Question

電荷量為Q的點(diǎn)電荷置于真空中，電荷量為q的試探電荷放在與Q相距為r的P點(diǎn)，受到的靜電力為F，則Q在P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度等于（　�。�

• A．

  F

  Q

• B．

  F

  q

• C．k

  q

  r2

• D．以上三項(xiàng)都不對(duì)

Answer 1

分析：由電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式求解電場(chǎng)強(qiáng)度；Q是場(chǎng)源電荷，它在與Q相距為r的P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)的強(qiáng)度由E=

kQ

r2

公式求解．

解答：解：ABD、q是試探電荷，它在P點(diǎn)所受靜電力為F，根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度的定義式可知，Q在P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度等于：E=

F

q

，故AD錯(cuò)誤，B正確．
C、電場(chǎng)是由電荷Q產(chǎn)生的，它在與Q相距為r的P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為：E=

kQ

r2

，故C錯(cuò)誤．
故選：B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查電場(chǎng)強(qiáng)度兩公式的應(yīng)用能力，關(guān)鍵抓住它們適用條件的不同．注意區(qū)別：公式E=

F

q

，q是試探電荷；E=

kQ

r2

，Q是場(chǎng)源電荷．