(16分)如圖甲所示,熱電子由陰極飛出時(shí)的初速度忽略不計(jì),電子發(fā)射裝置的加速電壓為U0,偏轉(zhuǎn)電場板間距離L=8cm,極板長為2L,下極板接地,偏轉(zhuǎn)電場極板右端到熒光屏的距離也是2L,在兩極板間接有一交變電壓,電壓變化周期T=4s,上極板的電勢隨時(shí)間變化的圖象如圖乙所示,大量電子從偏轉(zhuǎn)電場中央持續(xù)射入,穿過平行板的時(shí)間都極短,可以認(rèn)為電子穿過平行板的過程中電壓是不變的。

⑴求電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場時(shí)的速度v0(用電子比荷、加速電壓U0表示);

⑵在電勢變化的每個(gè)周期內(nèi)熒光屏?xí)霈F(xiàn)“黑屏”現(xiàn)象,即無電子擊中屏幕,求每個(gè)周期內(nèi)的“黑屏”時(shí)間有多長;

⑶求熒光屏上有電子打到的區(qū)間的長度。

 

【答案】

 ⑴v0⑵t=1s;

【解析】

試題分析:⑴根據(jù)題意可知,電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場時(shí)的速度即為電子出加速電場時(shí)的速度,根據(jù)動能定理有:eU0-0

解得電子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場時(shí)的速度為:v0

⑵電子射出偏轉(zhuǎn)電場后做勻速直線運(yùn)動至熒光屏,由圖甲可知,只要電子能射出偏轉(zhuǎn)電場,即可打到熒光屏上,因此當(dāng)電子在偏轉(zhuǎn)電場中側(cè)移量大于L/2時(shí),電子將打在偏轉(zhuǎn)電場的極板上,致使出現(xiàn)“黑屏”現(xiàn)象,設(shè)電子剛好能射出電場時(shí)的偏轉(zhuǎn)電壓為Um,則有:

解得:Um=0.5U0

結(jié)合圖乙可知,在偏轉(zhuǎn)電壓u=0.8U0~0.5U0之間變化時(shí),進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場的電子無法射出偏轉(zhuǎn)電場打到光屏上,因此每個(gè)周期時(shí)間內(nèi)熒光屏出現(xiàn)“黑屏”的時(shí)間為:t==1s

⑶設(shè)電子射出偏轉(zhuǎn)電場時(shí)的側(cè)移量為y,打在熒光屏上的位置到O的距離為Y,如下圖所示,由圖中幾何關(guān)系有:=3

當(dāng)電子向上偏轉(zhuǎn)時(shí),在屏上出現(xiàn)的最大距離為:Y1=3×=12cm

當(dāng)電子向下偏轉(zhuǎn)時(shí),在屏上出現(xiàn)的最大距離為:Y2=3××=9.6cm

所以熒光屏上有電子打到的區(qū)間的長度為:l=Y(jié)1+Y2=21.6cm

考點(diǎn):本題主要考查了帶電粒子在電場中的加速與偏轉(zhuǎn)問題,屬于中檔題。

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

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(2012?杭州模擬)2011年9月29日晚21時(shí)16分,我國將首個(gè)目標(biāo)飛行器天宮一號發(fā)射升空,它將在兩年內(nèi)分別與神舟八號、神舟九號、神舟十號飛船對接,從而建立我國第一個(gè)空間實(shí)驗(yàn)室.假如神舟八號與天宮一號對接前所處的軌道如圖甲所示,圖乙是它們在軌道上即將對接時(shí)的模擬圖.當(dāng)它們處于圖甲所示的軌道運(yùn)行時(shí),下列說法正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(09年天津市十二區(qū)縣聯(lián)考)(16分)如圖甲所示,是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,底邊水平,金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R。在金屬線框的下方有一水平方向的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,MN和是勻強(qiáng)磁場區(qū)域的上下邊界,并與線框的邊平行,磁場方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框從磁場上方某一高度處由靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過磁場區(qū)域瞬間的速度一時(shí)問圖象,圖象中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字母均為已知量,重力加速度為,忽略空氣阻力。求:

(1)金屬框的邊長以及磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度;

(2)金屬線框在離開磁場過程中所產(chǎn)生的熱量。

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16分)如圖甲所示,空間存在一垂直紙面向里的水平磁場,磁場上邊界OM水平,以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),OM為x軸,豎直向下為y軸,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B=ky變化,k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為L的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放,運(yùn)動過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi),當(dāng)線框下降h0(h0<L)高度時(shí)達(dá)到最大速度,線框cd邊進(jìn)入磁場時(shí)開始做勻速運(yùn)動,重力加速度為g。求:

(1)線框下降h0高度時(shí)速度大小v1和勻速運(yùn)動時(shí)速度大小v2;

(2)線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場的過程中產(chǎn)生的電能ΔE;

(3)若將線框從圖示位置以水平向右的速度v0拋出,在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

 

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16分)如圖甲所示,空間存在一垂直紙面向里的水平磁場,磁場上邊界OM水平,以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),OM為x軸,豎直向下為y軸,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B=ky變化,k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為L的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放,運(yùn)動過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi),當(dāng)線框下降h0(h0<L)高度時(shí)達(dá)到最大速度,線框cd邊進(jìn)入磁場時(shí)開始做勻速運(yùn)動,重力加速度為g。求:
(1)線框下降h0高度時(shí)速度大小v1和勻速運(yùn)動時(shí)速度大小v2
(2)線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場的過程中產(chǎn)生的電能ΔE;
(3)若將線框從圖示位置以水平向右的速度v0拋出,在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

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16分)如圖甲所示,空間存在一垂直紙面向里的水平磁場,磁場上邊界OM水平,以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),OM為x軸,豎直向下為y軸,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B=ky變化,k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長為L的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放,運(yùn)動過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi),當(dāng)線框下降h0(h0<L)高度時(shí)達(dá)到最大速度,線框cd邊進(jìn)入磁場時(shí)開始做勻速運(yùn)動,重力加速度為g。求:

(1)線框下降h0高度時(shí)速度大小v1和勻速運(yùn)動時(shí)速度大小v2

(2)線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場的過程中產(chǎn)生的電能ΔE;

(3)若將線框從圖示位置以水平向右的速度v0拋出,在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

 

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