A. | 滑動(dòng)觸頭向右移動(dòng)時(shí),電子打在熒光屏上的位置上升 | |
B. | 滑動(dòng)觸頭向左移動(dòng)時(shí),電子打在熒光屏上的位置上升 | |
C. | 電壓U增大時(shí),電子打在熒光屏上的速度大小不變 | |
D. | 電壓U增大時(shí),電子從發(fā)出到打在熒光屏上的時(shí)間不變 |
分析 滑動(dòng)觸頭向右移動(dòng)時(shí),加速電壓增大,加速后速度變大,粒子在偏轉(zhuǎn)電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間變短,粒子在平行偏轉(zhuǎn)電場方向的位移減小.同理觸頭向左移動(dòng)時(shí),加速電壓減小,加速后速度變小,粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間變長,粒子在平行偏轉(zhuǎn)電場方向的位移增大;當(dāng)加速電壓不變時(shí),偏轉(zhuǎn)電壓變化,影響平行電場方向的電場力的大小,也就是影響加速度的大小,粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變,改變偏轉(zhuǎn)的位移大。
解答 解:電子在加速電場中做加速運(yùn)動(dòng),根據(jù)動(dòng)能定理得:eU′=$\frac{1}{2}$mv2-0,則得電子獲得的速度為:v=$\sqrt{\frac{2eU′}{m}}$.
電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后做類平拋運(yùn)動(dòng),電子在沿極板方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),粒子在電場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間:t=$\frac{L}{v}$;
在平行電場方向做初速度為0的勻加速直線運(yùn)動(dòng),加速度a=$\frac{eU}{md}$,電子在電場方向偏轉(zhuǎn)的位移y=$\frac{1}{2}$at2.
解得:y=$\frac{U{L}^{2}}{4U′d}$,又因?yàn)槠D(zhuǎn)電場方向向下,所以電子在偏轉(zhuǎn)電場里向上偏轉(zhuǎn).
A、滑動(dòng)觸頭向右移動(dòng)時(shí),加速電壓U′變大,由上可知電子偏轉(zhuǎn)位移變小,因?yàn)殡娮酉蛏掀D(zhuǎn),故在屏上的位置下降,相反,滑動(dòng)觸頭向左移動(dòng)時(shí),電子打在熒光屏上的位置上升,故A錯(cuò)誤,B正確;
C、偏轉(zhuǎn)電壓U增大時(shí),電子在電場中受到的電場力增大,即電子偏轉(zhuǎn)的加速度a增大,又因?yàn)殡娮蛹铀佾@得的速度v不變,電子在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間不變,a增大,而電子打在屏上的速度為v′=$\sqrt{{v}^{2}+(at)^{2}}$,故電子打在屏上的速度增大,故C錯(cuò)誤.
D、電子在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間不變,離開電場后做勻速直線運(yùn)動(dòng),由于水平速度不變,運(yùn)動(dòng)時(shí)間也不變,所以電子從發(fā)出到打在熒光屏上的時(shí)間不變,故D正確.
故選:BD.
點(diǎn)評 電子在加速電場作用下做加速運(yùn)動(dòng),要能運(yùn)用動(dòng)能定理可得電子獲得的速度與加速電場大小間的關(guān)系.
電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場后,做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)時(shí)間受電場的寬度和進(jìn)入電場時(shí)的速度所決定,電子在電場方向偏轉(zhuǎn)的距離與時(shí)間和電場強(qiáng)度共同決定.熟練用矢量合成與分解的方法處理類平拋運(yùn)動(dòng)問題.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若小球P在經(jīng)過C點(diǎn)時(shí)帶電量突然減小則它將會(huì)運(yùn)動(dòng)到CD兩點(diǎn)之外 | |
B. | 若小球P在經(jīng)過C、O之間某處時(shí)帶電量減小,則它將會(huì)運(yùn)動(dòng)到CD兩點(diǎn)之外 | |
C. | 若小球P在經(jīng)過C點(diǎn)時(shí),點(diǎn)電荷M、N的帶電量同時(shí)等量增大,則它將會(huì)運(yùn)動(dòng)到CD兩點(diǎn)之外 | |
D. | 若小球P在經(jīng)過C、O之間某處時(shí),點(diǎn)電荷M、N的帶電量同時(shí)等量增大,則它以后不可能再運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn) |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 兩個(gè)粒子從O點(diǎn)射入磁場的時(shí)間間隔可能為$\frac{2πm}{3qB}$ | |
B. | 兩個(gè)粒子射入磁場的方向分別與PQ成30°和60°角 | |
C. | 在磁場中運(yùn)動(dòng)的粒子離邊界的最大距離為$\frac{2m{v}_{0}}{qB}$ | |
D. | 垂直PQ射入磁場中的粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間最長 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球所受的重力大小一定大于電場力 | |
B. | 可求出小球落到N點(diǎn)時(shí)重力的功率 | |
C. | 可求出小球落到N點(diǎn)時(shí)速度的大小和方向 | |
D. | 無法求出小球從M點(diǎn)到N點(diǎn)的過程中電勢能的變化量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 微粒在下落過程中動(dòng)能逐漸增加,重力勢能逐漸減小 | |
B. | 微粒落入電場中,電勢能逐漸增大,其增加量為$\frac{1}{2}$qU | |
C. | 微粒下落過程中,重力做功為mg(h+$\fracesgqgig{2}$),電場力做功為-$\frac{1}{2}$qU | |
D. | 微粒的重力勢能全部轉(zhuǎn)化為電勢能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3 mA | B. | 48 mA | C. | 零 | D. | 與R阻值有關(guān) |
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