質(zhì)量是m的物體(可視為質(zhì)點(diǎn)),從高為h,長為L的斜面頂端,由靜止開始勻加速下滑,滑到斜面底端時(shí)速度是v,則( )
A.到斜面底端時(shí)重力的瞬時(shí)功率為
B.下滑過程中重力的平均功率為
C.下滑過程中合力的平均功率為
D.下滑過程中摩擦力的平均功率為
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科目:高中物理 來源:2017屆湖北省等八校高三12月聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,在豎直平面內(nèi)有水平向右、場強(qiáng)為E=1×104 N/C的勻強(qiáng)電場.在勻強(qiáng)電場中有一根長L=2 m的絕緣細(xì)線,一端固定在O點(diǎn),另一端系一質(zhì)量為0.08 kg的帶電小球,它靜止時(shí)懸線與豎直方向成37°角,若小球獲得初速度恰能繞O點(diǎn)在豎直平面內(nèi)做圓周運(yùn)動(dòng),取小球在靜止時(shí)的位置為電勢能零點(diǎn)和重力勢能零點(diǎn),cos37°=0.8,g取10 m/s2.下列說法正確
A.小球的帶電荷量q=6×10-5 C
B.小球動(dòng)能的最小值為1J
C.小球在運(yùn)動(dòng)至圓周軌跡上的最高點(diǎn)時(shí)有機(jī)械能的最小值
D.小球繞O點(diǎn)在豎直平面內(nèi)做圓周運(yùn)動(dòng)的電勢能和機(jī)械能之和保持不變,且為4J
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科目:高中物理 來源:2017屆廣東省五校協(xié)作體高三上學(xué)期第一次聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
如圖所示,一定質(zhì)量的理想氣體,從狀態(tài)A變化到狀態(tài)B,再變化到狀態(tài)C,其狀態(tài)變化過程的p-V圖象如圖所示。已知狀態(tài)A時(shí)的溫度為27℃,則:
①氣體處于狀態(tài)B、C時(shí)的溫度分別是多少?
②從狀態(tài)A到狀態(tài)C的過程中內(nèi)能的變化是多少?
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科目:高中物理 來源:2016屆北京市高三下學(xué)期3月開學(xué)考物理試卷(解析版) 題型:簡答題
如圖所示,質(zhì)量為m=2kg的物體在傾角為θ=30°的斜面上隨著斜面一起沿著水平面以恒定水平加速度a=2m/s2加速運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)過程中物體和斜面始終保持相對靜止,求物體受到的支持力和摩擦力.(g=10m/s2)
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科目:高中物理 來源:2016屆北京市高三下學(xué)期3月開學(xué)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示的電路中,閉合開關(guān),當(dāng)電路穩(wěn)定后,將滑動(dòng)變阻器的滑動(dòng)端向左移動(dòng)的過程中,下列說法正確的是( )
A.電流表讀數(shù)減小,電壓表讀數(shù)增大,燈泡功率減小
B.電流表讀數(shù)增大,電壓表讀數(shù)減小,燈泡功率增大
C.電流表讀數(shù)增大,電壓表讀數(shù)減小,燈泡功率減小
D.電流表讀數(shù)減小,電壓表讀數(shù)增大,燈泡功率增大
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科目:高中物理 來源:2016屆北京市高三下學(xué)期3月開學(xué)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
一個(gè)氫氣球在空氣中勻速上升的過程中,下列說法正確的是( )
A. 由于氫氣球勻速上升,所以不受力
B. 氫氣球勻速上升的過程中雖然受到力,但沒有施力物體
C. 氫氣球內(nèi)部的氣體受力被壓縮是因?yàn)闅怏w發(fā)生形變而產(chǎn)生壓力
D. 氫氣球內(nèi)部的氣體受力被壓縮是因?yàn)闅馇虬l(fā)生形變而產(chǎn)生壓力
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科目:高中物理 來源:2017屆寧夏高三12月適應(yīng)性考試物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題
如圖所示,一質(zhì)量為m.電荷量為q的帶正電荷小球(可視為質(zhì)點(diǎn))從y軸上的A點(diǎn)以初速度(未知)水平拋出,兩長為L的平行金屬板M.N傾斜放置且水平方向間的夾角為,帶電小球恰好能垂直M板從其中心小孔B進(jìn)入兩板間(sin37°=0.6, g取10m/s2)
(1)試求帶電小球拋出時(shí)的初速度;
(2)若該平行金屬板M.N間有如圖所示的勻強(qiáng)電場,且勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度大小與小球質(zhì)量之間的關(guān)系滿足,試計(jì)算兩平行板M.N之間的垂直距離d至少為多少時(shí)才能保證小球不打在N板上.
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科目:高中物理 來源:2017屆內(nèi)蒙古高三上學(xué)期第三次模擬考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,O是半徑為R的正N邊形(N為大于3的偶數(shù))外接圓的圓心,在正N邊形的一個(gè)頂點(diǎn)A放置一個(gè)帶電荷量為+2q的點(diǎn)電荷,其余頂點(diǎn)分別放置帶電荷量均為-q的點(diǎn)電荷(未畫出).則下列對圓心O處的電場強(qiáng)度描述正確的是
A. 場強(qiáng)大小為
B. 場強(qiáng)方向從O指向A
C. 場強(qiáng)大小為
D. 場強(qiáng)方向從A指向O
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科目:高中物理 來源:2017屆湖南省高三實(shí)驗(yàn)班上學(xué)期第四次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
某個(gè)由導(dǎo)電介質(zhì)制成的電阻截面如圖所示。導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率為ρ、制成內(nèi)、外半徑分別為a和b的半球殼層形狀(圖中陰影部分),半徑為a、電阻不計(jì)的球形電極被嵌入導(dǎo)電介質(zhì)的球心為一個(gè)引出電極,在導(dǎo)電介質(zhì)的外層球殼上鍍上一層電阻不計(jì)的金屬膜成為另外一個(gè)電極。設(shè)該電阻的阻值為R。下面給出R的四個(gè)表達(dá)式中只有一個(gè)是合理的,你可能不會(huì)求解R,但是你可以通過一定的物理分析,對下列表達(dá)式的合理性做出判斷。根據(jù)你的判斷,R的合理表達(dá)式應(yīng)為
A.R= B.R=
C.R= D.R=
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