【題目】如圖甲,固定在光滑水平面上的正三角形金屬線框,匝數(shù)n=20,總電阻R=2.5 Ω,邊長(zhǎng)L=0.3 m,處在兩個(gè)半徑均為r=的圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域中.線框頂點(diǎn)與右側(cè)圓心重合,線框底邊中點(diǎn)與左側(cè)圓心重合.磁感應(yīng)強(qiáng)度B1垂直水平面向上,大小不變;B2垂直水平面向下,大小隨時(shí)間變化.B1、B2的值如圖乙所示,則( )
A. 通過(guò)線框的感應(yīng)電流方向?yàn)槟鏁r(shí)針?lè)较?/span>
B. t=0時(shí)刻穿過(guò)線框的磁通量為0.1 Wb
C. 在0.6 s內(nèi)通過(guò)線框中的電荷量約為0.13 C
D. 經(jīng)過(guò)0.6 s線框中產(chǎn)生的熱量約為0.07 J
【答案】ACD
【解析】
根據(jù)楞次定律判斷感應(yīng)電流的方向;根據(jù)磁通量Φ=BS求解,S是有效面積;由求解電荷量;由Q=I2Rt求解熱量.
A.由磁感應(yīng)強(qiáng)度B1垂直水平面向外,大小不變;B2垂直水平面向里,大小隨時(shí)間增大,故線框總的磁通量減小,由楞次定律可得,線框中感應(yīng)電流方向?yàn)槟鏁r(shí)針?lè)较,?/span>A正確;
B.t=0時(shí)刻穿過(guò)線框的磁通量為:Φ=B1××πr2-B2××πr2=1×0.5×3.14×0.12-2××3.14×0.12Wb=0.005Wb,故B錯(cuò)誤;
C.在t=0.6s內(nèi)通過(guò)線框中的電量,故C正確;
D.由Q=I2Rt=()2×△t≈0.07J,故D正確。
故選ACD。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】某同學(xué)利用如圖所示的電路測(cè)量一微安表量程為,內(nèi)阻為幾千的內(nèi)阻,可使用的器材有:兩個(gè)電阻箱最大阻值為和最大阻值為;電源電動(dòng)勢(shì)約為,內(nèi)阻不計(jì):?jiǎn)蔚堕_關(guān)和,完成下列實(shí)驗(yàn)步驟中的填空:
為了保護(hù)微安表,開始時(shí)將電阻箱A的阻值調(diào)至最大;
閉合,斷開,逐步減小電阻箱A的阻值,使微安表滿偏,此時(shí)電阻箱A的讀數(shù)為;
斷開,將電阻箱A的讀數(shù)調(diào)整為,將電阻箱B的阻值調(diào)至______選填“最大”或“最小”,再閉合和,然后調(diào)整電阻箱B的阻值,使微安表重新達(dá)到滿偏,這時(shí)電阻箱A兩端的電壓與中相比______選填“改變”或“不變;
此時(shí)電阻箱B的讀數(shù)為,則由此可知待測(cè)微安表的內(nèi)阻為______,電源的電動(dòng)勢(shì)為______電動(dòng)勢(shì)的結(jié)果保留三位有效數(shù)字。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,直角坐標(biāo)系xoy的第一象限內(nèi)存在與x軸正方向成45°角的勻強(qiáng)電場(chǎng),第二象限內(nèi)存在與第一象限方向相反的勻強(qiáng)電場(chǎng),兩電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)大小相等。x軸下方區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)分別存在磁感應(yīng)強(qiáng)度不同的、方向垂直紙面向外的足夠大勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩磁場(chǎng)的分界線與x軸平行,區(qū)域I中磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,在分界線上有一絕緣彈性擋板,擋板關(guān)于y軸對(duì)稱,F(xiàn)在P(0,y0)點(diǎn)由靜止釋放一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的粒子(不計(jì)粒子重力),粒子立即進(jìn)入第一象限運(yùn)動(dòng),以速度v穿過(guò)x軸后,依次進(jìn)入?yún)^(qū)域I和區(qū)域II磁場(chǎng),已知粒子從區(qū)域I進(jìn)入?yún)^(qū)域II時(shí),速度方向垂直擋板緊貼擋板的右側(cè)邊緣,在與擋板進(jìn)行碰撞時(shí)粒子的電荷量和能量均無(wú)變化,且與擋板的中央發(fā)生過(guò)碰撞。求
(1)電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小
(2)區(qū)域I中磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小;
(3)粒子再次回到y軸時(shí)的位置坐標(biāo)和此時(shí)粒子速度方向。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】下列說(shuō)法正確的是( )(填正確答案標(biāo)號(hào)。選對(duì)1個(gè)得2分,選對(duì)2個(gè)得4分,選對(duì)3個(gè)得5分;每選錯(cuò)1個(gè)扣3分,最低得分為O分)
A. 做簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)的物體,其振動(dòng)能量與振幅無(wú)關(guān)
B. 肥皂泡呈現(xiàn)的彩色是光的干涉現(xiàn)象,通過(guò)狹縫看太陽(yáng)光呈現(xiàn)的彩色是光的衍射現(xiàn)象
C. 照相機(jī)鏡頭上會(huì)鍍一層增透膜,是為了增強(qiáng)光的透射,利用光的干涉原理
