【題目】氫原子的能級(jí)示意圖如圖所示，現(xiàn)有大量的氫原子處于n=4的激發(fā)態(tài)，當(dāng)向低能級(jí)躍遷時(shí)，會(huì)輻射出若干種不同頻率的光，若用這些光照射逸出功為4.54eV的鎢時(shí)，下列說法中正確的是

A. 氫原子能輻射4種不同頻率的光子

B. 氫原子輻射的光子都能使鎢發(fā)生光電效應(yīng)

C. 氫原子輻射一個(gè)光子后，氫原子的核外電子的速率增大

D. 鎢能吸收兩個(gè)從n=4向n=2能級(jí)躍遷的光子而發(fā)生光電效應(yīng)

【答案】C

【解析】A項(xiàng)：根據(jù)，所以這些氫原子總共可輻射出6種不同頻率的光，故A錯(cuò)誤；

B項(xiàng)：由于要發(fā)生光電效應(yīng)，躍遷時(shí)放出光子的能量大于鎢的逸出功為4.54eV，故B錯(cuò)誤；

C項(xiàng)：氫原子輻射一個(gè)光子后，能級(jí)減小，氫原子的核外電子的速率增大，故C正確；

D項(xiàng)：鎢只能吸收一個(gè)光子的能量，故D錯(cuò)誤。

點(diǎn)晴：解決本題的關(guān)鍵知道光子能量與能極差的關(guān)系，即Em-En=hv，以及知道光電效應(yīng)產(chǎn)生的條件。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，透明的柱形元件的橫截面是半徑為R的圓弧，圓心為O，以O為原點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系xOy。一束單色光平行于x軸射入該元件，入射點(diǎn)的坐標(biāo)為(0，d)，單色光對(duì)此元件的折射率為

(i)當(dāng)d多大時(shí)，該單色光在圓弧面上恰好發(fā)生全反射？

(ii)當(dāng)d→0時(shí)，求該單色光照射到x軸上的位置到圓心O的距離。（不考慮單色光經(jīng)圓弧面反射后的情況。θ很小時(shí)，sinθ≈θ

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】某同學(xué)在開展研究性學(xué)習(xí)的過程中，利用速度傳感器研究某一物體以初速度lm/s做直線運(yùn)動(dòng)的速度v隨時(shí)間t變化的規(guī)律，并在計(jì)算機(jī)上得到了前4s內(nèi)物體速度隨時(shí)間變化的關(guān)系圖象，如圖所示。則下列說法正確的是

A. 物體在1s末速度方向改變

B. 物體在3s末加速度方向改變

C. 前4s內(nèi)物體的最大位移只出現(xiàn)在第3s末，大小為3.5m

D. 物體在第2s末與第4s末的速度相同

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】原子核的鏈?zhǔn)椒磻?yīng)可以在人工控制下進(jìn)行，使釋放的核能能夠?yàn)槿祟惖暮推浇ㄔO(shè)服務(wù)。鏈?zhǔn)椒磻?yīng)的核反應(yīng)方程式為，X是某種粒子，a是X粒子的個(gè)數(shù)，用mn、mu、mBa、mKr分別表示中子、核、核、核的質(zhì)量，mX表示X粒子的質(zhì)量，c為真空中的光速，以下說法正確的是

A. X為中子，a=2

B. 核反應(yīng)生成的核廢料具有放射性

C. 核反應(yīng)過程中，mu +mn =mBa+mKr+a mX

D. 上述核反應(yīng)中放出的核能△E=(mU－mBa－mKr－amX)c2

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】一定質(zhì)量的理想氣體，狀態(tài)變化如圖所示，其中AB段與V軸平行，BC段與p軸平行。下列說法正確的是______________。(填正確答案標(biāo)號(hào)。選對(duì)1個(gè)得2分，選對(duì)2個(gè)得4分，選對(duì)3個(gè)得5分。每選錯(cuò)1個(gè)扣3分，最低得分為0分)

