質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖14所示。從容器A 下方的狹縫s1 不斷地飄入質(zhì)量為m ,電荷量為q 的正離子,經(jīng)電勢差為U 的加速電場加速后,再通過狹縫s2s3射入磁感應強度為B的勻強磁場,磁場方向垂直紙面向外,正離子的運動方向垂直于磁場區(qū)的界面PQ。最后,正離子打到感光片上,形成垂直于紙面而且平行于狹縫s3的細線。測得細線到狹縫s3的距離為d。

(1)忽略正離子從A出來的初速,試導出正離子質(zhì)量md的關(guān)系式。

(2)由于微觀客體的速度一般不為零,不同時刻飛出的正離子的速率有差異,而導致感光片上的細線存在一個寬度,對分析離子的質(zhì)量造成影響。為此常在離子加速后的徑跡s2、s3間加一速度選擇器,如圖15所示。已知速度選擇器的兩板電勢差為U',兩板間距為d',磁場磁感應強度為B',請重新導出正離子質(zhì)量md的關(guān)系式。

  

圖14                                   圖15

解:(1)正離子經(jīng)電場加速,由動能定理有:

(2分)

正離子在磁場中偏轉(zhuǎn),由洛倫茲力提供圓周運動的向心力有:

(2分)

正離子在磁場中運動軌跡剛好為半圓,所以有d=2r(2分)

由以上三式解得:(3分)

(2)正離子經(jīng)速度選擇器沿直線從s2s3速度必然符合方程

(3分)

正離子在磁場中偏轉(zhuǎn),有:(1分)

正離子在磁場中運動軌跡剛好為半圓,有d=2r(1分)

由以上三式解得:(3分)

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科目:高中物理 來源: 題型:

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(電量為q,速度可看作為零),經(jīng)加速電場電壓U加速后垂直進入有界勻強磁場,到達記錄它的照相底片P上,設離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,不計離子重力,則下列說法正確的是( 。

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具.它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生帶電量為q的某種正離子,離子射出時的速度很小,可以看作是靜止的,離子經(jīng)過電壓U加速后形成離子束流,然后垂直于磁場方向進入磁感應強度為B的勻強磁場,沿著半圓周運動而到達記錄它的照相底片P上.實驗測得:它在P上的位置到入口處S1的距離為a,離子束流的電流為I.請回答下列問題:
(1)在時間t內(nèi)射到照相底片P上的離子的數(shù)目為多少?
(2)單位時間穿過入口處S1離子束流的能量為多少?
(3)試證明這種離子的質(zhì)量為m=
qB28U
a2

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場加速后垂直進入有界勻強磁場,到達記錄它的照相底片P上,設離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,則下列判斷正確的是(  )

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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量或分析同位素的重要設備,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可視為零),經(jīng)MN間的加速電壓U加速后從小孔S1垂直于磁感線進入勻強磁場,運轉(zhuǎn)半周后到達照相底片上的P點.設P到S1的距離為x,則( 。

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