(1996年全國(guó))如圖所示,abcd為一邊長(zhǎng)為 L、具有質(zhì)量的導(dǎo)線框,位于水平面內(nèi),bc邊中串接有電阻R,導(dǎo)線的電阻不計(jì),虛線表示一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的邊界,它與線框ab邊平行,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為2L,磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向豎直向下,線框在一垂直于ab邊的水平恒定拉力作用下,沿光滑水平面運(yùn)動(dòng),直到通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.已知ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框便變?yōu)閯蛩龠\(yùn)動(dòng),此時(shí)通過(guò)電阻R的電流的大小為I0.
試在下圖的I—x坐標(biāo)上定性畫出:從導(dǎo)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流I的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線.
解析:ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)勻速運(yùn)動(dòng),在運(yùn)動(dòng)L距離的過(guò)程中,回路電流恒為I0;當(dāng)線框在x=L至x=2L間運(yùn)動(dòng)時(shí),回路中無(wú)磁通量變化,故I=0.線框加速運(yùn)動(dòng),出磁場(chǎng)時(shí)(x=2L)線框速度必大于剛進(jìn)磁場(chǎng)時(shí)的速度. 線框出磁場(chǎng)的過(guò)程中.線框的cd邊切割磁感線,產(chǎn)生的電流初時(shí)必大于I0,同時(shí)受到的安培力大于F,做減速運(yùn)動(dòng).隨之,線框的速度減小,加速度減小,電流減小,最終線框的速度會(huì)不小于剛進(jìn)磁場(chǎng)時(shí)的速度,故線框中的感生電流將不小于I0,即線框運(yùn)動(dòng)到3L處時(shí),框內(nèi)的感生電流I≥I0. 答案:圖象如圖(a)所示,對(duì)2L到3L過(guò)程中的電流還可畫成(b)中的形式. 歸納:結(jié)合圖象考查電磁感應(yīng)中的電路分析在高考中多次出現(xiàn).本題是要求考生會(huì)結(jié)合運(yùn)動(dòng)分析、電路分析找出規(guī)律,然后用圖象來(lái)表示.若平時(shí)沒(méi)強(qiáng)化訓(xùn)練,則難于應(yīng)付.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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科目:高中物理 來(lái)源:物理教研室 題型:038
試在下圖的I—x坐標(biāo)上定性畫出:從導(dǎo)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流I的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線.
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試在下圖的I—x坐標(biāo)上定性畫出:從導(dǎo)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流I的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:038
(1996年全國(guó))如圖所示,abcd為一邊長(zhǎng)為 l、具有質(zhì)量的導(dǎo)線框,位于水平面內(nèi),bc邊中串接有電阻R,導(dǎo)線的電阻不計(jì),虛線表示一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的邊界,它與線框ab邊平行,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為2l,磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向豎直向下,線框在一垂直于ab邊的水平恒定拉力作用下,沿光滑水平面運(yùn)動(dòng),直到通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.已知ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框便變?yōu)閯蛩龠\(yùn)動(dòng),此時(shí)通過(guò)電阻R的電流的大小為I0.
試在下圖的I—x坐標(biāo)上定性畫出:從導(dǎo)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流I的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線.
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