A．ABC三狀態(tài)的氣體內(nèi)能的關(guān)系為EA=EC<EB

B．氣體從狀態(tài)A沿直線變化到狀態(tài)B的過程中，氣體吸熱，對(duì)外做功，氣體內(nèi)能增加

C．氣體從狀態(tài)B沿直線變化到狀態(tài)C的過程中，氣體放熱，對(duì)外做功，氣體內(nèi)能減少

D．氣體從狀態(tài)A沿直線變化到狀態(tài)C的過程中，氣體內(nèi)能先增加后減少

E．氣體從狀態(tài)A沿雙曲線變化到狀態(tài)C的過程中，氣體內(nèi)能先增加后減少

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，兩根平行光滑金屬導(dǎo)軌的間距為d=lm，導(dǎo)軌平面與水平面成θ=30°角，其底端接有阻值為R=2Ω的電阻，整個(gè)裝置處在垂直斜啣向上、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。一質(zhì)量為m=1kg(質(zhì)量分布均勻)的導(dǎo)體桿ab垂直于導(dǎo)軌放置，且與兩導(dǎo)軌保持良好接觸�，F(xiàn)桿在沿導(dǎo)軌平面向上、垂直于桿的恒力F=10N作用下從靜止開始沿導(dǎo)軌向上運(yùn)動(dòng)，當(dāng)運(yùn)動(dòng)距離為L=6m時(shí)速度恰好達(dá)到最大(運(yùn)動(dòng)過程中桿始終與導(dǎo)軌保持垂直)。導(dǎo)體桿的電阻為r=2Ω，導(dǎo)軌電阻不計(jì)(取g=10m/s2)。在此過程中

A. 桿的速度最大值為5m/s

B. 流過電阻R的電荷量為6C

C. 導(dǎo)體桿兩端電壓的最大值為10V

D. 安培力對(duì)導(dǎo)體桿的沖量大小為6N·s

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】（題文）如圖所示的直角坐標(biāo)系xOy中，在第一象限和第四象限分別存在垂直紙面向外和向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，PQ是磁場(chǎng)的右邊界，磁場(chǎng)的上下區(qū)域足夠大，在第二象限存在沿x軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，一個(gè)質(zhì)量為m，電荷量為＋q的帶電粒子從x軸上的M點(diǎn)以速度v0垂直于x軸沿y軸正方向射入電場(chǎng)中，粒子經(jīng)過電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后從y軸上的N點(diǎn)進(jìn)入第一象限，帶電粒子剛好不從y軸負(fù)半軸離開第四象限，最后垂直磁場(chǎng)右邊界PQ離開磁場(chǎng)區(qū)域，已知M點(diǎn)距離原點(diǎn)O的距離為，N點(diǎn)距離原點(diǎn)O的距離為，第一象限的磁感應(yīng)強(qiáng)度滿足，不計(jì)帶電粒子的重力，求：

（1）勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度為多大？

（2）第四象限內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度多大？

（3）若帶電粒子從進(jìn)入磁場(chǎng)到垂直磁場(chǎng)右邊界離開磁場(chǎng)，在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間是多少？

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，質(zhì)量為m的木塊A放在水平面上的質(zhì)量為M的斜面B上，現(xiàn)用大小相等方向相反的兩個(gè)水平推力F分別作用在A、B上，A、B均保持靜止不動(dòng)。則( )

A. A與B之間一定存在摩擦力 B. B與地面之間一定存在摩擦力

C. B對(duì)A的支持力一定等于mg D. 地面對(duì)B的支持力大小一定等于(m+M)g

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】質(zhì)量一定的某種物質(zhì)，在壓強(qiáng)不變的條件下，由固態(tài)Ⅰ到氣態(tài)Ⅲ變化過程中溫度T隨加熱時(shí)間t變化關(guān)系如圖所示，單位時(shí)間所吸收的熱量可看做不變，氣態(tài)Ⅲ可看成理想氣體。下列說法正確的是（ ）

A. 該物質(zhì)是晶體

B. 該物質(zhì)分子平均動(dòng)能隨著時(shí)間的增加而增大

C. 在時(shí)間內(nèi)，該物質(zhì)分子勢(shì)能隨著時(shí)間的增加而增大

D. 在時(shí)間內(nèi)，該物質(zhì)的內(nèi)能隨著時(shí)間的增加而增大

E. 在時(shí)間內(nèi)，氣體膨脹對(duì)外做功，分子勢(shì)能增大

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