A. | 在圖示位置時(shí)刻d點(diǎn)電勢(shì)高于c點(diǎn)電勢(shì) | |
B. | 圓盤轉(zhuǎn)動(dòng)越快,輸出脈動(dòng)電壓峰值越高 | |
C. | c、d端輸出脈沖電壓的頻率是圓盤轉(zhuǎn)速的4倍 | |
D. | 增加小磁體個(gè)數(shù),傳感器轉(zhuǎn)速測(cè)量更準(zhǔn)確 |
分析 霍爾元件中移動(dòng)的是自由電子,自由電子受到洛倫茲力發(fā)生偏轉(zhuǎn),從而可知道上下表面電勢(shì)的高低.上下兩表面分別帶上正負(fù)電荷,從而形成電勢(shì)差,最終電子在電場(chǎng)力和洛倫茲力的作用下處于平衡,結(jié)合霍爾傳感器測(cè)量轉(zhuǎn)速的工作原理,即可求解.
解答 解:A、霍爾元件中移動(dòng)的是自由電子,根據(jù)左手定則,電子向上表面偏轉(zhuǎn),即c點(diǎn),所以c點(diǎn)電勢(shì)高于d點(diǎn),故A錯(cuò)誤;
B、最終電子在電場(chǎng)力和洛倫茲力的作用下處于平衡,設(shè)霍爾元件的長寬厚分別為a、b、c,有q$\frac{U}$=qvB,
所以U=Bbv,輸出脈動(dòng)電壓峰與圓盤轉(zhuǎn)動(dòng)快慢無關(guān).故B錯(cuò)誤.
C、當(dāng)小磁體靠近霍爾元件時(shí),就是會(huì)產(chǎn)生一個(gè)脈沖電壓,因此c、d端輸出脈沖電壓的頻率是圓盤轉(zhuǎn)動(dòng)頻率的4倍,即為轉(zhuǎn)速的4倍,故C正確;
D、當(dāng)增加小磁體個(gè)數(shù),傳感器c、d端輸出一個(gè)脈沖電壓頻率變高,那么傳感器轉(zhuǎn)速測(cè)量更準(zhǔn)確,故D正確.
故選:CD.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵知道霍爾元件中移動(dòng)的是自由電子,最終電子在電場(chǎng)力和洛倫茲力的作用下處于平衡,上下表面形成穩(wěn)定的電勢(shì)差,注意霍爾傳感器測(cè)量轉(zhuǎn)速的原理的理解.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 質(zhì)點(diǎn)做勻加速直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 質(zhì)點(diǎn)在t=3.5s時(shí)的速度等于2m/s | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)在經(jīng)過圖線上P點(diǎn)所對(duì)應(yīng)位置時(shí)的速度一定大于2m/s | |
D. | 質(zhì)點(diǎn)在第4s內(nèi)的位移大于2m |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{{F}_{f}}{Ba}$垂直管道豎直向下 | B. | $\frac{{F}_{f}}{Bb}$,垂直管道豎直向下 | ||
C. | $\frac{{F}_{f}}{Bb}$,垂直管道豎直向上 | D. | $\frac{{F}_{f}}{Ba}$,垂直管道豎直向上 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)小球的初速度v0=$\frac{\sqrt{2gR}}{2}$時(shí),掉到環(huán)上時(shí)的豎直分速度最大 | |
B. | 當(dāng)小球的初速度選擇恰當(dāng)?shù)臅r(shí)候,將有可能垂直撞擊到環(huán)上的圓弧ac段 | |
C. | 當(dāng)v0取適當(dāng)值,小球可以垂直撞擊圓環(huán) | |
D. | 無論v0取何值,小球都不可能垂直撞擊圓環(huán) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | α1>α2 | B. | α1<α2 | C. | α1=α2 | D. | 無法判斷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 引力波應(yīng)該攜帶波源的信息 | B. | 引力波應(yīng)該只能在真空中傳播 | ||
C. | 引力波應(yīng)該有偏振現(xiàn)象 | D. | 引力波應(yīng)該不容易被探測(cè)到 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 100個(gè)某放射性元素的原子核經(jīng)過一個(gè)半衰期一定只剩下50個(gè) | |
B. | 放射性元素與別的元素形成化合物時(shí)仍具有放射性 | |
C. | 一塊純凈的放射性元素礦石,經(jīng)過一個(gè)半衰期后,它的總質(zhì)量僅剩下一半 | |
D. | 放射性元素在高溫和高壓下,半衰期要變短,在與其它元素形成化合物時(shí)半衰期要變長 |
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