Question

【題目】如圖所示，在直角坐標(biāo)系的第一象限0≤x≤R區(qū)域內(nèi)有沿軸正方向的勻強電場，右側(cè)有個以坐標(biāo)為（2R,0）的M點為圓心、半徑為R的半圓形區(qū)域內(nèi)有垂直紙面向里的勻強磁場（圖中未面出）�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m，帶電荷量為e的電子，從y軸上的P點以速度v沿x軸正方向射入電場，飛出電場后恰能從坐標(biāo)為（R,0）的Q點進入半圓形區(qū)域，且此時電子的速度方向與x軸正方向的夾角為30°，電子穿出半國形區(qū)域時的速度方向垂直于x軸，不考慮電子所受的重力，下列說法正確的是

A.電子進人半圓形區(qū)域時的速度大小為

B.勻強電場的電場強度大小

C.半圓形區(qū)域內(nèi)勻強磁場的磁感應(yīng)強度的大小為

D.電子剛穿出半圓形區(qū)域時的位置坐標(biāo)為

Answer 1

【答案】C

【解析】

A．電子在勻強電場中做類平拋運動，電子進入圓形區(qū)域時的速度大小為

故A錯誤；

B．電子沿y軸方向的速度分量

＝①

又

＝②

根據(jù)牛頓第二定律，有

＝③

＝④

聯(lián)立①②③④，得

故B錯誤；

C．軌跡如圖，

根據(jù)圖中幾何關(guān)系可得電子在勻強磁場中做勻速圓周運動的半徑為，由＝故

故C正確；

D．根據(jù)幾何關(guān)系可得電子穿出半圓形勻強磁場區(qū)域時的位置坐標(biāo)為

＝

故D錯誤；