D. 波長(zhǎng)越短的電磁波,越容易繞過(guò)障礙物,便于遠(yuǎn)距離傳播
E. 在真空中傳播的電磁渡,當(dāng)它的頻率增加時(shí),它的傳播速度不變,波長(zhǎng)變短
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,一個(gè)帶絕緣支架的空心金屬球半徑為r,原來(lái)不帶電,放在一個(gè)電荷量為的點(diǎn)電荷右側(cè),點(diǎn)電荷到金屬球表面的最近距離為2r,達(dá)到靜電平衡后,下列表述正確的是
A. 整個(gè)金屬球表面將感應(yīng)帶上同種電荷
B. 金屬球球心處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為
C. 感應(yīng)電荷在金屬球球心處激發(fā)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為
D. 如果用導(dǎo)線將金屬球左右兩側(cè)相連,金屬球左右兩側(cè)的電荷會(huì)發(fā)生中和
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】小華和小明在“描繪小燈泡伏安特性曲線”的實(shí)驗(yàn)中,將實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄在下表中:
電壓U/V | 0.00 | 0.20 | 0.40 | 0.70 | 1.00 | 1.30 | 1.70 | 2.10 | 2.50 |
電流I/A | 0.00 | 0.14 | 0.24 | 0.26 | 0.37 | 0.40 | 0.43 | 0.45 | 0.46 |
(1)實(shí)驗(yàn)室有兩種滑動(dòng)變阻器供選擇:
A.滑動(dòng)變阻器(阻值范圍0~10 Ω、額定電流3 A)
B.滑動(dòng)變阻器(阻值范圍0~2 000 Ω、額定電流1 A)
實(shí)驗(yàn)中選擇的滑動(dòng)變阻器是________.(填寫字母序號(hào))
(2)在圖甲中用筆畫線代替導(dǎo)線,將實(shí)驗(yàn)電路連接完整.________
(3)開關(guān)閉合前,滑動(dòng)變阻器的滑片應(yīng)滑至________(選填“左”或“右”)端.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,一半徑為R的四分之一光滑圓弧軌道AB與一足夠長(zhǎng)的水平傳送帶平滑對(duì)接,圓弧軌道半徑OA水平,傳送帶以某一速率v逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng),F(xiàn)將一質(zhì)量為m的小物塊(可視為質(zhì)點(diǎn))從圓弧軌道上A點(diǎn)無(wú)初速釋放,物塊滑上傳送帶后第一次返回到圓弧軌道上的最高點(diǎn)為P,該過(guò)程中,物塊與傳送帶間因摩擦而產(chǎn)生的內(nèi)能為ΔE,已知P點(diǎn)距B點(diǎn)的高度為,重力加速度為g,下列判斷正確的是
A.
B.
C. 若增大傳送帶逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)的速率v,其它條件不變,物塊返回圓弧軌道后可能從A點(diǎn)滑出
D. 若物塊從圓弧AP間某位置無(wú)初速釋放,其它條件不變,則物塊返回到圓弧軌道上的最高點(diǎn)仍在P點(diǎn)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】一質(zhì)點(diǎn)做直線運(yùn)動(dòng)的v–t圖象如圖所示。下列說(shuō)法正確的是
A. 質(zhì)點(diǎn)在0~1 s的位移與1~2 s的位移可能相等
B. 質(zhì)點(diǎn)在1~2 s做加速度逐漸減小的直線運(yùn)動(dòng)
C. 質(zhì)點(diǎn)在1~2 s中某時(shí)刻的加速度等于質(zhì)點(diǎn)在2~3 s的加速度
D. 質(zhì)點(diǎn)在1 s時(shí)刻,離出發(fā)點(diǎn)最遠(yuǎn),在2 s時(shí)刻,返回出發(fā)點(diǎn)
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】“電子眼”又稱“電子警察”,是“智能交通違章監(jiān)攝管理系統(tǒng)”的俗稱。某種“電子眼”采用硅光電池供電,其原理如圖所示,a、b是硅光電池的兩個(gè)電極,P、N是兩塊硅半導(dǎo)體,E區(qū)是兩塊半導(dǎo)體自發(fā)形成的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū),P的上表面鍍有一層增透膜,光照射到半導(dǎo)體P上,使P內(nèi)受束縛的電子成為自由電子(不計(jì)重力),自由電子經(jīng)E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)從P區(qū)向N區(qū)的電場(chǎng)力作用后到達(dá)半導(dǎo)體N,從而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),形成電流。下列說(shuō)法正確的是
A. b電極為硅光電池的正極
B. E區(qū)勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度方向由N指向P
C. 硅光電池內(nèi)部的電流方向由P指向N
D. 若將硅光電池移至光照較強(qiáng)處,則其產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)變小
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