A. | 由E=$\frac{F}{q}$可知,某電場的場強(qiáng)E與q成反比,與F成正比 | |
B. | 正、負(fù)試探電荷在電場中同一點(diǎn)受到的電場力方向相反,所以某一點(diǎn)場強(qiáng)方向與放入試探電荷的正負(fù)有關(guān) | |
C. | 電場中某一點(diǎn)的場強(qiáng)與放入該點(diǎn)的試探電荷的正負(fù)無關(guān) | |
D. | 點(diǎn)電荷在真空中產(chǎn)生的場強(qiáng)=$k\frac{q}{r^2}$,式中q是試探電荷 |
分析 電場強(qiáng)度等于電荷所受電場力和該電荷電量的比值,即E=$\frac{F}{q}$,E與放入電場中的電荷無關(guān),由電場本身性質(zhì)決定.電場強(qiáng)度的方向與正電荷所受電場力方向相同,與負(fù)電荷所受電場力方向相反.點(diǎn)電荷場強(qiáng)公式為E=$k\frac{q}{r^2}$,式中q是場源電荷.
解答 解:A、E=$\frac{F}{q}$是電場強(qiáng)度的定義式,運(yùn)用比值法定義,E與F、q無關(guān),故A錯誤.
B、電場強(qiáng)度的方向與正電荷所受電場力方向相同,與負(fù)電荷所受電場力方向相反.電場中某點(diǎn)的場強(qiáng)方向與放入電場中電荷無關(guān).故B錯誤.
C、電場強(qiáng)度反映電場本身的性質(zhì),與放入電場中的試探電荷無關(guān).故C正確.
D、點(diǎn)電荷在真空中產(chǎn)生的場強(qiáng)=$k\frac{q}{r^2}$,式中q是場源.故D錯誤.
故選:C
點(diǎn)評 解決本題的關(guān)鍵掌握電場強(qiáng)度的定義式E=$\frac{F}{q}$,明確場強(qiáng)的意義:E與放入電場中的電荷無關(guān),由電場本身性質(zhì)決定.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 把電荷量為q的負(fù)電荷拿走,該點(diǎn)的場強(qiáng)為零 | |
B. | 若在該點(diǎn)放入電荷量為2q的正電荷,則該點(diǎn)的場強(qiáng)為2E | |
C. | 若在該點(diǎn)放入電荷量為q的正電荷,電荷受到的電場力方向向左 | |
D. | 不論該點(diǎn)是否放入電荷,該點(diǎn)場強(qiáng)都是E,且方向向左 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 法拉第發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)現(xiàn)象 | B. | 奧斯特發(fā)現(xiàn)了電流磁效應(yīng) | ||
C. | 洛倫茲發(fā)現(xiàn)了電荷間的相互作用力 | D. | 安培提出了分子電流假說 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 實(shí)物粒子只具有粒子性,沒有波動性,光子具有波粒二象性. | |
B. | α粒子散射實(shí)驗(yàn)中少數(shù)α粒子發(fā)生較大偏轉(zhuǎn)是盧瑟福猜想原子核式結(jié)構(gòu)模型的主要依據(jù). | |
C. | 在α、β、γ這三種射線中,γ射線的穿透能力最強(qiáng),α射線的電離能力最強(qiáng). | |
D. | 當(dāng)入射光的頻率低于截止頻率時則不會發(fā)生光電效應(yīng). | |
E. | 若使放射性物質(zhì)的溫度升高,其半衰期將減。 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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