下列說法正確的是
A．電勢公式只適用于點(diǎn)電荷產(chǎn)生電場
B．電場中某一點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小與放入電場中的檢驗(yàn)電荷的電量多少有關(guān)
C．電容公式只適用于平行板電容器
D．點(diǎn)電荷是一種理想化的物理模型
D

試題分析：電勢公式適用于一切電勢的計算，A錯誤；電場中某一點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小與電場本身的性質(zhì)有關(guān)，與試探電荷無關(guān)，B錯誤；電容公式為電容的定義公式，適用于任何電容的計算，C錯誤；點(diǎn)電荷是當(dāng)帶電體對我們所研究的問題影響不大時可以看做一個帶電的質(zhì)點(diǎn)，是理想模型，D正確；
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，O點(diǎn)為均勻帶正電的導(dǎo)體棒AB的中點(diǎn)，P點(diǎn)為AO的中點(diǎn)，a、b兩點(diǎn)分別處在P、O兩點(diǎn)的正上方．若將帶負(fù)電的試探電荷分別放在a、b兩點(diǎn)，則（�。�

A．導(dǎo)體棒在a點(diǎn)的場強(qiáng)大于在b點(diǎn)的場強(qiáng)
B．導(dǎo)體棒在a點(diǎn)的場強(qiáng)小于在b點(diǎn)的場強(qiáng)
C．試探電荷在a點(diǎn)的電勢能低于在b點(diǎn)的電勢能
D．試探電荷在a點(diǎn)的電勢能高于在b點(diǎn)的電勢能

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

電場強(qiáng)度E的定義式為E＝ ，根據(jù)此式，下列說法中正確的是(　　)
① 上式說明電場中某點(diǎn)的場強(qiáng)E與F成正比，與q成反比，拿走q，則E＝0
② 式中q是放入電場中的點(diǎn)電荷的電量，F(xiàn)是該點(diǎn)=電荷在電場中某點(diǎn)受到的電場力，E是該點(diǎn)的電場強(qiáng)度
③ 式中q是產(chǎn)生電場的點(diǎn)電荷的電量，F(xiàn)是放在電場中的點(diǎn)電荷受到的電場力，E是電場強(qiáng)度
④ 在庫侖定律的表達(dá)式中，可以把看做是點(diǎn)電荷q2產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q1處的場強(qiáng)大小，也可以把看做是點(diǎn)電荷q1產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷q2處的場強(qiáng)大小
A．只有①②B．只有①③C．只有②④D．只有③④

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，豎直直線為某點(diǎn)電荷Q所產(chǎn)生的電場中的一條電場線，M、N是其上的兩點(diǎn)。將帶電小球q自M點(diǎn)由靜止釋放，它運(yùn)動到N點(diǎn)時速度恰好為零。由此可以判定
A．Q為正電荷，位于N點(diǎn)下方
B．M點(diǎn)的電場強(qiáng)度小于N點(diǎn)的電場強(qiáng)度
C．M點(diǎn)的電勢高于N點(diǎn)的電勢
D．q在M點(diǎn)的電勢能大于在N點(diǎn)的電勢能

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，分別在M、N兩點(diǎn)固定放置兩個點(diǎn)電荷+Q和－q(Q>q)，以MN連線的中點(diǎn)O為圓心的圓周上有四點(diǎn)A、B、C、D，關(guān)于這四點(diǎn)的場強(qiáng)和電勢，下列說法中正確的是（   ）

A．A點(diǎn)電勢高于B點(diǎn)電勢
B．A點(diǎn)場強(qiáng)小于B點(diǎn)場強(qiáng)
C．C點(diǎn)電勢低于D點(diǎn)電勢
D．C點(diǎn)場強(qiáng)大于D點(diǎn)場強(qiáng)

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

質(zhì)量為m，電量為+q的小球以初速度以與水平方向成θ角射出，如圖2所示，如果在初速度所在的豎直平面加上一定大小的勻強(qiáng)電場后，能保證小球仍沿方向做直線運(yùn)動，則下列說法錯誤的是（   ）
A．若小球做勻速直線運(yùn)動，所加電場的值為mg/q
B．若小球做往返運(yùn)動，所加勻強(qiáng)電場的值可能為mgcosθ/q
C．若小球做往返運(yùn)動，所加勻強(qiáng)電場的值為mgsinθ/q
D．若小球做方向不變的勻加速運(yùn)動，所加勻強(qiáng)電場的值應(yīng)大于mg/q

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于電場強(qiáng)度的說法中，正確的是（   ）
A．公式只適用于真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場
B．由公式可知，電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度E與試探電荷在電場中該點(diǎn)所受電場力成正比
C．在公式中，是點(diǎn)電荷Q2產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷Q1處的場強(qiáng)大��；是點(diǎn)電荷Q1產(chǎn)生的電場在點(diǎn)電荷Q2處的場強(qiáng)大小
D．由公式可知，在離點(diǎn)電荷非�？拷牡胤剑╮→0），電場強(qiáng)度E可達(dá)無窮大

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖，一半徑為R的圓盤上均勻分布著電荷量為Q的電荷，在垂直于圓盤且過圓心c的軸線上有a、 b、d三個點(diǎn)，a和b、b和c、 c和d間的距離均為R，在a點(diǎn)處有一電荷量為q (q>0)的固定點(diǎn)電荷.已知b點(diǎn)處的場強(qiáng)為零，則d點(diǎn)處場強(qiáng)的大小為(    )(k為靜電力常量)
A．kB．kC．kD．k

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：填空題

如圖所示，真空中帶電荷量分別為＋Q和－Q的點(diǎn)電荷A、B相距r。兩點(diǎn)電荷連線的中點(diǎn)O處的電場強(qiáng)度大小為              。

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