3 | 2 |
1 |
2 |
|
mv02 |
R |
d |
2 |
l | ||
R-
|
ym-
| ||
d |
3d |
2 |
|
5d |
2 |
5d |
4 |
2mv0 |
5ed |
2 |
5d |
|
vy |
vx |
ym-
| ||
l+d-l′ |
|
F |
m |
eU |
md |
d |
2 |
10d |
7 |
2U0d2 |
l′2 |
49U0 |
50 |
|
5d |
4 |
2 |
5d |
|
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場(chǎng)、偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)及熒光屏組成。在加速電場(chǎng)右側(cè)有相距為d、長(zhǎng)為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線(xiàn)上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場(chǎng)后從小孔S2射出,經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計(jì)電子在進(jìn)入加速電場(chǎng)前的速度。
(1)求電子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小;
(2)求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)若撤去磁場(chǎng),在原磁場(chǎng)區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長(zhǎng)的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來(lái)源:2012屆山東省菏澤學(xué)院附中高三5月高考沖刺理綜物理卷(帶解析) 題型:計(jì)算題
(19分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場(chǎng)、偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)及熒光屏組成。在加速電場(chǎng)右側(cè)有相距為d、長(zhǎng)為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線(xiàn)上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場(chǎng)后從小孔S2射出,經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計(jì)電子在進(jìn)入加速電場(chǎng)前的速度。
(1)求電子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小;
(2)求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)若撤去磁場(chǎng),在原磁場(chǎng)區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長(zhǎng)的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年浙江省高考模擬考試?yán)砭C物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(22分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場(chǎng)、偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)及熒光屏組成。在加速電場(chǎng)右側(cè)有相距為d、長(zhǎng)為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線(xiàn)上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場(chǎng)后從小孔S2射出,經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計(jì)電子在進(jìn)入加速電場(chǎng)前的速度。
(1) 求電子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大;
(2) 調(diào)整勻強(qiáng)磁場(chǎng)的強(qiáng)弱重復(fù)實(shí)驗(yàn),電子可打在熒光屏上的不同位置。求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和此時(shí)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;
(3) 若撤去磁場(chǎng),在原磁場(chǎng)區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長(zhǎng)的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年山東省高三5月高考沖刺理綜物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題
(19分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場(chǎng)、偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)及熒光屏組成。在加速電場(chǎng)右側(cè)有相距為d、長(zhǎng)為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線(xiàn)上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場(chǎng)后從小孔S2射出,經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計(jì)電子在進(jìn)入加速電場(chǎng)前的速度。
(1)求電子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大;
(2)求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;
(3)若撤去磁場(chǎng),在原磁場(chǎng)區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長(zhǎng)的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專(zhuān)區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專(zhuān)區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專(zhuān)區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專(zhuān)區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話(huà):027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com