分析 (1)選擇A到D的過程,運(yùn)用動(dòng)能定理求解即可.
(2)物塊做圓周運(yùn)動(dòng),在A點(diǎn)應(yīng)用牛頓第二定律可以求出圓弧對物塊的支持力.
(3)物塊由B到A的過程,根據(jù)動(dòng)能定理列式求解場強(qiáng)E的大。
(4)由于物塊扭過的電場力向左,電場力大于滑動(dòng)摩擦力,最終物塊停在A處,對整個(gè)過程,運(yùn)用動(dòng)能定理求解總路程.
解答 解:(1)對物塊由A到D的過程,由動(dòng)能定理得:
-mg•2R=0-$\frac{1}{2}$mvA2,解得,vA=2$\sqrt{gR}$;
(2)在A點(diǎn),由牛頓第二定律得:
N-mg=m$\frac{{v}_{A}^{2}}{R}$,解得:N=5mg,方向:豎直向上;
(3)對物塊由B到A的過程,由動(dòng)能定理得:
qE•2.5R-μmg•2.5R=$\frac{1}{2}$mvA2-0,解得:E=$\frac{μmg+0.8mg}{q}$;
(4)物塊最終停在A點(diǎn),設(shè)物塊在水平軌道上運(yùn)動(dòng)的總路程為s.
對全過程,運(yùn)用動(dòng)能定理得:qE•2.5R-μmgs=0-0,解得:s=(2.5+$\frac{2}{μ}$)R;
答:(1)物塊第一次經(jīng)過A點(diǎn)時(shí)的速度為2$\sqrt{gR}$;
(2)物塊第一次經(jīng)過A點(diǎn)時(shí),圓弧面對物塊的支持力大小為5mg,方向:豎直向上;
(3)勻強(qiáng)電場的場度大小為:$\frac{μmg+0.8mg}{q}$;
(4)物塊在水平軌道上運(yùn)動(dòng)的總路程為:(2.5+$\frac{2}{μ}$)R.
點(diǎn)評 本題考查了求速度、電場強(qiáng)度、路程等問題,是一道綜合題,分析清楚物塊的運(yùn)動(dòng)過程是解題的關(guān)鍵;應(yīng)用動(dòng)能定理與牛頓第二定律可以解題,應(yīng)用動(dòng)能定理解題時(shí)要注意所研究過程的選擇.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 液晶分子在特定方向排列整齊 | |
B. | 液晶分子的排列不穩(wěn)定,外界條件的微小變動(dòng)都會(huì)引起液晶分子排列變化 | |
C. | 液晶分子的排列整齊而且穩(wěn)定 | |
D. | 液晶的物理性質(zhì)穩(wěn)定 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 金屬棒到達(dá)最低點(diǎn)時(shí)的速度為2$\sqrt{2}$m/s | |
B. | 金屬棒到達(dá)最低點(diǎn)時(shí)MN兩端的電壓0.6V | |
C. | 金屬棒下滑過程中克服安培力做了1.6J的功 | |
D. | 金屬棒下滑過程中通過R0的電荷量為0.04C |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 使U1減小為原來的一半 | |
B. | 使U2增大為原來的2倍 | |
C. | 使兩偏轉(zhuǎn)板的長度增大為原來2倍 | |
D. | 使兩偏轉(zhuǎn)板的間距減小為原來的一半 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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