(9分)電壓表滿偏時通過該表的電流是半偏是通過該表的電流的兩倍。某同學(xué)利用這一事實測量電壓表的內(nèi)阻(半偏法)實驗室提供材料器材如下:
待測電壓表(量程3V,內(nèi)阻約為3 000歐),電阻箱R0(最大阻值為99 999.9歐),滑動變阻器R1(最大阻值100歐,額定電壓2A),電源E(電動勢6V,內(nèi)阻不計),開關(guān)兩個,導(dǎo)線若干。
(1)虛線框內(nèi)為同學(xué)設(shè)計的測量電壓表內(nèi)阻的電路圖的一部分,將電路圖補充完整。
(2)根據(jù)設(shè)計的電路寫出步驟 , , 。
(3)將這種方法測出的電壓表內(nèi)阻記為與內(nèi)阻的真實值Rv先比 Rv(添“>”“=”或“<”),主要理由是 。
科目:高中物理 來源:2014-2015學(xué)年河北邢臺一中下期第一次月考高二年級物理卷(解析版) 題型:選擇題
下列有關(guān)光現(xiàn)象的說法不正確的是( )
A.光學(xué)鏡頭上的增透膜是利用光的干涉現(xiàn)象
B.拍攝玻璃櫥窗內(nèi)的物品時,往往在鏡頭前加裝一個偏振片以增加透射光的強度
C.雙縫干涉實驗中,若僅將入射光由紫光改為紅光,則條紋間距一定變大
D.泊松亮斑是光的衍射現(xiàn)象
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科目:高中物理 來源:2014-2015學(xué)年甘肅蘭州一中下期期中考試高二物理卷(解析版) 題型:多選題
如圖所示,Rt為熱敏電阻,R1為光敏電阻,R2和R3均為定值電阻,電源電動勢為E,內(nèi)阻為r,V為理想電壓表,現(xiàn)發(fā)現(xiàn)電壓表示數(shù)增大,可能的原因是
A.熱敏電阻溫度升高,其他條件不變
B.熱敏電阻溫度降低,其他條件不變
C.光照減弱,其他條件不變
D.光照增強,其他條件不變
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科目:高中物理 來源:2015年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試物理(重慶卷解析版) 題型:選擇題
下圖為無線充電技術(shù)中使用的受電線圈示意圖,線圈匝數(shù)為,面積為.若在到時間內(nèi),勻強磁場平行于線圈軸線向右穿過線圈,其磁感應(yīng)強度大小由均勻增加到,則該段時間線圈兩端a和b之間的電勢差
A.恒為 B.從0均勻變化到
C.恒為 D.從0均勻變化到
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科目:高中物理 來源:2015年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試物理(新課標(biāo)卷2解析版) 題型:多選題
(5分)如圖,一束光沿半徑方向射向一塊半圓形玻璃磚,在玻璃磚底面上的入射角為θ,經(jīng)折射后射出a、b兩束光線,則 (填正確答案標(biāo)號,選對1個給2分,選對2個得4分,選對3個得5分,每選錯1個扣3分,最低得分0分)
A.在玻璃中,a光的傳播速度小于b光的傳播速度
B.在真空中,a光的波長小于b光的波長
C.玻璃磚對a光的折射率小于對b光的折射率
D.若改變光束的入射方向使θ角逐漸變大,則折射光線a首先消失
E.分別用a、b光在同一個雙縫干涉實驗裝置上做實驗,a光的干涉條紋間距大于b光的干涉條紋間距
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科目:高中物理 來源:2015年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試物理(新課標(biāo)卷2解析版) 題型:多選題
指南針是我國古代四大發(fā)明之一。關(guān)于指南針,下列說明正確的是
A.指南針可以僅具有一個磁極
B.指南針能夠指向南北,說明地球具有磁場
C.指南針的指向會受到附近鐵塊的干擾
D.在指南針正上方附近沿指針方向放置一直導(dǎo)線,導(dǎo)線通電時指南針不偏轉(zhuǎn)
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科目:高中物理 來源:2015年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試物理(新課標(biāo)卷1解析版) 題型:計算題
(10分)甲乙兩列簡諧橫波在同一介質(zhì)中分別沿軸正向和負(fù)向傳播,波速均為,兩列波在時的波形曲線如圖所示。求
(i)時,介質(zhì)中偏離平衡位置位移為16的所有質(zhì)點的坐標(biāo);
(ii)從開始,介質(zhì)中最早出現(xiàn)偏離平衡位置位移為的質(zhì)點的時間。
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科目:高中物理 來源:2015年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試物理(天津卷解析版) 題型:計算題
(18分)如圖所示,凸字形硬質(zhì)金屬線框質(zhì)量為m,相鄰各邊互相垂直,且處于同一豎直平面內(nèi),ab邊長為l,cd邊長為2l,ab與cd平行,間距為2l。勻強磁場區(qū)域的上下邊界均水平,磁場方向垂直于線框所在平面。開始時,cd邊到磁場上邊界的距離為2l,線框由靜止釋放,從cd邊進入磁場直到ef、pq邊進入磁場前,線框做勻速運動,在ef、pq邊離開磁場后,ab邊離開磁場之前,線框又做勻速運動。線框完全穿過磁場過程中產(chǎn)生的熱量為Q。線框在下落過程中始終處于原豎直平面內(nèi),且aB.cd邊保持水平,重力加速度為g;求
(1)線框ab邊將離開磁場時做勻速運動的速度大小是cd邊剛進入磁場時的 幾倍
(2)磁場上下邊界間的距離H
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科目:高中物理 來源: 題型:
下列說法中正確的是( )
A.在光的雙縫干涉實驗中,若僅將入射光由綠光改為紅光,則干涉條紋間距變寬
B.太陽能真空玻璃管采用鍍膜技術(shù)增加透射光,這是利用了光的干涉原理
C.交通警察向行進中的汽車發(fā)射一個已知頻率的電磁波,波被運動的汽車反射回來,根據(jù)接收到的頻率發(fā)生的變化,就知道汽車的速度,以便于進行交通管理。這一技術(shù)應(yīng)用了多普勒效應(yīng)
D.托馬斯•楊通過光的單縫衍射實驗,證明了光是一種波
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