如圖電路,在平行金屬板M、N內(nèi)部左側(cè)中央P有一質(zhì)量為m的帶電粒子(重力不計(jì))以水平速度v0射入電場(chǎng)并打在N板的O點(diǎn).改變R1或R2的阻值,粒子仍以v0射入電場(chǎng),則


  1. A.
    該粒子帶正電
  2. B.
    減少R2,粒子還能打在O點(diǎn)
  3. C.
    減少R1,粒子將打在O點(diǎn)左側(cè)
  4. D.
    增大R1,粒子在板間運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變
CB
根據(jù)電路可知,電容器上極板帶負(fù)電,下極板帶正電,即場(chǎng)強(qiáng)方向向上,因?yàn)榱W酉蛳缕,所以可知受向下的電?chǎng)力,場(chǎng)強(qiáng)方向跟電場(chǎng)力方向相反,所以粒子帶負(fù)電,A錯(cuò)
減少R2,不會(huì)影響板間場(chǎng)強(qiáng),所以粒子還能打在O點(diǎn),B對(duì)
減少R1,可以增大兩極板間的間電勢(shì)差,可知場(chǎng)強(qiáng)變大,則粒子所受電場(chǎng)力增大,所以粒子將打在O點(diǎn)左側(cè),C對(duì)
增大R1,可以減小兩極板間的間電勢(shì)差,可知場(chǎng)強(qiáng)變小,粒子將打在O點(diǎn)右側(cè),水平位移增大(x=vt,則運(yùn)動(dòng)時(shí)間增長)D錯(cuò)
故應(yīng)該選BC
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年廣東省汕頭市高三第一次模擬考試(理綜)物理部分 題型:選擇題

如圖電路,在平行金屬板M、N內(nèi)部左側(cè)中央P有一質(zhì)量為m的帶電粒子(重力不計(jì))以水平速度v0射入電場(chǎng)并打在N板的O點(diǎn).改變R1 或R2的阻值,粒子仍以v0射入電場(chǎng),則

A.該粒子帶正電

B.減少R2,粒子還能打在O點(diǎn)

C.減少R1,粒子將打在O點(diǎn)左側(cè)

D.增大R1,粒子在板間運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖電路,在平行金屬板M、N內(nèi)部左側(cè)中央P有一質(zhì)量為m的帶電粒子(重力不計(jì))以水平速度v0射入電場(chǎng)并打在N板的O點(diǎn).改變R1 或R2的阻值,粒子仍以v0射入電場(chǎng),則

A.該粒子帶正電

B.減少R2,粒子還能打在O點(diǎn)

C.減少R1,粒子將打在O點(diǎn)左側(cè)

D.增大R1,粒子在板間運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖電路,在平行金屬板M、N內(nèi)部左側(cè)中央P有一質(zhì)量為m的帶電粒子(重力不計(jì))以水平速度v0射入電場(chǎng)并打在N板的O點(diǎn).改變R1 或R2的阻值,粒子仍以v0射入電場(chǎng),則

A.該粒子帶正電

B.減少R2,粒子還能打在O點(diǎn)

C.減少R1,粒子將打在O點(diǎn)左側(cè)

D.增大R1,粒子在板間運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變

 

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科目:高中物理 來源:2011屆廣東省汕頭市高三第一次模擬考試(理綜)物理部分 題型:單選題

如圖電路,在平行金屬板M、N內(nèi)部左側(cè)中央P有一質(zhì)量為m的帶電粒子(重力不計(jì))以水平速度v0射入電場(chǎng)并打在N板的O點(diǎn).改變R1或R2的阻值,粒子仍以v0射入電場(chǎng),則

A.該粒子帶正電
B.減少R2,粒子還能打在O點(diǎn)
C.減少R1,粒子將打在O點(diǎn)左側(cè)
D.增大R1,粒子在板間運(yùn)動(dòng)時(shí)間不變

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