飛行時(shí)間質(zhì)譜儀可以根據(jù)帶電粒子的飛行時(shí)間對(duì)氣體分子進(jìn)行分析。如圖所示,在真空狀態(tài)下,自脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生不同正離子,自a板小孔進(jìn)入a、b間的加速電場(chǎng),從b板小孔射出,沿中線方向進(jìn)入M、N板間的方形區(qū)域,然后到達(dá)緊靠在其右側(cè)的探測(cè)器。已知極板a、b間的電壓為U0,間距為d,極板MN的長(zhǎng)度和間距均為l。不計(jì)離子重力及經(jīng)過(guò)a板時(shí)的初速度。
(1)若M、N板間無(wú)電場(chǎng)和磁場(chǎng),請(qǐng)推導(dǎo)出離子從a板到探測(cè)器的飛行時(shí)間,與比荷k=q/m,q和m分別為離子的電荷量和質(zhì)量)的關(guān)系式;
(2)若在M、N間只加上偏轉(zhuǎn)電壓U1,請(qǐng)論證說(shuō)明不同正離子的軌跡是否重合;
(3)若在M、N間只加上垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知進(jìn)入a、b間的正離子有一價(jià)和二價(jià)的兩種,質(zhì)量均為m,元電荷為e。要使所有正離子均能通過(guò)方形區(qū)域從右側(cè)飛出,求所加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最大值Bm。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
q | m |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
飛行時(shí)間質(zhì)譜儀可以根據(jù)帶電粒子的飛行時(shí)間對(duì)氣體分子進(jìn)行分析。如圖所示,在真空狀態(tài)下,自脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生不同正離子,自a板小孔進(jìn)入a、b間的加速電場(chǎng),從b板小孔射出,沿中線方向進(jìn)入M、N板間的方形區(qū)域,然后到達(dá)緊靠在其右側(cè)的探測(cè)器。已知極板a、b間的電壓為U0,間距為d,極板MN的長(zhǎng)度和間距均為l。不計(jì)離子重力及經(jīng)過(guò)a板時(shí)的初速度。
(1)若M、N板間無(wú)電場(chǎng)和磁場(chǎng),請(qǐng)推導(dǎo)出離子從a板到探測(cè)器的飛行時(shí)間,與比荷k=q/m,q和m分別為離子的電荷量和質(zhì)量)的關(guān)系式;
(2)若在M、N間只加上偏轉(zhuǎn)電壓U1,請(qǐng)論證說(shuō)明不同正離子的軌跡是否重合;
(3)若在M、N間只加上垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知進(jìn)入a、b間的正離子有一價(jià)和二價(jià)的兩種,質(zhì)量均為m,元電荷為e。要使所有正離子均能通過(guò)方形區(qū)域從右側(cè)飛出,求所加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最大值Bm。
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科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年北京市西城區(qū)高三4月第一次摸底考試物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題
飛行時(shí)間質(zhì)譜儀可以根據(jù)帶電粒子的飛行時(shí)間對(duì)氣體分子進(jìn)行分析。如圖所示,在真空狀態(tài)下,自脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生不同正離子,自a板小孔進(jìn)入a、b間的加速電場(chǎng),從b板小孔射出,沿中線方向進(jìn)入M、N板間的方形區(qū)域,然后到達(dá)緊靠在其右側(cè)的探測(cè)器。已知極板a、b間的電壓為U0,間距為d,極板MN的長(zhǎng)度和間距均為l。不計(jì)離子重力及經(jīng)過(guò)a板時(shí)的初速度。
(1)若M、N板間無(wú)電場(chǎng)和磁場(chǎng),請(qǐng)推導(dǎo)出離子從a板到探測(cè)器的飛行時(shí)間,與比荷k=q/m,q和m分別為離子的電荷量和質(zhì)量)的關(guān)系式;
(2)若在M、N間只加上偏轉(zhuǎn)電壓U1,請(qǐng)論證說(shuō)明不同正離子的軌跡是否重合;
(3)若在M、N間只加上垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知進(jìn)入a、b間的正離子有一價(jià)和二價(jià)的兩種,質(zhì)量均為m,元電荷為e。要使所有正離子均能通過(guò)方形區(qū)域從右側(cè)飛出,求所加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最大值Bm。
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科目:高中物理 來(lái)源:北京市模擬題 題型:計(jì)算題
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