如圖所示,初速為零的電子經電壓加速后,垂直進入偏轉電場偏轉,離開偏轉電場時側向位移是.偏轉板間距離為,偏轉電壓為,板長為.為了提高偏轉靈敏度(每單位偏轉電壓引起的側向位移),可采用下面哪個辦法
A.增大偏轉電壓
B.減小板長
C.減小板間距離
D.增大加速電壓
科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
A、增大偏轉電壓U2 | B、減小板長l | C、減小板間距離d | D、增大加速電壓U1 |
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科目:高中物理 來源:山東濟寧鄒城二中2011-2012學年高二上學期期中質檢物理試題 題型:021
如圖所示,初速為零的電子經電壓U1加速后,垂直進入偏轉電場偏轉,離開偏轉電場時側向位移是y.偏轉板間距離為d,偏轉電壓為U2,板長為l.為了提高偏轉靈敏度(每單位偏轉電壓引起的側向位移),可采用下面哪些辦法
增大偏轉電壓U2
減小板長l
減小板間距離d
增大加速電壓U1
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科目:高中物理 來源:2013-2014學年浙江云龍中學、龍山中學高二上期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,初速為零的電子經電壓U1加速后,垂直進入偏轉電場偏轉,離開偏轉電場時側向位移是y.偏轉板間距離為d,偏轉電壓為U2,板長為L。為了使得電子離開偏轉電場時側向位移y增大,可采用下面哪些辦法( )
A.增大偏轉電壓U2 B.減小板長L
C.減小板間距離d D.增大加速電壓U1
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