在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則( 。
分析:電子進(jìn)入電磁場(chǎng)中,受到洛倫茲力與電場(chǎng)力兩個(gè)力作用,由已知條件,分析兩個(gè)力的大小,由左手定則判斷出洛倫茲力方向,確定出電場(chǎng)力方向,即可確定電子的偏轉(zhuǎn)方向,根據(jù)電場(chǎng)力做功的正負(fù),分析速度的變化.
解答:解:A、B電子進(jìn)入電磁場(chǎng)中,受到洛倫茲力與電場(chǎng)力兩個(gè)力作用,由左手定則判斷可知,洛倫茲力方向向下,而電場(chǎng)力方向向上.
若v0
E
B
,則qv0B>qE,即洛倫茲力大于電場(chǎng)力,電子向下偏轉(zhuǎn),沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),洛倫茲力不做功,而電場(chǎng)力對(duì)電子負(fù)功,動(dòng)能減小,速度減小,故速度v<v0.故A錯(cuò)誤,B正確.
C、D若v0
E
B
,則qv0B<qE,即洛倫茲力小于電場(chǎng)力,電子向上偏轉(zhuǎn),沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),洛倫茲力不做功,而電場(chǎng)力對(duì)電子正功,動(dòng)能增加,速度增大,故速度v>v0.故C正確,D錯(cuò)誤.
故選:BC
點(diǎn)評(píng):本題關(guān)鍵分析洛倫茲力的方向,運(yùn)用動(dòng)能定理時(shí),要抓住洛倫茲力不做功的特點(diǎn),分析速度的大。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū),則(  )
A、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0
B、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
C、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
D、若v0
E
B
,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

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科目:高中物理 來(lái)源:2012屆雅安中學(xué)高二第二學(xué)期期中試題物理試題 題型:選擇題

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū),則 (   )

A.若v0 >E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0

B.若v0 >E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

C.若v0 <E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0

D.若v0 <E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

 

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科目:高中物理 來(lái)源:2008-2009學(xué)年廣東省湛江市高二(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線和磁感線方向以速度v射入場(chǎng)區(qū),則( )

A.若v>E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v
B.若v>E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v
C.若v<E/B,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v
D.若v<E/B,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v

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