A. | 電子將向右偏轉(zhuǎn) | |
B. | 電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為d | |
C. | 電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為$\sqrt{3}$d | |
D. | 電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為$\frac{πd}{3{v}_{0}}$ |
分析 根據(jù)左手定則判斷電子所受的洛倫茲力方向,即可確定偏轉(zhuǎn)方向;畫(huà)出軌跡,由幾何知識(shí)求出電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離;確定出軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角,由圓周運(yùn)動(dòng)公式求解時(shí)間.
解答 解:A、電子帶負(fù)電,進(jìn)入磁場(chǎng)后,根據(jù)左手定則判斷可知,所受的洛倫茲力方向向左,電子將向左偏轉(zhuǎn),如圖.A錯(cuò)誤;
B、C、設(shè)電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為x,則由幾何知識(shí)得:
x=r-$\sqrt{{r}^{2}-koycs4f^{2}}$=2d-$\sqrt{(2d)^{2}-jc8bpvb^{2}}$=(2-$\sqrt{3}$)d.故BC錯(cuò)誤;
D、設(shè)軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為θ,由幾何知識(shí)得:sinθ=$\fracqtrkrjw{2d}$=0.5,得θ=$\frac{π}{6}$.則電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為$t=\frac{rθ}{v}=\frac{πd}{3{v}_{0}}$.故D正確.
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵是畫(huà)出電子運(yùn)動(dòng)的軌跡,由幾何知識(shí)求出相關(guān)的距離和軌跡的圓心角,掌握左手定則和相關(guān)幾何知識(shí)是正確解題的關(guān)鍵.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 同種放射性元素,在化合物中的半衰期比在單質(zhì)中長(zhǎng) | |
B. | 放射性元素的半衰期與元素所處的物理和化學(xué)狀態(tài)無(wú)關(guān),它是一個(gè)統(tǒng)計(jì)規(guī)律,只對(duì)大量的原子核才適用 | |
C. | 氡的半衰期是3.8天,若有4 g氡原子核,則經(jīng)過(guò)7.6天就只剩下1 g | |
D. | 氡的半衰期是3.8天,若有4個(gè)氡原子核,則經(jīng)過(guò)7.6天就只剩下一個(gè) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 做豎直向上的勻速運(yùn)動(dòng) | B. | 做加速度越來(lái)越小的變加速運(yùn)動(dòng) | ||
C. | 克服重力做功為mgHsinθ | D. | 機(jī)械能的增量為mg($\frac{H}{sinθ}$-H)+$\frac{1}{2}$mv2 |
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