【題目】下列關(guān)于原子物理知識(shí)的敘述正確的是（　�。�

A.衰變的實(shí)質(zhì)是核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化為一個(gè)質(zhì)子和一個(gè)電子

B.結(jié)合能越大，原子核內(nèi)核子結(jié)合得越牢固，原子核越穩(wěn)定

C.兩個(gè)輕核結(jié)合成一個(gè)中等質(zhì)量的核，核子數(shù)不變質(zhì)量不虧損

D.對(duì)于一個(gè)特定的氡原子，知道了半衰期，就能準(zhǔn)確的預(yù)言它在何時(shí)衰變

【答案】A

【解析】

A．β衰變所釋放的電子，是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化成質(zhì)子和電子所產(chǎn)生的，故A正確；

B．比結(jié)合能越大，原子核中核子結(jié)合得越牢固，原子核越穩(wěn)定，結(jié)合能大，原子核不一定越穩(wěn)定，故B錯(cuò)誤；

C．兩個(gè)輕核結(jié)合成一個(gè)中等質(zhì)量的核，會(huì)釋放一定的能量，根據(jù)愛(ài)因斯坦質(zhì)能方程可知存在質(zhì)量虧損，故C錯(cuò)誤；

D．半衰期是統(tǒng)計(jì)規(guī)律，對(duì)于一個(gè)特定的衰變?cè)樱覀冎恢浪l(fā)生衰變的概率，并不知道它將何時(shí)發(fā)生衰變，發(fā)生多少衰變，故D錯(cuò)誤。

故選A。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，質(zhì)量為m的跨接桿ab可以無(wú)摩擦地沿水平的導(dǎo)軌滑行，兩軌間寬為L，導(dǎo)軌與電阻R連接，放在豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感強(qiáng)度為B。桿從x軸原點(diǎn)O以大小為v0的水平初速度向右滑行，直到靜止。已知桿在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中速度v和位移x的函數(shù)關(guān)系是：。（桿及導(dǎo)軌的電阻均不計(jì)。）

（1）試求桿所受的安培力F隨其位移x變化的函數(shù)式；

（2）若桿在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中水平方向只受安培力作用，請(qǐng)求出桿開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到停止運(yùn)動(dòng)過(guò)程中通過(guò)R的電量q；

（3）若桿在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中水平方向只受安培力作用，請(qǐng)求出桿開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到停止運(yùn)動(dòng)過(guò)程中R產(chǎn)生的熱量Q。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖，上下表面平行的玻璃磚折射率n=，下表面鍍有反射膜，玻璃磚右側(cè)整直放置一標(biāo)尺。一束單色光以入射角i=45射到玻璃磚上表面的A點(diǎn)，在標(biāo)尺上出現(xiàn)兩個(gè)光點(diǎn)(圖中未面出)。不考慮多次反射，已知折射光在玻璃磚內(nèi)的傳播時(shí)間為t，真空中的光速為c，求：

(i)標(biāo)尺上兩光點(diǎn)的距離；

(ii)光在標(biāo)尺上形成兩光點(diǎn)的時(shí)間差。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】一物體在豎直方向運(yùn)動(dòng)的v—t圖象如圖所示。以下判斷正確的是（規(guī)定向上方向?yàn)檎ā　。?/span>

A.第5s內(nèi)與第6s內(nèi)的加速度方向不同

B.第4s末～第6s末物體處于失重狀態(tài)

C.前2s內(nèi)物體克服重力做功的平均功率大于第6s內(nèi)物體重力做功的平均功率

D.第2s末～第4s末的過(guò)程中，該物體的機(jī)械能守恒

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】某小組利用圖（a）所示的電路，研究硅二極管在恒定電流條件下的正向電壓U與溫度t的關(guān)系，圖中V1和V2為理想電壓表；R為滑動(dòng)變阻器，R0為定值電阻（阻值100 Ω）；S為開(kāi)關(guān)，E為電源。實(shí)驗(yàn)中二極管置于控溫爐內(nèi)，控溫爐內(nèi)的溫度t由溫度計(jì)（圖中未畫(huà)出）測(cè)出。圖（b）是該小組在恒定電流為50.0μA時(shí)得到的某硅二極管U-t關(guān)系曲線(xiàn)。回答下列問(wèn)題：

