.
(3)UCC′= I,則B==
故該元件所在處的磁感應強度B的大小為0.02T.
點評:解決本題的關鍵掌握左手定則判定洛倫茲力的方向,以及知道最終電子受電場力和洛倫茲力處于平衡.
練習冊系列答案
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(2007?蘇州模擬)一塊N型半導體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強磁場中,磁場方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
(1)此元件的CC′兩個側面中,哪個面電勢高?
(2)試證明在磁感應強度一定時,此元件的CC′兩個側面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B 的儀器.其測量方法為:將導體放在勻強磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C,間的電壓U CC′,就可測得B.若已知其霍爾系數(shù)k=
1ned
=10mV/mA?T
.并測得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應強度B的大。

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一塊N型半導體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強磁場中,磁場方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I

(1)此元件的CC/兩個側面中,哪個面電勢高?
(2)試證明在磁感應強度一定時,此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比;
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為:將導體放在勻強磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C/間的電壓U, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù),并測得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。

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一塊N型半導體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強磁場中,磁場方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC/兩個側面中,哪個面電勢高?

(2)試證明在磁感應強度一定時,此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比;

(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為:將導體放在勻強磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量CC/間的電壓U, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù),并測得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。

 

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