圖11-3-12
解析:設(shè)桿向上運(yùn)動(dòng)的速度為v,因桿的運(yùn)動(dòng),兩桿與導(dǎo)軌構(gòu)成的回路的面積減少,從而磁通量也減少,由法拉第電磁感應(yīng)定律,回路中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小
E=B(l2-l1)v ①
回路中的電流
I= ②
電流沿順時(shí)針?lè)较,兩金屬桿都要受到安培力作用,作用于桿x1y1的安培力為
F1=BIl1(方向向上) ③
作用于桿x2y2的安培力為
F2=BIl2(方向向下) ④
當(dāng)桿勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),根據(jù)牛頓第二定律有
F-m1g-m2g+F1-F2=0 ⑤
解以上各式
I= ⑥
v= ⑦
作用于兩桿的重力功率的大小
P=(m1+m2)gv ⑧
電阻上的熱功率
Q=I2R ⑨
P=R(m1+m2)g ⑩
Q=R
答案:(1)R(m1+m2)g
(2)R
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
圖19-3-11
圖19-3-12
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖19-3-11所示,AB為一塊透明的光學(xué)材料左側(cè)的端面,建立直角坐標(biāo)系如圖19-3-12,設(shè)該光學(xué)材料的折射率沿y軸正方向均勻減小.現(xiàn)有一束單色光a從原點(diǎn)O以某一入射角θ由空氣射入該材料內(nèi)部,則該光線在該材料內(nèi)部可能的光路是圖19-3-12中的( )
圖19-3-11
圖19-3-12
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
K-介子衰變的方程為K-→π-+π0,其中K-介子和π-介子帶負(fù)的基元電荷,π0介子不帶電.一個(gè)K-介子沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,其軌跡為圓弧弧AP,衰變后產(chǎn)生的π-介子的軌跡為圓弧弧PB,兩軌跡在P點(diǎn)相切,它們的半徑與之比為2∶1.π0介子的軌跡未畫(huà)出.由此可知π-介子的動(dòng)量大小與π0介子的動(dòng)量大小之比為( )
圖11-3-12
A.1∶1 B.1∶2 C.1∶3 D.1∶6
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖11-3-12所示,電子以垂直于勻強(qiáng)磁場(chǎng)的速度VA,從A處進(jìn)入長(zhǎng)為d,寬為h的磁場(chǎng)區(qū)域,發(fā)生偏移而從B處離開(kāi)磁場(chǎng),從A至B的電子經(jīng)過(guò)的弧長(zhǎng)為s,若電子電量為e,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,則( )
A.電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t=d/VA
B.電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t=s/VA
C.洛倫茲力對(duì)電子做功是BeVA·h
D.電子在A、B兩處的速度相同
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖11-3-12所示,電子以垂直于勻強(qiáng)磁場(chǎng)的速度VA,從A處進(jìn)入長(zhǎng)為d,寬為h的磁場(chǎng)區(qū)域,發(fā)生偏移而從B處離開(kāi)磁場(chǎng),從A至B的電子經(jīng)過(guò)的弧長(zhǎng)為s,若電子電量為e,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,則( )
A.電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t=d/VA
B.電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t=s/VA
C.洛倫茲力對(duì)電子做功是BeVA·h
D.電子在A、B兩處的速度相同
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