（1）實(shí)驗(yàn)中，為保證流過(guò)二極管的電流為50.0μA，應(yīng)調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器R，使電壓表V1的示數(shù)為U1=______mV；根據(jù)圖（b）可知，當(dāng)控溫爐內(nèi)的溫度t升高時(shí)，硅二極管正向電阻_____（填“變大”或“變小”），電壓表V1示數(shù)_____（填“增大”或“減小”），此時(shí)應(yīng)將R的滑片向_____（填“A”或“B”）端移動(dòng)，以使V1示數(shù)仍為U1。

（2）由圖（b）可以看出U與t成線(xiàn)性關(guān)系，硅二極管可以作為測(cè)溫傳感器，該硅二極管的測(cè)溫靈敏度為=_____×10-3V/℃（保留2位有效數(shù)字）。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】我國(guó)航天事業(yè)持續(xù)飛速發(fā)展，2019年1月，嫦娥四號(hào)飛船在太陽(yáng)系最大的撞擊坑內(nèi)靠近月球南極的地點(diǎn)著陸月球背面。假設(shè)有一種宇宙飛船利用離子噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)加速起飛，發(fā)動(dòng)機(jī)加速電壓，噴出二價(jià)氧離子，離子束電流為，那么下列結(jié)論正確的是（元電荷，氧離子質(zhì)量，飛船質(zhì)量）（）

A. 噴出的每個(gè)氧離子的動(dòng)量

B. 飛船所受到的推力為

C. 飛船的加速度為

D. 推力做功的功率為

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，質(zhì)量m=10kg、橫截面積S=50cm2、厚度不計(jì)的活塞被氣缸光滑內(nèi)壁上的卡栓（體積不計(jì)）托住，將氣缸分成體積均為V的A、B兩部分，兩部分空間內(nèi)均封閉著一定量的理想氣體。初始狀態(tài)時(shí)兩部分氣體溫度均與環(huán)境溫度相同，其中A中氣體壓強(qiáng)為pA=2×105Pa，B中氣體壓強(qiáng)pB=1×105Pa。氣缸底端安裝有用來(lái)加熱的電熱絲，環(huán)境溫度保持27不變，重力加速度g取10m/s2，T=t+273K。僅有氣缸上表面導(dǎo)熱良好，其他部分及活塞絕熱，現(xiàn)對(duì)B中氣體緩慢加熱，當(dāng)B中氣體溫度升高至多少時(shí)，A中氣體體積減小為。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】中國(guó)自主研發(fā)的世界首座具有第四代核電特征的核電站—華能石島灣高溫氣冷堆核電站，位于山東省威海市榮成石島灣。目前核電站使用的核燃料基本都是濃縮鈾，有一種典型的鈾核裂變方程是＋x→＋＋3x。下列關(guān)于x的說(shuō)法正確的是（ ）

A.x是α粒子，具有很強(qiáng)的電離本領(lǐng)

B.x是α粒子，穿透能力比較弱

C.x是中子，中子是盧瑟福通過(guò)實(shí)驗(yàn)最先發(fā)現(xiàn)的

D.x是中子，中子是查德威克通過(guò)實(shí)驗(yàn)最先發(fā)現(xiàn)的

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

【題目】如圖所示，a、b兩束不同頻率的單色光從半圓形玻璃磚底邊平行射入，入射點(diǎn)均在玻璃磚底邊圓心O的左側(cè)，兩束光進(jìn)入玻璃磚后都射到O'點(diǎn)，OO'垂直于底邊，下列說(shuō)法確的是（　�。�

A.從點(diǎn)O'射出的光一定是復(fù)色光

B.增大兩束平行光的入射角度，則b光先從O'點(diǎn)消失

C.用同一裝置進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn)，b光的相鄰條紋間距較大

D.若a、b光分別照射同一光電管都能發(fā)生光電效應(yīng)，則a光的截止電壓低

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