A、上側面比下側面電勢高 | ||
B、上側面比下側面電勢低 | ||
C、磁感應強度B=
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D、磁感應強度B=
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△q |
△t |
△q |
1 |
U |
a |
neaU |
I |
科目:高中物理 來源: 題型:
1 | ned |
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年江蘇省沭陽縣高二下學期期中調研測試物理試卷(帶解析) 題型:計算題
一塊N型半導體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強磁場中,磁場方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。
(1)此元件的CC/兩個側面中,哪個面電勢高?
(2)試證明在磁感應強度一定時,此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比;
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為:將導體放在勻強磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C/間的電壓U, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù),并測得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。
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科目:高中物理 來源:2014屆江蘇省沭陽縣高二下學期期中調研測試物理試卷(解析版) 題型:計算題
一塊N型半導體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強磁場中,磁場方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。
(1)此元件的CC/兩個側面中,哪個面電勢高?
(2)試證明在磁感應強度一定時,此元件的CC/ 兩個側面的電勢差與其中的電流成正比;
(3)磁強計是利用霍爾效應來測量磁感應強度B的儀器。其測量方法為:將導體放在勻強磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C/間的電壓U, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù),并測得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應強度B的大小。
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