如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L的正方形（不計(jì)粒子所受重力，已知電子的質(zhì)量為m，電量為e）。
（1）  在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開(kāi)勻強(qiáng)電場(chǎng)I的時(shí)間t和速率v0 。
（2）在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電  
子，求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)；
（3）在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)，求所有釋放點(diǎn)的位置坐標(biāo)；

解：（1）電子在電場(chǎng)I中做勻加速直線運(yùn)動(dòng)，        ——2分
   ——1分
            ——1分
（2）此后電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng)，假設(shè)電子從CD邊射出，出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y，有
　　                  ——1分
       ——1分
　　        解得              ——1分
　　    所以原假設(shè)成立，即電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為（）——1分
　�。�3）設(shè)釋放點(diǎn)在電場(chǎng)區(qū)域I中，其坐標(biāo)為（x，y），在電場(chǎng)I中電子被加速到v1，然后進(jìn)入電場(chǎng)II做類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng)，并從D點(diǎn)離開(kāi)，有
　　       ——2分
           ——2分
　　 　　解得   ——2分  即在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置。

解析

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2008?上海）如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形（不計(jì)電子所受重力）．
（1）在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置．
（2）在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)，求所有釋放點(diǎn)的位置．
（3）若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)
Ln
（n≥1），仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi)（D不隨電場(chǎng)移動(dòng)），求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II，兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形（不計(jì)粒子所受重力）．在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子，求：
（1）電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí)的速度？
（2）電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置？
（3）電子從釋放開(kāi)始到離開(kāi)電場(chǎng)II過(guò)程中所經(jīng)歷的時(shí)間？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖．在xOy平面的第一象限，存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ；在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅱ．兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E，不計(jì)電子所受重力，電子的電荷量為e，求：
（1）從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的坐標(biāo)；
（2）試證明在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開(kāi)MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開(kāi)的
（3）由電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開(kāi)P點(diǎn)的最小動(dòng)能．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖．在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ，已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為（L，0）和（-2L，0），兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形（不計(jì)電子所受重力），現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子，已知電子質(zhì)量為m，帶電量為e，試求：
（1）電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)；
（2）電子從電場(chǎng)Ⅱ出來(lái)后經(jīng)過(guò)多少時(shí)間到達(dá)X軸；
（3）電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo)．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖．在Oxy平面的第一象限，存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)II．兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E，不計(jì)電子所受重力．求
（1）從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的位置；
（2）由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能；
（3）若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
（n≥1），要使電子從x=-2L，y=0處離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域II，在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置．

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